ROHM首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动器IC开始量产

发布时间:2025-05-28 09:04
作者:AMEYA360
来源:ROHM
阅读量:523

  5月27日,全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布,推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通过与本产品组合使用,可使GaN器件在高频、高速开关过程中实现更稳定的驱动,有助于电机和服务器电源等大电流应用进一步缩减体积并提高效率。

ROHM首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动器IC开始量产

  新产品是ROHM首款面向高耐压GaN HEMT的隔离型栅极驱动器IC。在电压反复急剧升降的开关工作中,使用本产品可将器件与控制电路隔离,从而确保信号的安全传输。

  新产品通过采用ROHM自主开发的片上隔离技术,有效降低寄生电容,实现高达2MHz的高频驱动。通过充分发挥GaN器件的高速开关特性,不仅有助于应用产品更加节能和实现更高性能,还可通过助力外围元器件的小型化来削减安装面积。

  另外,隔离型栅极驱动器IC的抗扰度指标——共模瞬态抗扰度(CMTI)*¹达到150V/ns(纳秒),是以往产品的1.5倍,可有效防止GaN HEMT开关时令人困扰的高转换速率引发的误动作,从而有助于系统实现稳定的控制。最小脉冲宽度较以往产品缩减33%,导通时间缩短至仅65ns。因此,虽然频率更高却仍可确保最小占空比,从而可将损耗控制在更低程度。

  GaN器件的栅极驱动电压范围为4.5V~6.0V,绝缘耐压为2500Vrms,新产品可充分激发出各种高耐压 GaN器件(包括ROHM EcoGaN™系列产品阵容中新增的650V耐压GaN HEMT“GNP2070TD-Z”)的性能潜力。输出端的消耗电流仅0.5mA(最大值),达到业界超低功耗水平,另外还可有效降低待机功耗。

  新产品已于2025年3月开始量产(样品价格:600日元/个,不含税)。另外,新产品也已开始网售,通过电商平台均可购买。

  EcoGaN™是ROHM Co.,Ltd.的商标或注册商标。

  <开发背景>

  在全球能源消耗逐年攀升的背景下,节能对策已成为世界各国共同面临的课题。尤其值得注意的是,据调查“电机”和“电源”消耗的电量约占全球总用电量的97%。改善“电机”和“电源”效率的关键在于采用碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等新材料制造的、负责功率控制和转换的新一代功率器件。

  ROHM充分发挥其在硅半导体和SiC隔离型栅极驱动器IC开发过程中积累的技术优势,成功开发出第一波产品——专为GaN器件驱动而优化的隔离型栅极驱动器IC。未来,ROHM将配套提供GaN器件驱动用的栅极驱动器IC与GaN器件,为应用产品的设计提供更多便利。

  <应用示例>

  ◇ 工业设备:光伏逆变器、ESS(储能系统)、通信基站、服务器、工业电机等的电源

  ◇ 消费电子:白色家电、AC适配器(USB充电器)、电脑、电视、冰箱、空调

  <术语解说>

  *1) 共模瞬态抗扰度(CMTI)

  隔离型栅极驱动器的主要参数之一,指产品对短时间内发生的电压急剧变化的耐受能力。特别是驱动GaN HEMT等转换速率较高的器件时,容易产生急剧的电压变化,通过采用CMTI性能优异的栅极驱动器,可有效防止器件损坏,并降低电路的短路风险。


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