LU闩锁效应是什么？
LU是 Latch Up的简写，即闩锁效应，也叫可控硅效应，表征芯片被触发低阻抗通路后、电源VDD到GND之间能承受的最大电流。非车规芯片的规格书中通常都不会提供这个参数，而车规芯片的规格书中通常都会明确标注出来这个参数。这也是一个极为重要却极容易被电子工程师忽略的参数。
闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的N-P-N-P结构而产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成正反馈形成闩锁。ESD 和相关的电压瞬变都可能会引起闩锁效应，是半导体器件失效的主要原因之一。一旦触发闩锁效应，即会产生一个低阻抗通路，如图1，当Q1或者Q2被异常触发导通后，会使芯片的VDD和GND之间产生大电流，如果芯片的VDD端流入的电流超过芯片Latch up能承受的电流极限，就可能会烧毁芯片。
图1 CMOS寄生BJT示意图及等效电路
芯片被触发进入Latch up状态后，只有重新上电才能脱离这个锁定状态。
芯片研发工程师在设计层面会采用多种手段来防御闩锁的产生，但是难以根除。在应用层面，电子工程师就需要在应用电路层面做适当的防御措施：
1)在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过规定电压。
2)芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。
3)在VDD供电脚加限流电阻，保证触发Latch up后的通路极限电流小于芯片承受的能力，保护芯片不被损坏。
4)当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启CMOS芯片的电源，再开启输入信号和负载的电源;关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭CMOS芯片的电源。
下一篇：一文了解阿伦尼乌斯寿命模型
在线留言询价
- 一周热料
- 紧缺物料秒杀
| 型号 | 品牌 | 询价 |
|---|---|---|
| RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
| CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
| TL431ACLPR | Texas Instruments | |
| BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
| MC33074DR2G | onsemi |
| 型号 | 品牌 | 抢购 |
|---|---|---|
| TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
| BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
| ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
| STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
| BP3621 | ROHM Semiconductor |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码，即可关注
请输入下方图片中的验证码：