LU闩锁效应是什么?

发布时间:2025-05-16 13:40
作者:AMEYA360
来源:网络
阅读量:387

  LU是 Latch Up的简写,即闩锁效应,也叫可控硅效应,表征芯片被触发低阻抗通路后、电源VDD到GND之间能承受的最大电流。非车规芯片的规格书中通常都不会提供这个参数,而车规芯片的规格书中通常都会明确标注出来这个参数。这也是一个极为重要却极容易被电子工程师忽略的参数。

  闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应,是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的N-P-N-P结构而产生的,当其中一个三极管正偏时,就会构成正反馈形成闩锁。ESD 和相关的电压瞬变都可能会引起闩锁效应,是半导体器件失效的主要原因之一。一旦触发闩锁效应,即会产生一个低阻抗通路,如图1,当Q1或者Q2被异常触发导通后,会使芯片的VDD和GND之间产生大电流,如果芯片的VDD端流入的电流超过芯片Latch up能承受的电流极限,就可能会烧毁芯片。

LU闩锁效应是什么?

图1 CMOS寄生BJT示意图及等效电路

  芯片被触发进入Latch up状态后,只有重新上电才能脱离这个锁定状态。

  芯片研发工程师在设计层面会采用多种手段来防御闩锁的产生,但是难以根除。在应用层面,电子工程师就需要在应用电路层面做适当的防御措施:

  1)在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过规定电压。

  2)芯片的电源输入端加去耦电路,防止VDD端出现瞬间的高压。

  3)在VDD供电脚加限流电阻,保证触发Latch up后的通路极限电流小于芯片承受的能力,保护芯片不被损坏。

  4)当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:开启时,先开启CMOS芯片的电源,再开启输入信号和负载的电源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,再关闭CMOS芯片的电源。


(备注:文章来源于网络,信息仅供参考,不代表本网站观点,如有侵权请联系删除!)

在线留言询价

相关阅读
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
MC33074DR2G onsemi
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
型号 品牌 抢购
BP3621 ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年,现 有超过3500家优质供应商,收录600万种产品型号数据,100 多万种元器件库存可供选购,产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等,为广大客户提供一站式购 销服务。

请输入下方图片中的验证码:

验证码