上海贝岭荣获2025年度影响力汽车芯片奖！

Release time：2025-04-30
author：AMEYA360
source：上海贝岭
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　　第二十一届上海国际汽车工业展览会于2025年4月23日至5月2日在上海国家会展中心举办。作为全球汽车行业技术与市场的重要风向标，本届车展吸引了众多行业巨头展示前沿成果。

　　车展期间，中国汽车芯片产业创新战略联盟、中国电子报于2025年4月25日下午，在2025上海国际车展“中国芯”展区举行“2025中国汽车芯片产业创新成果”颁奖仪式，上海贝岭凭借发动机点火IGBT BLG3040产品荣获2025年度影响力汽车芯片，技术硬实力再获认证。该奖项面向已量产应用的国产汽车芯片产品设立，产品应具有一定的技术先进性和创新性、优异的市场表现和广泛的客户群体。

上海贝岭荣获2025年度影响力汽车芯片奖！


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上海贝岭直流充电桩解决方案
行业新闻

上海贝岭直流充电桩解决方案

　　01 概述V2G示意图　　随着电动汽车的普及，市场对高效率、快充基础设施的需求日益紧迫。新一代电动车续航与电池容量不断提升，亟需配套快速直流充电方案。　　V2G(车辆到电网)技术进一步拓展了充电设施的功能边界，可将电动汽车电池电能回馈至电网，在用电高峰时提供支持。为实现这一功能，充电桩需集成双向转换器，使电动车不仅能充电，还能参与电网调节，提升电网对间歇性可再生能源的接纳能力。　　02 充电桩电路拓扑充电桩电路拓扑图　　直流充电桩分为前级AC/DC电路和后级DC/DC电路。交流/直流级(也称为 PFC 级)是电动汽车充电站中的第一级功率转换。它将来自电网的输入交流电源 (380– 415VAC) 转换为大约 800V 的稳定直流链路电压。前级拓扑主要有Vienna PFC和T 型 NPC PFC。　　直流/直流级是电动汽车充电站中的第二级功率转换。它将 800V 的传入直流链路电压(对于三相系统)转换为较低的直流电压，以便为电动汽车的电池充电。后级电路拓扑主要有LLC电路和双有源桥。　　03 上海贝岭IGBT技术特点　　贝岭IGBT7 平台采用先进的沟槽场截止(T-FS)技术制成。充电桩应用开关频率较高，BLG80T65FDK7以较低的Vce(sat)和开关损耗，能降低充电器热量损耗提高效率。该器件在25℃和175℃下的trade-off曲线表现更优，体现出其在导通损耗与开关损耗之间的良好平衡，为高功率密度充电桩设计提供了理想的半导体解决方案。　　产品特点：　　① 高开关频率　　② 产品耐压高　　③ 低饱和压降VCE (sat)，VCE (sat)呈正温度系数，易于并联使用。　　④ 开关性能优化，低栅极电荷(Qg)，低开关损耗　　⑤ 漏电小　　⑥ HV-H3TRB加严可靠性验证，保证极端运行环境下使用寿命　　⑦ 符合175℃结温的工业级考核标准　　3.1 低开关损耗　　在充电桩应用中，开关频率在20KHz—50KHz左右，其开关频率越高，开关损耗占比越高。在25℃和175℃条件下，我司BLG80T65FDK7产品Eon、Eoff和总损耗Ets均优于竞品H5系列。低开关损耗可提高充电桩系统的整体效率，并减轻散热负担，提高可靠性。　　3.2 低饱和压降Vce(sat)　　在温度25℃下，我司BLG80T65FDK7的Vce(sat)比竞品H5系列小16%左右。在温度175℃下，我司BLG80T65FDK7的Vce(sat)比竞品H5系列小14%左右。饱和压降明显优于竞品，有利于降低导通损耗。Vce正温度系数有利于单管并联使用，有利于两个IGBT的电流和温度达到一个动态平衡状态，从而避免了“电流集中”到某一个器件上导致过热损坏。　　3.3 低漏电流Ices　　常温25℃条件下，我司BLG80T65FDK7的BV曲线和竞品一致;高温175℃条件下，我司BLG80T65FDK7的漏电远小于竞品。对于充电桩这类要求持续高负荷运行的设备而言，BLG80T65FDK7较小的漏电特性可提高系统能效和稳定性。　　04 上海贝岭SiC MOS技术特点　　BLC16N120是一款N沟道增强型平面SiC MOSFET，采用第二代平面栅技术，具有低导通电阻、低电容、低栅极电荷、高开关频率和低开关损耗等优越性能。随着我国新能源汽车的发展，高转化效率、高功率密度的SiC MOSFET器件成为未来发展的必然趋势。本产品通过其创新性结构设计，可推动充电桩高效一体化高质量发展。　　产品特点：　　① 高开关频率　　② 低导通损耗，低导通电阻　　③ RDS(ON)温升系数　　④ 低开关损耗　　⑤ 低Crss，可进一步提高系统效率　　⑥ 高Cgs设计，可抑制高速开关过程中的过冲现象　　⑦ HV-H3TRB加严可靠性验证，保证极端运行环境下使用寿命　　⑧ 符合175℃结温的工业级考核标准　　4.1 低RDS(ON)温升系数　　在温度25℃下，我司BLC16N120的Rdson与竞品C，R，I，Z相同。在温度175℃下，我司BLC16N120的Rdson 为22.4mΩ，比竞品C，R，I，Z低15%—45%左右。我司BLC16N120在175℃时Rdson为常温1.45倍，温升系数低，易于高功率密度并联使用，可降低充电桩系统温升。　　4.2 低HDFM　　，是一个用于评估功率开关器件综合损耗的重要因数。该指标用于衡量器件的导通损耗和开关损耗，其数值越小，通常意味着器件在实际应用中的整体效率越高。我司BLC16N120的HDFM与竞品I相当，远低于竞品C，R，Z。　　4.3 高抗串扰能力　　对于充电桩高效率功率变换器而言，器件的抗串扰能力是系统鲁棒性与可靠性的核心指标。栅源电容与栅漏电容的比值(Cgs/Cgd)是衡量器件抗串扰能力的一个重要参数。该比值越大，通常表征器件的抗串扰能力越强。在全桥的拓扑结构中，器件具有高抗串扰能力，抵御桥臂直通风险的能力较强。　　05 直流充电桩贝岭选型方案　　为全面支持不同功率等级的充电桩设计，上海贝岭提供了覆盖650V与1200V电压等级的系列化半导体解决方案。该方案包含功率器件与关键IC芯片，为充电桩系统提供从功率转换到控制管理的完整技术支撑。功率器件包括高效IGBT、SiC MOS以及用于辅助电源的Planar MOS，满足主功率单元对高效率、高可靠性的要求。
2025-11-19 17:53 reading：308
上海贝岭获评BLDC电机产业链“品质供应商”
行业新闻

上海贝岭获评BLDC电机产业链“品质供应商”

　　在近日落幕的“2025中国电机智造与创新应用暨电机产业链交流会(秋季)”上，上海贝岭凭借80～100V SGT系列产品在电机驱动与控制领域领先的技术实力、可靠的产品品质与完善的服务能力，成功斩获“产业链品质供应商”荣誉称号。　　这份荣誉，是行业对上海贝岭技术硬实力与市场口碑的双重认证，标志着公司在电机驱动领域的长期深耕与持续创新获得了产业链上下游的高度肯定。　　在大会同期举办的“伺服电机智能控制与机器人技术创新研讨会”上，上海贝岭工业市场经理康博先生发表了《功率“芯”生态：贝岭IGBT与驱动链的协同赋能之道》主题演讲，深度分享了上海贝岭通过技术协同创新，赋能伺服驱动、工业机器人等高端应用的具体实践，引发了现场嘉宾的广泛共鸣。　　80～100V SGT系列产品介绍　　获奖基石：80～100V SGT系列产品　　本次斩获“品质供应商”荣誉，与上海贝岭80～100V SGT系列产品的卓越市场表现密不可分。该系列产品以高性能、高可靠性、高一致性为核心，已成为电机驱动领域的明星产品线。　　1.核心技术，定义性能新标准　　上海贝岭80~100V系列SGT MOS基于GTA最新的中高压SGT工艺平台，采用双层EPI优化了电场分布，因此采用更高掺杂浓度的EPI也能保持BV不掉，从而显著降低了导通电阻;得益于精心调试的工艺，获得较高密度元胞的同时wafer可以减薄至100um(非taiko)，有效降低了衬底电阻。　　2.丰富布局，满足多元应用场景　　产品线覆盖 80V 与 100V 两个电压平台，提供多种封装选择(如:PDN5*6、TO220、 TO263-7等)，电流能力完备，可灵活适配电动工具、两轮车电机控制器、BMS、低压伺服、便携式移动储能等多种应用对功率和体积的严苛要求。　　3.品质实证，铸就客户信任　　卓越的品质离不开严格的制程管控。以BLP***N10型号为例，其在2024年生产交付数量超1.1亿颗，以海量交付验证了其稳定可靠的品质，成为众多客户的首选。　　感恩同行，再启新程　　此次获评“产业链品质供应商”，既是对过去的嘉奖，更是迈向未来的新起点。上海贝岭将始终秉持“以客户为中心”的理念，持续深化技术研发，完善产品生态，与合作伙伴携手共进，为推动中国电机与控制技术的创新发展注入更强劲的“芯”动力。
2025-11-07 15:46 reading：551
上海贝岭荣获“金辑奖2025最佳技术实践应用奖”
企业动态

上海贝岭荣获“金辑奖2025最佳技术实践应用奖”

　　2025年10月30日，由盖世汽车主办的第七届金辑奖颁奖盛典在上海圆满落幕。上海贝岭凭借车规级特高压MOSFET BLQ3N100E/BLQ3N120，荣获 “金辑奖2025最佳技术实践应用奖”，公司执行总监唐振宁先生出席并领奖。　　“金辑奖”旨在推动中国汽车产业的技术进步与生态升级，本届围绕“中国汽车新供应链百强”主题，重点关注车规级芯片等十大领域。其“最佳技术实践应用奖”专门授予那些已将前沿技术转化为稳定、量产产品的企业。上海贝岭的车规级特高压MOSFET产品，正是这一理念的杰出代表。　　产品型号：BLQ3N100E/BLQ3N120　　工艺类型节点：0.35μm MOS工艺　　封装信息：TO252/TO263　　车规认证等级：AEC-Q101　　应用领域：汽车BMS、车载辅助电源、预充电路、电子泄放开关等　　上车情况：国内多家主流主机厂、Tire1　　产品亮点：硅基N沟道增强型MOSFETs，耐压分别高达1000V/1200V，采用先进的MOSFET技术，可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。　　产品简介：本系列是N沟道增强型特高压平面MOSFET产品，凭借其先进的半导体工艺和结构优化，在降低导通损耗、提升开关速度及增强抗瞬态能力方面表现卓越。优化的雪崩耐受能力则保障了设备在复杂电压波动下的稳定运行，结合紧凑封装设计，为高密度、高可靠性的系统方案提供了理想选择。可适用于新能源汽车动力电池管理系统、车载辅助电源等场景。　　技术参数：BLQ3N120以1200V耐压、低至5Ω的典型导通电阻，结合27nC的栅极电荷优化，在高压场景中显著降低导通与开关损耗;　　BLQ3N100E则以1000V耐压、6.2Ω为基础，通过13.8nC的超低Qg和内置ESD保护结构，兼顾高频开关效率与抗静电能力。　　两者均通过100%雪崩能量测试及AEC-Q101车规认证，支持-55℃至150℃结温范围。　　以技术实践，推动产业前行　　此次获奖，不仅是行业对上海贝岭技术研发与产品落地能力的肯定，也是对我们在车规级功率半导体领域持续创新的鼓励。未来，上海贝岭将继续深耕汽车电子赛道，以更多“芯”力量，助力中国汽车新供应链的崛起与全球竞争力的提升。
2025-11-07 11:46 reading：491
上海贝岭安规级IGBT功率器件通过UL1557认证！
行业新闻

上海贝岭安规级IGBT功率器件通过UL1557认证！

　　近日，上海贝岭自主研发的安规级IGBT功率器件-BLG15T65FUA系列产品成功通过UL1557认证。这一突破标志着产品在安全性、可靠性表现上达到了先进水平，为进军高端安规级工业市场拿到了关键“通行证”，为电力电子设备的安全稳定运行注入强劲信心。　　详细介绍　　UL1557认证：功率半导体器件的"安全证书"　　UL1557认证是美国保险商实验室专门针对半导体器件安全制定的认证标准。该认证通过对产品的架构设计、材料选择、制造工艺等多个维度进行严格测试评估，确保产品在过流、过压、过热等极端条件下仍能保持安全可靠。　　BLG15T65FUA系列：性能与安全的完美融合　　本次通过认证的BLG15T65FUA系列绝缘栅双极晶体管，不仅满足UL1557认证的严格要求，更在性能参数上表现出色：：　　高耐压能力：650V耐压等级，适应严苛工作环境　　低导通损耗：优化器件结构，显著降低导通压降;　　快速开关特性：提升系统效率，减少开关损耗;　　宽安全工作区：确保在复杂工作条件下稳定可靠　　应用价值：为多个领域注入新动力　　BLG15T65FUA系列获得UL1557认证，将为以下应用领域带来更可靠的选择：　　新能源领域：光伏逆变器、风电变流器　　工业控制：电机驱动、变频器、UPS电源　　智能家电：变频空调、冰箱、洗衣机　　展望未来　　BLG15T65FUA系列通过UL1557认证，是上海贝岭在功率半导体领域的重要里程碑，更是持续追求卓越的新起点。未来，上海贝岭将继续践行用“芯”创造美好生活的使命，为客户提供更安全、更可靠、更高效的半导体解决方案。
2025-11-03 10:22 reading：510
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