龙腾半导体推出1200V 50A IGBT，赋能中低压工业与新能源应用
发布时间：2025-04-27 09:10
作者：AMEYA360
来源：龙腾半导体
阅读量：159
在功率器件快速发展的当下，如何实现更低的损耗、更强的可靠性与更宽的应用覆盖，成为行业关注焦点。龙腾半导体推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品，专为高频应用场景设计。依托先进工艺平台与系统化设计能力，为工业逆变、UPS、新能源等场景注入高效驱动力。
产品特点
1.先进工艺，性能优越
本款IGBT采用Field Stop Trench技术平台，结合优化的沟槽栅结构，有效降低导通损耗和开关损耗，兼具高速开关能力与宽安全工作区(SOA)，特别适用于高频工作环境下的系统应用，为客户带来更高的系统效率与运行可靠性。
2.优异的电性能指标
·集电极-发射极电压(Vce)：1200V
·额定电流(Ic)：50A
·最大功耗(Pd)：399W @ 25°C
·饱和压降Vce(sat)：典型值1.85V @ 25°C
·关断损耗Eoff：典型值 1.86mJ @ 25°C
3.完善的热/电特性曲线
从输出特性、开关损耗到结温限制，该器件在设计初期就充分考虑了客户实际应用工况的匹配需求，具备出色的热稳定性与抗冲击能力。
该款1200V IGBT特别适用于
1.UPS与数据中心电源
2.电焊机与感应加热设备
3.光伏与储能逆变器
4.电动车DC-AC/DC-DC变换
（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）
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