森国科发布13万转暴力风扇无刷电机方案

Release time：2025-03-27
author：AMEYA360
source：森国科
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　　近几年，户外运动市场也十分火热，随之引起户外装备市场蓬勃发展，低压暴力风扇以其轻便和功能强大的特点，成为户外活动的理想选择。

　　创新散热技术、提升性能极限，森国科推出了7.4V，13万转暴力风扇无刷电机驱动方案，可以满足市场上对高效便携制冷解决方案的追求。驱动方案集成度高、转速稳、噪音低，帮助减少再开发时间，进一步节约成本。1角硬币大小的板卡更有利于风扇外形的美观设计和小型化设计。

　　该款方案中，暴力风扇转速高达13万转，续航时间更持久，温升更低，同期相比市面上其他方案，森国科暴力风扇驱动方案采用SGK32G035这一颗高性能芯片，通过优化的起步算法，成功做到了100%的启动率，电机的运行噪音和冲击力做到最低，能为户外朋友们提供更优质的使用体验。

　　高性能、高集成度芯片

　　森国科自研的高性能MCU驱动芯片SGK32G035，使用的是 Cortex®­M0为内核，最高工作频率可达 60MHz，内置 32KB 高速存储器，多达 26 个 GPIO;内置三组集成的N&N 栅极驱动器，可以驱动N/N MOS。

森国科发布13万转暴力风扇无刷电机方案

　　芯片采用QFN32 封装，集成了一个 3.3V/5V 可选的 LDO，且具有限流能力，形成了稳定又安全的保护措施，包括过压保护、过温保护等;集成了 1 路 12 位的模数转换器 ADC、2 路模拟比较器 COMP、2 路运算放大器 OPAMP、1 个 32 位通用定时器、3 个16位基本定时器、1个16 位高级定时器;1 个 USART 接口可作为 UART或 SPI 通信。

　　便携式暴力风扇方案

　　功能参数

　　• 控制方式：无霍尔BLDC 控制

　　• 过流保护，过压保护，欠压保护，堵转保护

　　• 优化的起步控制算法

　　• 输入电压：5.5V~24V

　　• 连续工作电流：22A

　　• 电机：无霍尔传感器三相BLDC高速电机

　　暴力风扇板图暴力风扇

　　特点优势：

　　• 优化的起步算法，启动成功率 100%

　　• 电机噪音低，无金属异响，控制稳定

　　• 方波控制转速达 13 万转以上(一对极电机)

　　MCU:SGK32G035

　　启动时的，电压波形，强拖频率逐渐加快

　　全速运行的，频率2174Hz，转速2174×60=130440转


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赋能无刷直流电机驱动，森国科推出4颗40V预驱芯片
行业新闻

赋能无刷直流电机驱动，森国科推出4颗40V预驱芯片

　　森国科科技股份有限公司日前发布了40V预驱芯片系列产品，该系列推出了4个型号，适用于有感BLDC、无感BLDC，有感FOC、无感FOC 及永磁同步电机等控制系统，在家电、电动按摩仪、电动工具、低压风机水泵控制等产品的使用上较为常见。　　01、预驱芯片最高耐压可达40V，内置LDO　　芯片最高耐压超过40V，推荐工作电压范围7V～36V，可有效覆盖市场上最常见的12V、24V、36V 电机应用。　　芯片内置LDO，输出电压3.3V/5V可选，LDO的带载能力可达100mA，无论负载大小，LDO输出的电压稳定，效率高，随温度变化波动小，发热量低，有利于与MCU合封。在系统应用的时候，节省了一颗给MCU供电的LDO，同时还可以节省PCB布板的面积和贴片费用。　　02、集成度高，保护功能强大，四大保护机制　　G2301B、G2311B、G2302B、G2312B的芯片内部都内置了死区时间和直通保护逻辑、输入欠压保护、过流保护、过温保护。　　当G2301B和G2311B芯片温度达到160℃时触发过温保护，温度降至140℃时解除输出保护。　　G2302B、G2312B芯片则是在155℃时触发过温保护机制，温度降至135℃时解除输出保护。　　03、上下管驱动能力基本做到了一致　　森国科预驱芯片在驱动功率MOS时，G230X上下管驱动能力较为接近，上下管驱动电流都可达到200mA左右，有效解决了友商上下管电流不一致的情况。当上下管驱动电流不一致的时候，实际的驱动能力经常会被驱动电流小的上管或者下管限制住。　　04、抗静电能力优越　　HBM可达3KV，节省了外部静电保护电路，为电机驱动系统设计减小了PCB布板面积，降低了ESD、EMI的难度。　　05、G2301B可驱动3P+3N功率MOS　　G2301B内部集成了三个半桥，可驱动3P+3N功率MOS，每一路输出均可由MCU独立控制，芯片系统框图如下：　　06、G2302B内嵌电荷泵电路，缩减应用成本　　G2302B 内嵌电荷泵电路，缩减应用成本，芯片内部系统框图如下：　　G2302B采用的是3N+3N的驱动，多应用在大功率产品上。G2302B内嵌了ChargePump电荷泵电路，电荷泵由振荡电路、二极管和电容器组成。如下图所示芯片内置电荷泵的每个级对电容器中存储的电压进行升压，可以产生高于供电电压的驱动电压，从而驱动上桥臂NMOS开启。相比自举电路需要刷新自举电容，电荷泵电路对输入PWM的占空比没有限制。电荷泵电路内置之后，相比传统的外部自举电路，节省了3个二极管和3个电容，应用的时候只需2个0.1uF电容就可以实现三个半桥6N MOS稳定开关，使得布线更简洁，节省PCB布板面积，同时也提高了电磁兼容性，大幅缩减系统成本。　　07、G2301B和G2302B的典型应用电路　　G2301B典型应用电路：　　G2302B典型应用电路：　　森国科预驱芯片集高可靠、低功耗、高性能于一身，已陆续为落地扇、筋膜枪、电动工具等下游厂商提供定制化解决方案。G230X预驱系列产品，提供封装成品的同时，也提供晶圆(bare die)用于和MCU产品合封。
2025-05-12 14:32 reading：219
森国科推出第五代Thinned MPS® 碳化硅二极管KS10065(650V/10A)
行业新闻

森国科推出第五代Thinned MPS® 碳化硅二极管KS10065(650V/10A)

　　深圳市森国科科技股份有限公司发布了第五代Thinned MPS® 碳化硅二极管KS10065(650V/10A), 该系列产品提供多达八种封装，充分满足客户在OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个应用场景的需求。　　森国科KS10065系列产品拥有超低的VF值，可降低正向导通损耗;少子器件零反向恢复，在反向恢复过程中极大的减少了反向恢复损耗，同时又减少了EMI干扰，可大大提升整机效率，整体损耗的减少也带来更小的温升;卓越的IFSM值，在抗雷击/浪涌等产品可靠性上有极其出色的表现;灵活多样的封装形式，助力客户在不同场景中的高效应用。　　KS10065(650V/10A) 碳化硅二极管, 主要应用于5种PFC电路和IGBT续流二极管，以下是典型应用电路：　　无桥PFC: D1,D2，使用SiC二极管和SiC MOS替代了传统的整流二极管，可明显提高效率。　　单向PFC: D5，电路简单，成本低，初级无电解电容。　　交错并联PFC: D5, D6，可以减小输入电流纹波和输出电容纹波电流的有效值，并提升电路的功率等级。　　维也纳(VIENNA)PFC ：具有谐波含量低、功率因数高、动态性能良好的特性。　　IGBT续流二极管：降低开关损耗，增大开关频率。　　森国科深耕宽禁带半导体领域多年，目前已与国内外TOP级工艺厂商(X-FAB\积塔等)达成友好合作，秉承着“做最合适的功率器件”的理念，致力于打造性能优越、尺寸体积可控的功率器件全系列产品，助力来自OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个领域的客户实现高耐压、耐高温、耐高频、低功耗、低成本的应用需求，持续赋能低碳发展。　　名词释义　　TMPS：是Thinned Merged PIN Schotty Diode 的缩写， 中文翻译为：减薄的混合型PN结势垒肖特基二极管，森国科将该系列产品注册商标为：Thinned MPS®　　PFC：英文全称为“PowerFactorCorrecTIon”，意思是“功率因数校正”，功率因数指的是有效功率与总耗电量(视在功率)之间的关系，也就是有效功率除以总耗电量(视在功率)的比值。基本上功率因数可以衡量电力被有效利用的程度，当功率因数值越大，代表其电力利用率越高。　　维也纳整流桥：Vienna 整流桥是脉冲宽度调变的整流器，可以接收三相交流电源，也是功率因数修正电路，是Johann W. Kolar在1990年发明。
2025-05-12 14:27 reading：206
森国科推出大功率IGBT分立器件
行业新闻

森国科推出大功率IGBT分立器件

　　日前，森国科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高和功率双极型晶体管(BJT)低饱和压降、大电流运输能力及低损耗的优点。IGBT多被工程师们用来进行功率变换，以提高整体的用电效率和质量，因而在电力系统的传输、变换、配送、机车牵引、工业节能及智能电路控制系统等中高压领域中较为常见，IGBT的出现也给产业解决能源短缺、降低碳排放的等问题提供了关键支撑技术之一。　　森国科KG050Z12P1M1、KG075Z12P1M1 ，采用精细沟槽栅场截止型IGBT芯片结构，结构如下图示，在12寸硅晶圆生产制造。在实际场景应用中，它相当于电路开关，具有稳定控制电压，耐压性强等热点，多在直流电压为500伏或以上的变流系统中使用。　　森国科IGBT采用软穿通FS层的设计，可有效提升开关速度，降低开关损耗;　　森国科采用精细沟槽栅元胞结构提升电流密度使的IGBT具有低导通压降，更小的导通损耗;　　森国科优化了终端结构设计和材料匹配，提升了器件的长期可靠性;　　森国科优化了芯片设计，使器件具备优秀的短路能力。　　森国科IGBT新品采用行业标准化的封装形式，便于器件在不间断电源、储能、光伏逆变器等多个领域的应用。具体应用可参考：　　1.IGBT在不间断电源(UPS)中的应用　　2.IGBT在光伏逆变器中的应用　　3.IGBT在变频器中的应用　　4.IGBT在储能中的应用　　5.IGBT在电焊机中的应用　　森国科深耕集成电路领域多年，目前已与国内外多家著名的FAB厂达成紧密的合作关系。秉承着“做最合适的功率器件”的理念，致力于打造性能优越、尺寸体积可控的功率器件全系列产品，助力来自OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个领域的客户实现高耐压、耐高温、耐高频、低功耗、低成本的应用需求，持续赋能低碳发展。
2025-05-07 09:12 reading：216
森国科推出广泛用于
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森国科推出广泛用于"光、风、储、充、荷"的1200V碳化硅二极管系列产品

　　深圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS®1200V碳化硅二级管，涵盖了10A、15A、20A、30A、40A、50A系列等数十款型号，相比Si器件，碳化硅肖特基二极管具有导通电阻低，开关损耗小的特点，完美满足中高压系统的需求，成为了光伏逆变器、风能逆变器、储能双向逆变器、充电桩模块、大功率工业电源、车载充电机等领域客户的不二选择，碳化硅功率器件的使用对于能源领域朝着轻量化、节能低碳化的转型升级也具有重要的意义。　　碳化硅作为第三代宽禁带半导体的代表性材料之一，与传统Si基材料相比，其电子饱和漂移速率是硅的2倍，更加适合在高频电路中使用;热导率相当于Si的3倍，因而散热效果更佳，可靠性更高;SiC材料的临界击穿场强能力高达硅的10倍之多，可使器件更加耐高压;禁带宽度上来说，SiC材料是Si材料的3倍，使其具备了低漏电的优异性能。　　此外，经过多轮测试与验证，森国科1200V碳化硅二级管拥有强大的抗浪涌冲击能力、抗雪崩能力，强健性和鲁棒性。较高的热性能降低了对冷却系统的需求，同时由于反向恢复时间短，可降低电磁干扰的问题。在"风、光、储、充、荷"等领域常用的电路可参考：　　交错并联PFC: D5, D6：可以减小输入电流纹波和输出电容纹波电流的有效值，并提升电路的功率等级。　　维也纳(VIENNA)PFC：具有谐波含量低、功率因数高、动态性能良好的特性。　　IGBT续流二极管：降低开关损耗，增大开关频率。　　森国科深耕集成电路领域多年，目前已与国内外多家著名的FAB厂达成紧密的合作关系。秉承着“做最合适的功率器件”的理念，致力于打造性能优越、尺寸体积可控的功率器件全系列产品，助力来自新能源汽车、充电桩、光伏逆变器、OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个领域的客户实现高耐压、耐高温、耐高频、低功耗、低成本的应用需求，持续赋能低碳发展。
2025-05-07 09:09 reading：229
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