江西萨瑞微电子荣获2025年第一批次“数智工厂”企业称号

发布时间：2025-03-20 14:15
作者：AMEYA360
来源：江西萨瑞微
阅读量：585

　　江西省工业和信息化厅正式公布2025年第一批次“数智工厂”企业名单，江西萨瑞微电子技术有限公司凭借在半导体集成电路领域的数字化创新与智能制造实力，成功入选。

江西萨瑞微电子荣获2025年第一批次“数智工厂”企业称号

　　“数智工厂”是数字化转型与智能制造的重要标志，代表着企业在生产、管理、服务等各个环节实现了数据驱动和智能化升级。

　　作为一家专注于微电子技术的企业，萨瑞微电子始终致力于创新和技术研发，推动行业的数字化发展。

　　本次获奖，标志着我们在智能制造领域迈出了坚实的一步。


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　　今天我们来深入了解江西萨瑞微电子的爆款产品——S8050H三极管。　　一、什么是S8050H?　　S8050H是一款NPN型硅双极型晶体管(BJT)，属于小信号晶体管类别。它是江西萨瑞微电子精心打造的高性能三极管，广泛应用于各类电子电路中。　　结构特点*S8050H 三极管结构图　　S8050H 是一款NPN 外延硅晶体管，具有低电压和高电流能力，是推挽放大和通用开关应用的亮点。　　S8050H三极管包含三层，其中一个 P 掺杂半导体层封装在另外两个 N 掺杂层之间。P掺杂层代表基极端，而其他两层分别代表发射极和集电极。　　S8050H三极管具有两个 PN 结：正向偏置的发射极-基极结和反向偏置的集电极-基极结。　　需要注意的是，S8050H 三极管必须在正向偏置模式下运行才能获得更好的性能。如果晶体管没有正向偏置，则无论在基极端子上施加多少电压，都不会有集电极电流。　　当在基极端施加电压时，放大是一种简单的方式，晶体管吸收小电流，然后用于控制其他端子的大电流。　　二、S8050H三极管参数　　S8050H三极管主要包含三个端子，即发射极、基极和集电极，用于与电子电路的外部连接，三个端子在掺杂浓度方面是不同的。　　其中发射极是高度掺杂的，基极是轻掺杂的，而集电极是中掺杂的。前者控制电子数量，后者从基极收集电子数量。一个端子的小电流用于控制其它端子的大电流。　　三、S8050H 的CAD 模型　　S8050H三极管的封装尺寸图　　四、S8050H 三极管特点　　低电压、大电流 NPN 晶体管　　小信号晶体管　　最大功率：0.3 W　　最大直流电流增益 (hFE) 为 400　　连续集电极电流 (IC) 为 800mA　　基极-发射极电压(VBE) 为 5V　　集电极-发射极电压 (VCE) 为 20V　　集电极-基极电压 (VCB) 为 30V　　高 用于推挽配置 B 类放大器　　SOT-23 封装　　五、S8050H工作原理讲解　　在 S8050H NPN 晶体管中，当基极接地时，发射极和集电极等两个端子都将反向偏置，当向基极引脚提供信号时，它们将关闭(正向偏置)。　　S8050H 三极管的最大增益值为 300，此值将决定放大能力，如果放大率很高，则将其用于放大。　　但是，集电极电流的增益值将是 110，并且整个集电极端子的最大电流供应是 800mA，因此我们无法通过该晶体管通过 800mA 以上的电流来控制不同的负载。一旦向必须限制在 5mA 的基极引脚提供电流供应，晶体管就可以被偏置。　　一旦该晶体管完全偏置，则它允许高达 800mA 的电流通过发射极和集电极端子提供，因此该阶段称为饱和区。VCE 或 VCB 上使用的典型电压相应为 20V 和 30V。　　一旦在晶体管的基极端移除电流源，它将被关闭，因此这个阶段称为截止区域。　　在S8050H NPN 晶体管中，电子是主要的电荷载流子，与空穴是主要电荷载流子的 PNP 晶体管不同　　基极相对于发射极更正，集电极上的电压也必须比基极更正。　　两个电流增益因素：共发射极电流增益和共基极电流增益对决定晶体管的特性起着至关重要的作用。　　共发射极电流增益是集电极电流和基极电流之间的比率，这称为贝塔，用 β表示，通常在 20 到 1000 之间，但标准值取为 200。　　同样，共基极电流增益是集电极电流和发射极电流之间的比率，它被称为阿尔法，用α表示，其值主要在0.95到0.99之间，但大多数时候它的值被取为1。　　六、S8050H 可以用什么型号替换?　　1、S8050H 替代品　　MMBT4401、MMBT2222A、SS8050、MMBT5551、M8050　　2、S8050H对管型号　　S8550H、SS8550　　注意：替换时请仔细比对参数，确保符合电路要求。　　七、S8050H三极管如何工作的?　　1、S8050H 三极管构成推挽放大器(B类放大器)　　推挽放大器是一种多级放大器，常用于扬声器内的音频放大，该电路的设计非常简单，需要两个相等的互补晶体管才能工作。　　互补意味着我们需要一个 NPN 晶体管及其等效的 PNP 晶体管。像这里的 NPN 晶体管将是S8050H ，其等效的 PNP 晶体管将是S8550H。使用 S8050H 的 B 类放大器的简单电路图如下所示。　　2、S8050H 三极管作为开关　　当 S8050H 三极管用作开关时，它工作在饱和区和截止区。　　当我们向晶体管的基极提供电流时，它为集电极电流从基极流向发射极开辟了一条路径。在正向偏置期间，晶体管将充当打开开关，在反向偏置期间，它将充当闭合开关。　　3、S8050H 三极管作为放大器　　当处于活动区域时，S8050H 三极管作为放大器工作。S8050H 三极管具有放大功率、电压和电流的能力。　　最流行和最常用的配置是共发射极类型， 输入总是施加在放大晶体管电路的正向偏置结上，类似地，可以通过晶体管的反向偏置结收集输出。　　江西萨瑞微的S8050H三极管，以其卓越性能和多样化应用，成为电子工程师的得力助手。无论您是在设计放大器、开关电路还是LED驱动，S8050H都将是您的理想之选。
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　　江西萨瑞微独家研发一种LDMOS场效应管及其制备方法。　　本发明涉及半导体器件设计领域，具体涉及一种LDMOS场效应管及其制备方法。　　在当前半导体行业竞争日趋激烈的背景下，LDMOS场效应管因其在高压应用中的优越性能而受到广泛关注。本文将深入剖析一种LDMOS场效应管及其制备方法，旨在为半导体领域的专业人士和爱好者提供前沿的技术动态和实践指导。　　01 背景技术　　LDMOS场效应管，即横向扩散金属氧化物半导体器件。随着对击穿电压要求的提高，对LDMOS场效应管中场板要求也高。　　现有的LDMOS场效应管，由于结构限制，场氧化层与浅氧化层的交界位置氧含量较低，导致生长速度慢，即降低了LDMOS器件的耐压水平。　　目前，对该击穿点的优化通常是将场氧化层与浅氧化层共同形成的场板面积增大，提升场效应管的整体耐压水平，此举直接影响是场效应管的面积对应增加。这种改进，并未从根本上优化该击穿点。　　02 发明内容　　针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种LDMOS场效应管及其制备方法，方法步骤包括：　　1、提供半导体衬底，对半导体衬底进行刻蚀以得到若干个沟槽区。　　2、在沟槽区内形成介质层，使介质层覆盖于沟槽区的底面与侧壁。　　3、对沟槽区内的介质层进行离子注入。注入成分包括碳离子与氢离子。　　4、对离子改性层刻蚀，随着深度增加，该离子改性层的厚度递增，且顶部齐平于半导体衬底的表面。　　5、采用热氧化工艺，按照第一热氧化条件，在沟槽区内的离子改性层之上形成浅氧化层，使浅氧化层的顶面低于介质层的顶面。　　6、采用热氧化工艺，按照第二热氧化条件，在半导体衬底与浅氧化层之上沉积场氧化层，使场氧化层于沟槽区内的底面低于介质层的顶面，形成LDMOS场效应管的场板。　　7、其中，第一热氧化条件与第二热氧化条件均包括温度条件、氧含量条件与氧流速条件。　　有益效果　　实现对LDMOS纵向耗尽的调节，进而提升LDMOS场效应管的BV水平。浅氧化层与场氧化层交界的附近位置并非尖角，能够有效的优化浅氧化层与场氧化层之间的薄弱击穿点，不再需要将场板加大，也就不需要被动的增加芯片面积，提升了LDMOS场效应管的耐压水平。　　实验结果分析　　在本发明中，通过降低介质层的倾斜角度，在其它参数不变的情况下，LDMOS场效应管的BV值具有一定的提升，而在介质层的倾斜角度相同、第一氧流速与第二氧流速更大的情况下，LDMOS场效应管的BV值更大;相反的，对比例中由于场氧化层与介质层无接触，即使在制备参数不变的情况下，其BV值也略有下降。　　03 结论　　综上，在本发明所示的LDMOS场效应管的制备过程中，通过降低介质层的倾斜角度，以及提升浅氧化层、场氧化层制备过程中的温度与氧流速，能够有效提升LDMOS场效应管的器件耐压。
2025-08-01 14:01 阅读量：310
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　　平面栅VDMOS 详细介绍　　平面栅VDMOS(Vertical Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor)是一种特殊类型的MOSFET，主要用于功率电子应用。它结合了平面栅(Planar Gate)和垂直扩散技术，以提高功率处理能力和开关效率。　　结构特点　　垂直结构：　　与传统平面MOSFET不同，VDMOS的主要特点是其垂直结构，即电流沿垂直方向流动。这种设计使得器件能处理更高的功率。　　双重扩散(Double-Diffused)：　　VDMOS的源极和漏极区域通过双重扩散工艺形成。这种工艺允许在较低的电压下获得较高的电流承载能力。　　平面栅(Planar Gate)：　　栅极结构与传统的平面MOSFET类似，使用一层氧化物隔离栅极与半导体之间的直接接触。平面栅设计有助于控制沟道的导电性。　　沟道(Channel)：　　栅极施加电压时，会在源极和漏极之间的半导体材料表面形成一个沟道，这个沟道是垂直于平面栅的。　　工作原理　　开关特性：　　当栅极电压高于阈值电压时，VDMOS形成导电沟道，允许电流从源极流向漏极。垂直结构使其在高电压下仍能保持高开关效率。　　功率处理：　　由于其垂直结构，VDMOS能够承受较高的电压和电流，适用于高功率应用，如电源管理和电动汽车驱动系统。　　萨瑞产品优势　　产品概述及特点　　Product Overview and Features　　萨瑞微提供500V-800V 平面栅VDMOS 。产品采用业界优良的平面技术、独特的器件设计，并结合萨瑞自有封装优势，雪崩耐量高， EMI兼容性好， 抗冲击能力强。　　产品应用领域　　应用于开关电源、照明、充电器、适配器、 DC-DC、吹风机等。　　产品选型　　应用拓扑图及应用案例　　吹风机　　充电器/适配器
2025-07-21 16:19 阅读量：363
江西萨瑞微：USB PD快充与Type-C接口静电防护，确保手机安全充电的关键技术
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　　随着智能手机的普及和快充技术的发展,USB Power Delivery (PD)快充和USB Type-C接口已成为现代移动设备的标配。然而,这些先进技术在带来便利的同时,也为设备的静电防护带来了新的挑战。今天,让我们深入探讨USB PD快充和Type-C接口的静电防护问题,以及如何通过精心设计来确保手机的安全充电。　　USB PD快充技术　　USB PD是一种先进的快速充电协议,能够在USB连接上提供高达100W的功率。它通过动态协商电压和电流,实现了更快、更高效的充电。　　在日常使用USB PD快充充电器时，需要频繁地热插拔。如果其内部防护措施不到位的话，不仅会导致浪涌电流通过电源线进入内部电路损坏主控芯片，而且还容易引发输出瞬间大电流，影响充电稳定和安全，甚至导致受充设备损坏。不仅如此，USB PD快充充电器和快充移动电源产品在使用中，很容易与人体或其他带静电物体产生接触，而多数产品外壳的壳料与USB端口、呼吸灯、按键的连接处并不是无缝设计，外部静电很容易通过接缝进入主板中，导致产品损坏。　　USB Type-C接口的 ESD 防护　　大多数时候，我们都带着手机、智能手表、无线耳机等，这些设备都只能通过 USB 端口充电。使用电脑时，我们经常会使用USB 移动闪存驱动器(简称 U 盘)来传输文件。在车里给手机充电时，我们会使用标准的USB 端口。USB 在我们的日常生活中无处不在，参与我们的每一次数字体验的一部分。　　Type-C接口凭借其可逆插拔和多功能性成为新一代USB标准,但其密集的引脚排列和双向性也增加了静电防护的难度。　　USB PD快充与Type-C接口静电防护方案　　01.USB PD 快充　　想要生产出一款稳定安全的USB PD快充产品，其EOS防护/ESD静电保护措施必不可少。从物料成本、研发周期、生产流程等方面考虑，越来越多的厂商选择在USB PD快充接口内置浪涌和静电保护器件。那么，USB PD快充接口浪涌静电保护选用什么型号的TVS二极管呢?　　从萨瑞微电子USB PD快充接口浪涌静电保护方案图一，电源供电口萨瑞微电子选用SES2431P4、SEU0501P1做防护，具体根据充电电压大小来选择。工作电压为5V、24V，具有低钳位、低漏电流的特点，适合大浪涌保护;DFN2020-3L、DFN1006-2L封装，减小USB PD接口安装空间;符合IEC 61000-4-2(静电)±30kV(空气)和±30kV(接触)标准。　　在D+/D-数据接口和快充协议检测CC1/2接口静电防护中，萨瑞微电子推荐选用ESD二极管SEU0501P1，工作电压5V、峰值脉冲电流3A、DFN1006-2L封装;结电容低至0.5pF，保证高速数据信号的传输;符合IEC 61000-4-2(静电)±15kV(空气)和 ±10kV(接触)标准。　　02.Type-C接口　　保护 USB 接口不受静电放电 (ESD) 的影响十分重要。我们每天会数次在电子产品上插拔USB 数据线，在触碰或使用 USB 端口时，便可能遇到静电放电，这种情况十分常见。这些ESD 事件既可以由用户(人体)产生，也可以由数据线上存储的电荷产生。静电峰值电压可以达到数万伏，很容易损坏USB 收发器敏感的 CMOS 结构。因此，ESD防护对每个 USB 引脚都有着重要且必要的意义。　　作为最新款连接器之一的USB Type-C，在物理尺寸以及与主机和外围设备的连接方式方面，都明显不同于以前的版本。USB Type-C采用可正反插设计，总共24 个引脚，上下各 12 个引脚，支持朝上或朝下插入。　　SBU 和CC 引脚保护：由于USB Type-C 插头尺寸很小且引脚之间相隔很近，分立式单线瞬态电压抑制(TVS) 二极管非常适合保护端口免受 ESD 事件的影响。此外，分立式TVS 二极管对于电路设计师而言，可以更方便地布局和布线。参考图 引脚配置，我们可以看到 CC 引脚和SBU 引脚紧挨着 VBUS 引脚。VBUS引脚最高可达 24V，所以如果发生短路，CC引脚和 SBU 引脚则会暴露在24V 的电压下。在这种情况下，TVS 二极管的最低击穿电压不低于24V 才能保护 CC 和SBU 引脚。根据 IEC 61000-4-5的要求，萨瑞微电子的SES2431P4能够承受500V浪涌电压!IEC 61000-4-2的要求，在±24kV(空气放电)和±17kV(接触放电)之间的高 ESD，并且能够保持电路正常工作!　　D+/D- 线路保护：D+/D-线路适用于 USB 2.0 接口，可以使用萨瑞微电子SEU0501P1、SEU0521P1S的进行保护。SEU0501P1属于 5V ESD，有着0.5pF 的最大结电容，采用的是DFN1006-2L超小型封装尺寸。　　推荐使用萨瑞微ESD\TVS系列　　以上是萨瑞微电子USB PD快充与Type-C接口静电防护方案，如有特殊需求，欢迎前来探讨。　　结论　　在追求更快充电速度和更高数据传输率的同时,我们不能忽视静电防护这一关键环节。通过精心的设计和选择合适的保护器件,我们可以在享受先进技术带来便利的同时,确保设备的可靠性和长期使用寿命。
2025-07-18 13:13 阅读量：514
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