英飞凌推出新一代高功率密度功率模块，赋能AI数据中心垂直供电

Release time：2025-03-17
author：AMEYA360
source：英飞凌
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　　英飞凌宣布推出新一代高密度功率模块，该模块将在实现AI和高性能计算方面发挥关键作用。全新OptiMOS™ TDM2454xx四相功率模块通过提升系统性能并结合英飞凌一贯的稳健性，为AI数据中心运营商实现业界领先的功率密度，降低总体拥有成本(TCO)。

英飞凌推出新一代高功率密度功率模块，赋能AI数据中心垂直供电

　　OptiMOS™ TDM2454xx四相功率模块实现了真正的垂直供电(VPD)，并提供行业领先的2安培/平方毫米电流密度。此模块延续了英飞凌去年推出的OptiMOS™ TDM2254xD和TDM2354xD双相功率模块，继续为加速计算平台提供卓越的功率密度。在传统水平供电系统中，电流流经电路板至ASIC之间，会因电流流经PCB而造成传导损耗，随着ASIC电源需求增加，电流的提升在此有明确的功率损耗。而垂直供电通过缩短电流传输路径，减少电阻损耗，从而提升系统效率。

　　根据国际能源署(IEA)数据，数据中心目前占全球能耗的2%。在AI发展的推动下，数据中心的电力需求预计将在2023至2030年间增长165%。持续提升从电网到主板核心的电源转换效率与功率密度是进一步提高计算性能并降低TCO的关键。

　　Rakesh Renganathan英飞凌科技功率IC产品线副总裁表示：“我们很高兴推出OptiMOS™ TDM2454xx VPD模块，来扩展英飞凌的高性能AI数据中心解决方案。我们采用三维的设计方式，并且利用业界领先的功率器件、封装技术，以及我们深厚的系统底蕴，提供高性能的节能型计算解决方案，进一步实现我们推动数字化和低碳化的企业使命。”

　　通过采用英飞凌强大的OptiMOS™ 6沟槽式技术功率组件和嵌入式芯片封装，OptiMOS™ TDM2454xx模块可以提供优异的电气和散热性能，同时运用创新的超薄电感设计技术，不断提高VPD系统性能和质量的极限。此外，OptiMOS™ TDM2454xx的结构设计有利于模块化拼接，且能改善电流传导，进而提升电气、散热和机械性能。该模块在四相电源中最高支持280A电流，并在仅10x9 mm²的小型封装内整合了嵌入式电容层，结合英飞凌的XDP™控制器，可实现稳定耐用的高电流密度功率解决方案。

　　OptiMOS™ TDM2454xx模块进一步巩固了英飞凌在市场中的特殊地位。凭借基于所有相关半导体材料的广泛产品和技术组合，英飞凌能够以更节能的方式为不同的AI服务器配置提供从电网到核心的动力。


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英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块
行业新闻

英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块

　　英飞凌EconoDUAL™ 3 1200V/1.4mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET半桥模块，增强型1代M1H芯片、集成NTC温度传感器和PressFIT引脚，还可提供预涂导热材料TIM版本(FF1MR12MM1HP_B11)或基板背面的Wave波浪结构，用于直接液体冷却(FF1MR12MM1HW_B11)。目标应用为储能系统，通用电机驱动器，不间断电源(UPS)，电动汽车充电等。　　产品型号　　■ FF1MR12MM1H_B11　　PressFIT引脚　　■ FF1MR12MM1HP_B11　　PressFIT引脚，预涂TIM导热材料　　■ FF1MR12MM1HW_B11　　Wave直接水冷　　产品特点　　开关损耗低　　卓越的栅极氧化物可靠性　　更高的栅极阈值电压　　更高的功率输出　　坚固耐用的集成体二极管　　高宇宙射线稳健性　　高速开关模块　　Tvj(op)=175°C过载　　PressFIT引脚　　螺母功率端子　　集成NTC温度传感器　　隔离基板　　应用价值　　开关频率高　　减少体积和尺寸　　降低系统成本　　热效率高　　竞争优势　　高开关频率(>7kHz)　　针对高速电机进行了优化　　应用领域　　商用车辆、工程车辆和农用车辆(CAV)　　储能系统　　通用电机驱动器-变频和变压　　暖通空调　　电机控制　　不间断电源(UPS)　　电动汽车充电
2025-06-16 11:55 reading：276
英飞凌：用于CoolSiC™ MOSFET FF6MR20W2M1H_B70的双脉冲测试评估板
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英飞凌：用于CoolSiC™ MOSFET FF6MR20W2M1H_B70的双脉冲测试评估板

　　英飞凌评估板是用于评估采用1ED3890MC12M栅极驱动器的FF6MR20W2M1H_B70 CoolSiC™ SiC MOSFET模块。用户可以通过双脉冲测试来评估器件性能。目标应用为电动汽车充电，ESS PFC，直流-直流变换器和太阳能等。　　这是一个用于测试半桥配置的2kV CoolSiC™ EasyDUAL™ 2B MOSFET的双脉冲测试评估板。它可以可靠、快速的使用1ED3890MC12M EiceDRIVER™驱动2kV SiC半桥电路。　　产品型号：　　■ EVAL-FFXMR20W2M1HS　　■ EVAL-FFXMR20W2M1HR　　所用器件：　　■ FF6MR20W2M1H_B70 6mΩ 2kV M1H SiC MOSFET　　■ 1ED3890MC12M 2300V单通道高度灵活的隔离栅极驱动器，可通过I2C配置DESAT、软关断、UVLO、米勒钳位、TLTO和故障　　产品特点　　用于评估Easy 2B FF6MR20W2M1H_70 2千伏SiC MOSFET半桥模块，采用CoolSiC™沟槽栅SiC MOSFET技术　　驱动IC 1ED3890MC12M带I2C总线，用于参数调整　　用于双脉冲测试的大容量直流母线电容器　　有两种版本，可选择使用Rogowski线圈或同轴分流器进行电流测量　　应用价值　　132 µF板载大容量薄膜电容　　压接式FF6MR20W2M1H模块　　负栅极驱动电压可以调整　　框图　　应用领域　　电动汽车充电　　ESS PFC　　直流-直流变换器　　太阳能应用
2025-06-16 11:51 reading：267
英飞凌：EasyDUAL™ 1B和2B，1200V共发射极IGBT模块
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英飞凌：EasyDUAL™ 1B和2B，1200V共发射极IGBT模块

　　英飞凌EasyDUAL™ 1B，2B 1200V共发射极模块采用成熟的TRENCHSTOP™ IGBT T7和Emcon 7芯片技术，电流等级涵盖75A、100A、150A、200A至300A。模块采用PressFIT针脚技术和NTC。　　EasyDUAL™ 1B和2B共发射极产品系列非常适合矩阵变换器的电机驱动应用。　　产品型号：　　■ FF75R12W1T7E_B11　　■ FF100R12W1T7E_B11　　■ FF150R12W2T7E_B11　　■ FF200R12W2T7E_B11　　■ FF300R12W2T7E_B11　　产品特点：　　高度为12毫米的Easy系列模块　　杂散电感极低　　采用IGBT T7技术过载能力高达175°C　　PressFIT针脚　　应用价值：　　易于设计　　提高功率密度　　最佳性价比，降低系统成本　　产品优势：　　采用成熟的Easy封装和基于TRENCHSTOP™ IGBT T7技术的共射极结构，尤其适用于矩阵变换器应用。　　该产品组合为驱动应用提供了最佳性价比解决方案。　　应用领域：　　矩阵变换器
2025-05-19 10:48 reading：443
英飞凌：储能用1200V 500A NPC2 三电平IGBT EasyPACK™ 3B模块
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英飞凌：储能用1200V 500A NPC2 三电平IGBT EasyPACK™ 3B模块

　　英飞凌1200V 500A NPC2三电平模块，采用EasyPACK™ 3B封装和最新开发的1200V TRENCHSTOP™ IGBT H7和Emcon 7芯片技术。该模块采用大电流PressFIT压接式引脚，配备NTC温度传感器，并针对储能应用进行了优化，非常适用于1000 VDC 100kW功率变换系统。　　产品型号：　　■ F3L500R12W3H7_H20　　产品特点：　　高度为12mm的Easy系列模块　　杂散电感极低　　过载时允许最高工作结温175°C　　低Vce,sat饱和压降　　耐湿性　　大电流引脚　　应用价值　　易于设计　　提高功率密度　　最佳性价比，降低系统成本　　竞争优势：　　降低系统成本　　易于设计的产品　　逆变器和Boost升压电路设计自由度高　　最高功率密度　　应用领域：　　储能
2025-05-19 09:50 reading：447
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