上海贝岭150V SGT新品发布

Release time：2025-01-03
author：AMEYA360
source：上海贝岭
reading：526

　　概述

　　上海贝岭推出150V SGT MOSFET系列产品。贝岭150V SGT系列产品采用业界先进工艺，使得器件具有良好的栅极漏电流IGSS性能;采用深沟槽、多层外延衬底以及多重浮空环终端结构，使得器件具有极低的导通电阻和较高的漏源间击穿电压Vdss;采用屏蔽栅极结构，器件获得优良的开关性能，使得150V SGT系列产品具有极低的开关损耗。

　　上海贝岭150V SGT MOSFET系列产品可广泛应用于：

　　通信和数据中心服务器电源

　　叉车和轻型电动车电机驱动器

　　光伏储能以及电池管理系统 (BMS)

　　不间断电源 (UPS)

　　二

　　器件优势

　　超低导通电阻Rds(on)

　　贝岭可提供国内业界极低导通电阻的150V SGT MOSFET系列产品。例如，BLP038N15的导通电阻典型值仅为2.9mΩ，相比于市场主流厂商同类低导通电阻产品，导通电阻降幅高达23%，可有效地降低功率器件在导通期间的损耗，显著提升系统整机效率。贝岭产品具有优良的Rds(on) 一致性，适合大功率并联场景。

上海贝岭150V SGT新品发布

　　低FOM 值

　　性能品质因数Figure of Merit (FOM= Rds(on)×Qg，Rds(on) 为器件导通电阻，Qg为器件栅极总电荷)，简称FOM值，是评估MOSFET综合性能的一个重要指标。较低的导通电阻代表SGT MOSFET在导通状态下具有更低的损耗和更高的效率。较低的栅极总电荷代表SGT MOSFET可以更快地在导通和截止之间切换，从而减少功耗和提高性能。上海贝岭BLP038N15在保证超低的导通电阻优势下，极力控制器件栅极总电荷，使得该器件FOM值相较国内厂商同电压等级产品具有显著优势。

上海贝岭150V SGT新品发布

　　器件封装

　　为了满足客户在不同应用场景下的使用需求，上海贝岭150V SGT产品在封装选择上，可以提供TO-220，TO-247为代表的插件安装形式。与此同时，还提供以TOLL和TO-263-7代表的贴片安装形式。对于高功率密度、电流密度设计，贝岭推荐使用TOLL封装的150V SGT 产品。TOLL封装的典型占位面积为9.8mm * 11.73 mm与TO-263封装相比，PCB面积可节省30%。TOLL封装的外形高度仅为2.3 mm，占用的体积较TO-263减少60%，实现节省用户PCB空间，使客户产品更具成本优势。

上海贝岭150V SGT新品发布

　　优良的抗电流冲击能力

　　贝岭150V SGT产品具有高雪崩能力、低热阻的特点，在电机应用中可以满足电机短路大电流关断的需求。

　　三、BLP038N15应用表现

　　贝岭针对大功率电机控制应用，基于贝岭150V SGT产品, 设计20kW电机控制器验证平台，最高可支持96V电池应用，控制器实物如图4左所示。贝岭电机控制器验证平台采用叠层设计，上层为控制级，下层为功率级。功率级布局如图4右所示，采用TO-263-7封装，单相5管并联。

上海贝岭150V SGT新品发布

　　四、贝岭功率器件选型方案

　　上海贝岭功率器件150V产品线，欢迎垂询!具体型号参考表1。对于多管并联应用场景，可提供需求栅极阈值电压Vth档位筛选服务。

上海贝岭150V SGT新品发布

　　表1 功率器件选型列表

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上海贝岭车规功率器件亮相新能源汽车展，助力行业降本增效斩获“智链奖”
企业动态

上海贝岭车规功率器件亮相新能源汽车展，助力行业降本增效斩获“智链奖”

　　2月21日，中国国际新能源汽车技术、零部件及服务展览会在首都国际会展中心(北京新国展二期)盛大开幕!本次展会为期4天：2月21日-2月24日，20000㎡展览面积、20000+专业观众，580+参展展商、4970+展品。　　21号下午，上海贝岭应用技术部市场经理张飞作为本次活动的受邀嘉宾，发表了以“车规功率器件助力新能源汽车降本增效”为主题的演讲。　　前瞻发表：车规功率器件助力新能源车降本增效　　22号上午，车企强链商机接洽会-芯片闭门研讨会召开。为了共同应对国际环境及“卡脖子”问题，探讨 L2/L3++的应用需求下，车企在不断国产替代芯片的解决方案。应用技术部市场经理张飞参与了本次闭门会议，与比亚迪、理想、赛力斯等6家国内主流车企，紫光、国芯、爱芯元智、裕太微等 10 家头部芯片企业共同探讨未来新机遇。会上，上海贝岭还主张，通过开发多功能、高集成化的SBC、PMIC等物料，除了减小系统体积、降低成本外，更能提高Tire1在功能安全方面的设计效率。　　上海贝岭凭借在新能源汽车应用领域的布局荣获组委会颁发的新能源汽车“智链奖”　　在本次展会，上海贝岭隆重推出“重点产品”，可助力新能源汽车降本增效：
2025-03-05 09:19 reading：321
上海贝岭荣获上海证券报2024年“金质量”科技创新奖
企业动态

上海贝岭荣获上海证券报2024年“金质量”科技创新奖

日前，由新华社上海证券报主办的“上证·滴水湖上市公司高质量发展大会”暨“上证·金质量”颁奖仪式在上海圆满落幕。本次大会以“资本赋能 向新提质”为主题，聚焦上市公司在创新领域与资本和产业的融合发展。上海贝岭凭借在集成电路研发设计领域的卓越科技创新表现，荣获2024年“上证·金质量”科技创新奖。上海贝岭始终坚持以创新引领发展，以精品铸就卓越的理念，为客户提供更高质量、更有竞争力的产品与解决方案。这一殊荣是对上海贝岭在科技创新成果和行业影响力方面的高度认可。企业是科技创新的主体，展望未来，上海贝岭将坚持高质量发展，以科技创新为引领，塑造发展新动能，在为我国集成电路产业发展添砖加瓦的征程上，以更加坚定的信心走向未来！
2025-01-15 14:34 reading：614
上海贝岭：广泛应用于大家电、工业设备等多种领域的低噪声运算放大器系列
行业新闻

上海贝岭：广泛应用于大家电、工业设备等多种领域的低噪声运算放大器系列

　　低噪声运算放大器是运放放大器系列中应用比较广泛的一个系列。相比于通用运放，此系列的运放它的独特之处在于它的噪声很小，这使得它非常适合应用在需要高精度、低噪声信号放大的场合。在本文中，我们将深入探讨低噪声运算放大器的关键指标特点、优势和应用场景。　　1、低噪声　　应用场景1：　　在大部分高精度放大的应用中，都需要外部增加一款运放进行电流采样放大，而在电路应用系统中一般输入信号幅值比较小，这样就要求运放自身的噪声要远低于输入信号的幅值(降低信噪比)，BL370x/371x具有极低的等效输入噪声1.2uV如下图1(测试电路采用低通滤波放大100000倍)所示。　　图1 低频输入噪声测试图　　2、低失调电压VOS　　应用场景2：　　针对在一些小信号放大的应用时(见图2)，如运放自身的失调电压VOS太大，会影响电路的静态输出，导致信号动态输出范围缩小。　　图2 小信号放大器应用图　　在不考虑运放自身的VOS的情况下如Vin输入10mV的信号放大100倍理论上输出电压Vout应该是1000mV，如果运放的自身失调电压VOS过大比如5mV的话这样输出只有500mV，低于实际输出电压导致后级电路工作异常。因此需要选择更低VOS的运放。BL370x/371X系列运放的VOS低至±0.6mV，可以满足大部分应用。　　3、输入轨到轨　　应用场景3：　　在许多单电源供电的应用要求输入共模电压范围扩展到一个电源轨(通常为地)。低边电流检测应用就是这样的例子(如图3)。　　图3 低边检测应用原理图　　在单电源供电的应用中，通常没有足够多的电源给芯片提供+VS/2的共模电压(运放理想工作状态)。一般共模工作电压通常为地，这样就要求芯片能够工作比较宽的输入共模电压范围，BL370x/371x可以支持-0.1～+VS+0.1的宽共模输入电压范围。　　4、超强的驱动能力　　应用场景4：　　在部分应用领域的负载有可能是比较大的容性负载，如果运放自身的驱动能力不够，这样就要额外增加一级驱动放大电路，BL370x/371x具有高达100mA(Typ)超强的电流驱动能力，无需增加驱动放大电路。全温度范围驱动能力如下图4。　　图4 全温度范围驱动能力测试结果　　5、宽工作温度范围　　应用场景5：　　在大部分工业应领域对芯片的工作温度范围要求极高。BL370x/371x系列在-40～125℃的工作温度范围内的关键电性能指标(IQ、Vos、Isink、Isoure、VOH、VOL)随温度变化很小，满足工业应用需求。　　6、多种封装形式　　BL370x/371x系列提供一系列市场上主流封装形式可供客户选择，如下图5所示。　　上海贝岭推出的低噪声运放系列支持输入、输出轨到轨，宽工作电压范围：2.1V-5.5V，具有低至0.25mV(典型值)的失调电压以及6.5nV/ @1kHz的噪声谱密度,这些优异的特性使得BL370x/371x系列运放成为低噪声系统设计的理想选择(表1低噪声运放系列选型表)，可以支持工业级温度范围(-40℃至+125℃)，适应于更苛刻的工作环境。　　主要应用领域:　　电机控制　　大家电　　储能电源　　激光测距仪　　工业自动化
2024-12-20 17:16 reading：797
上海贝岭推出第二代高精度、低功耗、低噪声基准电压源
行业新闻

上海贝岭推出第二代高精度、低功耗、低噪声基准电压源

　　高精度基准电压源系列　　BLR2XX系列是上海贝岭推出的第二代高精度基准电压源，包含：BLR212 / BLR220 / BLR225 / BLR230 / BLR233 / BLR240 / BLR250 多种型号，目前已经稳定量产。器件均为高精度、低功耗、低噪声基准电压源，最大初始误差为±0.02%，并具有出色的温度稳定性和低输出噪声。　　相比上海贝岭第一代基准电压源BLR1XX系列，BLR2XX系列初始精度从0.05%提升至0.02%;温漂系数从5PPM提升至3PPM，性能优化明显。　　BLR2XX系列兼容SOIC8，SOP8，MSOP8封装，可提供较宽的输入电压范围，所有器件的额定温度范围均为-40℃至+125℃扩展工业温度范围;同时还具有低压差、低功耗、低噪声的特性，广泛应用于工业、医疗、能源、仪器仪表等领域。　　应用场景　　精密数据采集系统　　高分辨率数据转换器　　高精度测量器件　　工业仪器仪表　　医疗设备　　汽车电池监控　　系统框图　　SOIC8引脚配置　　MSOP8引脚配置　　备注　　1. NIC=NOT INTERNALLY CONNECTION.　　2. DNC=DO NOT CONNECT.　　1、高精度　　BLR2XX系列基准电压源使用上海贝岭公司专利核心结构来实现高精度，能够轻易满足系统0.02%的精度需求。　　2、低温漂　　BLR2XX系列基准电压源的低温漂特性，提高了温度变化系统下的精度，在全温范围内温漂仅为3ppm/℃。可以满足客户ADC/DAC等各种应用下的外部基准需求。　　3、低噪声　　在高精度应用场景，噪声是影响系统性能的一个重要参数。对一个16位系统，BLR225的噪声性能为14.5uVp-p，对测量引入的噪声小于1 LSB。　　应用方案双极性输出基准电压源　　双极性基准电压配置　　通过将BLR250的输出连接至运算放大器的反相端，可以同时获得正基准电压和负基准电压。R1和R2必须尽可能严格匹配，以确保负输出与正输出之间的差异最小。　　应用方案提高基准源电流输出能力　　升压输出电流基准源　　图示是一种能够从BLR2XX系列基准电压源获得高电流驱动能力而不牺牲精度的配置。运算放大器调节流经金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的电流，直到VOUT等于基准电压源的输出电压;然后，电流直接从VIN获得，而不是从基准电压源本身获得，从而提高电流驱动能力。　　该电路的电流源能力仅取决于MOSFET的电流额定值，因此只需根据应用选择适当的MOSFET，就能调整输出驱动能力。所有情况下都应将VOUT引脚直接连到负载器件，以保持最高输出电压精度。
2024-12-11 15:12 reading：636
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