芯进电子:双重保护隔离栅极驱动器通过UL1577认证

Release time:2024-12-26
author:AMEYA360
source:芯进电子
reading:1071

  近日,芯进电子多系列隔离驱动产品顺利通过UL1577:2023各项测试,包括结构检查、隔离耐压测试、重载测试、热老化测试等,获得UL1577认证证书 (File No.E539511, Certificate Number: UL-US-2442758-0),VISO=8000Vrms,AC BV超过20KVrms,surge测试峰值超过20KVpk,隔离耐压业绩领先。

  该系列产品型号为CCi8335SVB-LMN, CCi8335SVB-LMN-Q1, CCi8338SVB-LMN, CCi8338SVB-LMN-Q1,是芯进电子推出的适用于电机驱动、太阳能逆变器、UPS、隔离 IGBT、功率 MOSFET 栅极驱动等多场景的超高性能隔离驱动器。

芯进电子:双重保护隔离栅极驱动器通过UL1577认证

  此次,芯进电子双重保护隔离驱动IC凭借卓越的产品力获得了国际标准的认可,彰显了芯进电子过硬的技术能力及迈向国际化的实力与决心,也是国产替代化进程中当之无愧的实力派。未来,芯进电子将在UL认证的加持下,持续为国内外客户提供高品质、高可靠性、更安全的产品及解决方案,推动行业的发展与进步。

  产品介绍

  CCi8335是一款兼容光耦的单通道隔离式栅极驱动器,具有6A峰值拉电流和8A峰值灌电流。33V的高电源电压范围可有效驱动IGBT、MOSFET和SiC,具有60ns传播延迟和25ns最大脉宽失真。输入侧通过一个8000VRMS增强型隔离层与输出驱动器隔离,两侧之间的共模瞬态抑制(CMTI)典型值为150V/ns。

芯进电子:双重保护隔离栅极驱动器通过UL1577认证

  ▲CCi8335产品封装图

  应用场景

  电机驱动器

  太阳能逆变器

  UPS 和电池充电器

  隔离 IGBT、功率 MOSFET 栅极驱动

芯进电子:双重保护隔离栅极驱动器通过UL1577认证

  ▲ CCi8335典型应用图

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芯进电子:霍尔传感器在光伏行业中的应用
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2024-12-25 09:59 reading:950
芯进电子 | 超宽体,超高耐压,光耦兼容,单通道隔离驱动CCi8335系列芯片
  针对1.5kV光伏逆变器应用系统,芯进电子专门研发并推出了超高耐压的光耦兼容单通道隔离驱动CCi8335系列芯片。为了适应1.5kV及以上的系统工作电压需要,CCi8335在耐压方面进行了全方位优化,采用了体宽为15mm的超宽体SOP8WW封装,同时采用了公司最新一代专利的超高耐压隔离膜技术,AC, BV, SURGE峰值都超过了24KV,VISO=8KVrms;VIOWM至少可达到2000Vrms和2828Vpk, 动态CMTI>150V/ns; 隔离耐压达到了国际领先水平。可以pin2pin替换ACNT-H3X3等隔离驱动芯片。  产品优势与主要特性  1、实现光兼容单通道隔离式栅极驱动器  2、超高耐压 & 高可靠性专利隔离膜技术,远超增强型隔离标准  VIOWM ≥ 2000VRMS  隔离等级高达 8000VRMS  浪涌能力高达 24kVPK  3、共模瞬态抑制:典型值大于±150V/ns  4、输出驱动侧 VCC的最大工作电压 33V  5、UVLO 四档可选(A-5V, B-8V, C-10V, D-12V)  6、具有 6A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流  7、60ns 典型传播延迟  8、25ns 最大脉宽失真  9、输入级具有 24V 反向电压处理,反向击穿电压 26V  10、多项国家发明专利,超高耐压&可靠性的隔离膜和封装技术。  应用场景  太阳能逆变器、储能  变频器、直流充电桩  UPS 和电池充电器  隔离 IGBT、功率 MOSFET 栅极驱动  ▲ 典型应用图  实测数据  CCi8335系列芯片因超高压耐压需求而生,实测数据显示: AC BV和SURGE峰值都超过了24KV, VISO=8KVrms; VIOWM至少可达到2000Vrms和2828Vpk,动态CMTI>150V/ns, 达到了目前国际领先的隔离耐压水平。  1、超高耐压、超强可靠性高可靠性,远超增强型隔离标准,国际领先  VIOWM ≥ 2000VRMS  隔离等级高达 8000VRMS;  浪涌能力高达 24kV;AC BV ≥ 24kV  在整个隔离栅具有±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护  2、优秀的CMTI性能和抗干扰能力  动态CMTI超过150V/ns;
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