ROHM面向支持自动驾驶的高速车载通信系统, 开发出支持“CAN FD”的TVS二极管“ESDCANxx系列”

Release time:2024-12-24
author:AMEYA360
source:ROHM
reading:571

  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向随着自动驾驶和高级驾驶辅助系统(ADAS)的发展而需求不断增长的高速车载通信系统,开发出支持CAN FD(CAN with Flexible Data rate)*1总线端口保护的双向TVS(ESD保护)二极管*2ESDCANxx系列”。CAN FD是车载ECU(电子控制单元)之间实时且安全的数据收发所必需的通信技术。新产品可在不使CAN FD等高速通信中的传输信号劣化的前提下,保护ECU等电子设备免受浪涌和静电放电(ESD)的影响,从而实现高品质的车载通信。

ROHM面向支持自动驾驶的高速车载通信系统, 开发出支持“CAN FD”的TVS二极管“ESDCANxx系列”

  “ESDCANxx系列”有SOT-23(2.9mm×2.4mm)和DFN1010(1.0mm×1.0mm)两种封装,分别支持24V和27V的截止电压(VRWM)。SOT-23封装有支持24V的“ESDCAN24HPY”、“ESDCAN24HXY”和支持27V的“ESDCAN27HPY”、“ESDCAN27HXY”共4款,DFN1010封装有支持24V的“ESDCAN24YPA”、“ESDCAN24YXA”和支持27V的“ESDCAN27YPA”、“ESDCAN27YXA”共4款,两种封装合计8款新产品。

  随着自动驾驶技术和ADAS技术的快速发展,对速度更快、可靠性更高的车载通信系统的需求也随之增加。特别是自动驾驶领域,需要快速、准确地处理从摄像头、LiDAR和雷达等的传感器获取的大量信息,因此以往车载通信所用的CAN逐渐被能够更高速、更大容量地传输数据的CAN FD取代。另一方面,要想提高车载通信的速度,就必须实现在严苛环境下的稳定通信,因此对引脚间电容低、抗浪涌和钳位电压等特性优异的保护器件的需求日益高涨。因此,车载通信用TVS二极管市场预计未来将会进一步增长。为了满足这些市场需求,ROHM开发出同时实现了低引脚间电容和出色抗浪涌能力的新产品“ESDCANxx”。

  新产品通过优化元件结构,将引脚间电容*3降至最大3.5pF,可防止高速通信时的信号劣化。另外还实现了出色的抗浪涌特性,大大提高了车载环境中电子设备的保护性能。例如,DFN1010封装的支持27V的新产品,与支持CAN FD的同等普通产品相比,抗浪涌能力*4提高了约3.2倍,钳位电压*5也降低了约16%。这可以有效地保护车载ECU等昂贵且对浪涌敏感的电子设备,即使在严苛的车载环境中也能提供高可靠性。

  新产品已于2024年11月开始以月产50万个的规模逐步投入量产。前道工序在ROHM Apollo CO., LTD.(日本福冈县)进行,后道工序在ROHM Korea Corporation(韩国)等工厂进行。另外,新产品已经开始通过电商平台进行销售,通过Ameya360等电商平台均可购买(样品价格100日元/个,不含税)。

  未来,ROHM将继续开发支持车载通信系统高速化的产品,为自动驾驶和车载通信环境的发展、并为实现更安全、更先进的出行社会贡献力量。

ROHM面向支持自动驾驶的高速车载通信系统, 开发出支持“CAN FD”的TVS二极管“ESDCANxx系列”

  <产品阵容>

ROHM面向支持自动驾驶的高速车载通信系统, 开发出支持“CAN FD”的TVS二极管“ESDCANxx系列”

      <应用示例>

       ・自动驾驶和高级驾驶辅助系统(ADAS)

  ・汽车电动动力总成系统

  ・车载信息娱乐系统等

  <电商销售信息>

       开始销售时间:2024年12月起

  电商平台:Ameya360

  新产品在其他电商平台也将逐步发售。

  产品型号:

SOT23封装:ESDCAN24HPYESDCAN24HXYESDCAN27HPYESDCAN27HXY
      DFN1010封装:ESDCAN24YPAESDCAN24YXAESDCAN27YPAESDCAN27YXA

  <术语解说>

      *1)CAN FD(CAN with Flexible Data rate)

  CAN(Controller Area Network)协议的升级版,与传统的CAN相比,数据传输速度更快,数据容量更大。在自动驾驶和ADAS等系统中,多个车载电子控制单元(ECU) 之间的实时通信需要CAN FD协议。

  *2)TVS二极管(Transient Voltage Suppressor Diode)

  一种可保护电路免受过电压、浪涌和静电放电 (ESD:Electrostatic Discharge)影响的半导体器件。TVS二极管通过吸收突发的电压和电流尖峰(浪涌),来防止电路损坏和误动作。在车载环境中,防止异常的电气波动非常重要。

  *3) 引脚间电容(Capacitance Between Terminals)

  电子元器件中产生的不必要的电容分量。如果引脚间电容较大,高速通信时信号就会劣化,因此在车载通信应用中降低引脚间电容非常重要。

  *4) 抗浪涌能力(Surge Current Rating)

  TVS二极管能够承受的最大浪涌电流值。抗浪涌能力越高,对车载环境中异常电气波动的防护能力就越强。

  *5) 钳位电压(Clamping Voltage)

  TVS二极管抑制浪涌等引起的过电压时电路内维持的电压。该电压越低,越可以有效地保护电路和设备,从而提高车载设备的可靠性。

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ROHM发布新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)”   功率半导体的仿真速度实现质的飞跃
  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)”,该模型提升了收敛性和仿真速度。  功率半导体的损耗对系统整体效率有重大影响,因此在设计阶段的仿真验证中,模型的精度至关重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1(L1)”,通过提高每种特性的复现性,满足了高精度仿真的需求。然而另一方面,该模型存在仿真收敛性问题和运算时间较长等问题,亟待改进。  新模型“ROHM Level 3(L3)”通过采用简化的模型公式,能够在保持计算稳定性和开关波形精度的同时,将仿真时间较以往L1模型缩短约50%。由此,能够高精度且快速地执行电路整体的瞬态分析,从而有助于提升应用设计阶段的器件评估与损耗确认的效率。  “ROHM Level 3(L3)”的第4代SiC MOSFET模型(共37款机型)已于2025年4月在官网上发布,用户可通过产品页面等渠道下载。新模型L3推出后,以往模型仍将继续提供。另外,ROHM还发布了详细的使用说明白皮书,以帮助用户顺利导入新模型。用户可从第4代SiC MOSFET相应产品页面的“设计模型”中下载  <相关信息>  - 白皮书  - 设计模型支持页面  - SiC MOSFET技术文档  未来,ROHM将继续通过提升仿真技术,助力实现更高性能以及更高效率的应用设计,为电力转换技术的革新贡献力量。
2025-06-10 15:57 reading:331
ROHM开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET
  ~兼具更宽SOA范围和更低导通电阻,被全球知名云平台企业认证为推荐器件~  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)于6月3日宣布,开发出100V耐压的功率MOSFET*1“RY7P250BM”,是AI服务器的48V电源热插拔电路*2以及需要电池保护的工业设备电源等应用的理想之选。  RY7P250BM为8×8mm尺寸的MOSFET,预计该尺寸产品未来需求将不断增长,可以轻松替代现有产品。另外, 新产品同时实现了更宽SOA范围*3( 条件:VDS=48V、Pw= 1ms/10ms) 和更低导通电阻(RDS(on))*4,由此既可确保热插拔(电源启动)工作时的更高产品可靠性,又能优化电源效率,降低功耗并减少发热量。  为了兼顾服务器的稳定运行和节能,热插拔电路必须具有较宽的SOA范围,以承受大电流负载。特别是AI服务器的热插拔电路,与传统服务器相比需要更宽的SOA范围。RY7P250BM的SOA在脉宽10ms时可达16A、1ms时也可达50A,实现业界超优性能,能够应对以往MOSFET难以支持的高负载应用。  RY7P250BM是具有业界超宽SOA范围的MOSFET,并且实现了更低导通电阻,从而大幅降低了通电时的功率损耗和发热量。具有宽SOA范围的普通8×8mm尺寸100V耐压MOSFET的导通电阻绝大多数约为2.28mΩ ,而RY7P250BM 的导通电阻则降低了约18% —— 仅有1.86mΩ ( 条件: VGS=10V 、ID=50A 、 Tj=25℃)。这种低导通电阻有助于提升服务器电源的效率、减轻冷却负荷并降低电力成本。  与此同时,RY7P250BM还被全球知名云平台企业认证为推荐器件,预计未来将在AI服务器领域得到更广泛的应用。在注重可靠性与节能的服务器领域中,RY7P250BM更宽SOA范围与更低导通电阻的平衡在云应用中得到了高度好评。  新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产(样品价格800日元/个,不含税)。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.(日本滋贺工厂),后道工序的生产基地为OSAT(泰国)。另外,新产品已经开始通过电商进行销售,通过电商平台均可购买。  未来,ROHM将继续扩大适用于服务器和工业设备48V电源的产品阵容,通过提供效率高且可靠性高的解决方案,为建设可持续ICT基础设施和节能贡献力量。  <开发背景>  随着AI技术的飞速发展,数据中心的负载急剧增加,服务器功耗也逐年攀升。特别是随着配备生成式AI和高性能GPU的服务器日益普及,如何兼顾进一步提升电力效率和支持大电流这两个相互冲突的需求,一直是个难题。在此背景下,相较传统12V电源系统具有更高转换效率的48V电源系统正在加速扩大应用。另外, 在服务器运行状态下实现模块更换的热插拔电路中, 需要兼具更宽SOA范围和更低导通电阻的 MOSFET,以防止浪涌电流*5和过载时造成损坏。新产品“RY7P250BM”在8×8mm尺寸中同时具备业界超宽SOA范围和超低导通电阻,有助于降低数据中心的功率损耗、减轻冷却负荷,从而提升服务器的可靠性并实现节能。  <产品主要特性>  <应用示例>  ・AI(人工智能)服务器和数据中心的48V系统电源热插拔电路  ・工业设备48V系统电源(叉车、电动工具、机器人、风扇电机等)  ・AGV(自动导引车)等电池驱动的工业设备  ・UPS、应急电源系统(电池备份单元)  <电商销售信息>  发售时间:2025年5月起  新产品在其他电商平台也将逐步发售。  产品型号:RY7P250BM  <关于EcoMOS™品牌>  EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌,非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。 EcoMOS™产品阵容丰富,已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求,通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。  ・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。  <术语解说>  *1)功率MOSFET  适用于功率转换和开关应用的一种MOSFET。目前,通过给栅极施加相对于源极的正电压而导通的Nch MOSFET是主流产品,相比Pch MOSFET,具有导通电阻小、效率高的特点。因其可实现低损耗和高速开关而被广泛用于电源电路、电机驱动电路和逆变器等应用。  *2)热插拔电路  可在设备电源运转状态下实现元器件插入或拆卸的、支持热插拔功能的整个电路。由MOSFET、保护元件和接插件等组成,负责抑制元器件插入时产生的浪涌电流并提供过流保护,从而确保系统和所连接元器件的安全工作。  *3)SOA(Safe Operating Area)范围  元器件不损坏且可安全工作的电压和电流范围。超出该安全工作区工作可能会导致热失控或损坏,特别是在会发生浪涌电流和过电流的应用中,需要考虑SOA范围。  *4)导通电阻(RDS(on))  MOSFET工作(导通)时漏极与源极间的电阻值。该值越小,工作时的损耗(功率损耗)越少。  *5)浪涌电流(Inrush Current)  在电子设备接通电源时,瞬间流过的超过额定电流值的大电流。因其会给电源电路中的元器件造成负荷,所以通过控制浪涌电流,可防止设备损坏并提高系统稳定性。
2025-06-04 09:42 reading:334
ROHM首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动器IC开始量产
  5月27日,全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布,推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通过与本产品组合使用,可使GaN器件在高频、高速开关过程中实现更稳定的驱动,有助于电机和服务器电源等大电流应用进一步缩减体积并提高效率。  新产品是ROHM首款面向高耐压GaN HEMT的隔离型栅极驱动器IC。在电压反复急剧升降的开关工作中,使用本产品可将器件与控制电路隔离,从而确保信号的安全传输。  新产品通过采用ROHM自主开发的片上隔离技术,有效降低寄生电容,实现高达2MHz的高频驱动。通过充分发挥GaN器件的高速开关特性,不仅有助于应用产品更加节能和实现更高性能,还可通过助力外围元器件的小型化来削减安装面积。  另外,隔离型栅极驱动器IC的抗扰度指标——共模瞬态抗扰度(CMTI)*¹达到150V/ns(纳秒),是以往产品的1.5倍,可有效防止GaN HEMT开关时令人困扰的高转换速率引发的误动作,从而有助于系统实现稳定的控制。最小脉冲宽度较以往产品缩减33%,导通时间缩短至仅65ns。因此,虽然频率更高却仍可确保最小占空比,从而可将损耗控制在更低程度。  GaN器件的栅极驱动电压范围为4.5V~6.0V,绝缘耐压为2500Vrms,新产品可充分激发出各种高耐压 GaN器件(包括ROHM EcoGaN™系列产品阵容中新增的650V耐压GaN HEMT“GNP2070TD-Z”)的性能潜力。输出端的消耗电流仅0.5mA(最大值),达到业界超低功耗水平,另外还可有效降低待机功耗。  新产品已于2025年3月开始量产(样品价格:600日元/个,不含税)。另外,新产品也已开始网售,通过电商平台均可购买。  EcoGaN™是ROHM Co.,Ltd.的商标或注册商标。  <开发背景>  在全球能源消耗逐年攀升的背景下,节能对策已成为世界各国共同面临的课题。尤其值得注意的是,据调查“电机”和“电源”消耗的电量约占全球总用电量的97%。改善“电机”和“电源”效率的关键在于采用碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等新材料制造的、负责功率控制和转换的新一代功率器件。  ROHM充分发挥其在硅半导体和SiC隔离型栅极驱动器IC开发过程中积累的技术优势,成功开发出第一波产品——专为GaN器件驱动而优化的隔离型栅极驱动器IC。未来,ROHM将配套提供GaN器件驱动用的栅极驱动器IC与GaN器件,为应用产品的设计提供更多便利。  <应用示例>  ◇ 工业设备:光伏逆变器、ESS(储能系统)、通信基站、服务器、工业电机等的电源  ◇ 消费电子:白色家电、AC适配器(USB充电器)、电脑、电视、冰箱、空调  <术语解说>  *1) 共模瞬态抗扰度(CMTI)  隔离型栅极驱动器的主要参数之一,指产品对短时间内发生的电压急剧变化的耐受能力。特别是驱动GaN HEMT等转换速率较高的器件时,容易产生急剧的电压变化,通过采用CMTI性能优异的栅极驱动器,可有效防止器件损坏,并降低电路的短路风险。
2025-05-28 09:04 reading:334
ROHM推出实现业界超低导通电阻的小型MOSFET,助力快速充电应用
  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出30V耐压共源Nch MOSFET*1新产品“AW2K21”,其封装尺寸仅为2.0mm×2.0mm,导通电阻*2低至2.0mΩ(Typ.),达到业界先进水平。  新产品采用ROHM自有结构,不仅提高器件集成度,还降低单位芯片面积的导通电阻。另外,通过在一个器件中内置双MOSFET的结构设计,仅需1枚新产品即可满足双向供电电路所需的双向保护等应用需求。  新产品中的ROHM自有结构能够将通常垂直沟槽MOS结构中位于背面的漏极引脚置于器件表面,并采用了WLCSP*3封装。WLCSP能够增加器件内部芯片面积的比例,从而降低新产品的单位面积导通电阻。导通电阻的降低不仅减少了功率损耗,还有助于支持大电流,使新产品能够以超小体积支持大功率快速充电。例如,对小型设备的双向供电电路进行比较后发现,使用普通产品需要2枚3.3mm×3.3mm的产品,而使用新产品仅需1枚2.0mm×2.0mm的产品即可,器件面积可减少约81%,导通电阻可降低约33%。即使与通常被认为导通电阻较低的同等尺寸GaN HEMT*4相比,新产品的导通电阻也降低了约50%。因此,这款兼具低导通电阻和超小体积的“AW2K21”产品有助于降低应用产品的功耗并节省空间。  另外,新产品还可作为负载开关应用中的单向保护MOSFET使用,在这种情况下也实现了业界超低导通电阻。  新产品已于2025年4月开始暂以月产50万个的规模投入量产(样品价格500日元/个,不含税)。新产品在电商平台将逐步销售。  ROHM还在开发更小体积的1.2mm×1.2mm产品。未来,ROHM将继续致力于提供更加节省空间并进一步提升效率的产品,助力应用产品的小型化和节能化发展,为实现可持续发展社会贡献力量。  <开发背景>  近年来,为缩短充电时间,智能手机等配备大容量电池的小型设备中,配备快速充电功能的产品日益增多。这类设备需要具备双向保护功能以防止在非供电状态时电流反向流入外围IC等器件。此外,为了在快速充电时支持大电流,智能手机等制造商对MOSFET有严格的规格要求,如最大电流为20A、击穿电压*5为28V至30V、导通电阻为5mΩ以下等。然而,普通MOSFET产品若要满足这些要求,就需要使用2枚导通电阻较低的大体积MOSFET,而这会导致安装面积增加。为了解决这个问题,ROHM开发出采用超小型封装并具备低导通电阻的MOSFET“AW2K21”,非常适用于大功率快速充电应用。  <产品主要特性>  <应用示例>      ・智能手机・VR(Virtual Reality)眼镜・小型打印机      ・平板电脑・可穿戴设备・液晶显示器      ・笔记本电脑・掌上游戏机・无人机  此外,新产品还适用于其他配备快速充电功能的小型设备等众多应用。  <电商销售信息>  发售时间:2025年4月起  新产品在电商平台将逐步发售。  产品型号:AW2K21  <术语解说>  *1)MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的缩写)  一种采用金属-氧化物-半导体结构的场效应晶体管,是FET中最常用的类型。  通常由“栅极”、“漏极”和“源极”三个引脚组成。其工作原理是通过向控制用的栅极施加电压,增加漏极流向源极的电流。  Nch MOSFET是一种通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。  共源结构的MOSFET内置两个MOSFET器件,它们共享源极引脚。  *2)导通电阻  MOSFET工作(导通)时漏极与源极间的电阻值。数值越小,工作时的损耗(功率损耗)越小。  *3)WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package)  在晶圆状态下完成引脚成型和布线,随后切割成芯片的超小型封装。与将晶圆切割成芯片后通过树脂模塑形成引脚等的普通封装形式不同,这种封装可以做到与内部的半导体芯片相同大小,因此可以缩减封装的尺寸。  *4)GaN HEMT  GaN(氮化镓)是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料,与普通的半导体材料Si(硅)相比,其物性更优异,开关速度更快,支持高频率工作。  HEMT是High Electron Mobility Transistor(高电子迁移率晶体管)的英文首字母缩写。  *5)击穿电压  MOSFET漏极和源极之间可施加的最大电压。如果超过该电压,会发生绝缘击穿,导致器件无法正常工作。
2025-05-16 10:52 reading:491
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