维安 SiCMOS：高压化与大电流化趋势下的前沿探索

发布时间：2024-11-19 16:18
作者：AMEYA360
来源：维安
阅读量：749

　　在半导体领域的核心前沿阵地，碳化硅(SiC)技术凭借其卓越非凡的性能表现与巨大的发展潜力，已然成为推动整个行业阔步向前的关键驱动力。SiC是第三代半导体产业发展的重要基础材料，其具有耐高压、耐高频与耐高温等多方面的优势。

　　维安拥有行业前沿的SiC创新技术，目前SiCMOS产品电压涵盖650V~1700V，电阻涵盖10mΩ~720mΩ，并且有TO-247、TO-247-4L(ISO)、TOLL、TO-263-7L等封装来满足不同的应用需求。同时维安也在积极升级、研发更多的 SiC 产品以顺应高压化、大电流化发展趋势。

维安 SiCMOS：高压化与大电流化趋势下的前沿探索

　　图1：WAYON SiCMOS 产品Roadmap

维安 SiCMOS：高压化与大电流化趋势下的前沿探索

　　图2：WAYON SiCMOS 封装示意图


维安 SiCMOS：高压化与大电流化趋势下的前沿探索

　　应用领域

　　直流充电桩

　　直流充电桩中电源模块是其核心部件，采用SiC 基功率器件可有效减少芯片数量并降低系统成本，同时实现更高开关频率、更高功率密度以及超小体积的目标。

　　维安目前在1200V平台新开发的产品WSCM018R120T2C，在18V驱动电压下，Rdson仅为18mΩ，适用于60KW的充电桩模块，可减少SiC器件的并联数量，降低开发难度。

　　光伏逆变器与储能

　　光储逆变器往大功率方向发展，SiC是提升效能的不二之选。其应用于光伏逆变器，功率更大、效率更高、体积更小、成本更低，以及组串式逆变器配置灵活、易于安装。在1100 V的直流系统中通常使用1200V和650V开关，当电压等级提升到1500V，则需要1700V SiC MOSFET开关。

　　目前维安也已在1700V平台上新开发了45 mΩ与80 mΩ的产品，以满足光伏逆变器相关的应用需求。

　　新能源汽车

　　目前市售电动车电压平台正从400V向800V及以上的高电压发展，而高压系统中，SiC MOSFET的性能优于Si IGBT。SiCMOS主要应用于OBC、空调压缩机等场景，采用SiC器件可实现更高开关频率、更小体积、更低损耗与更低系统成本。

　　未来趋势

　　SiC 技术在不断地升级迭代，这将进一步提高其成品率与可靠性，使得SiC器件价格降低，并拥有更加强劲的市场竞争力。SiC器件在汽车、通讯、电网、交通等多个领域蓬勃发展，产品市场将更加宽广，成为半导体产业的新风口。

　　总之， SiC 器件具有广阔的市场前景和应用价值，维安将为SiC技术的发展全力以赴，推出性能更加杰出的产品!

（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

上一篇：ROHM开发出适合高分辨率音源播放的MUS-IC™系列第2代音频DAC芯片

下一篇：永铭金属化聚丙烯薄膜电容器的优势解析

在线留言询价

相关阅读
维安发布950V、1050V超结MOSFET产品
行业新闻

维安发布950V、1050V超结MOSFET产品

　　在工业控制(如大功率伺服驱动、变频器)、特种照明、矿机等高要求应用领域，对超高压、紧凑型电源系统的需求正迅速增长。这些应用往往面临严苛的运行环境(高温、高湿、强干扰)和紧凑的空间限制，对核心功率器件提出了极高要求：一方面需要承受超高工作电压以确保系统安全可靠;另一方面必须实现极低的导通损耗(RDS(ON))和开关损耗(Qg, Qrr)，以提升效率、降低温升并满足小型化设计需求。　　应对以上问题，维安自主研发并推出超高压超结950V和1050V MOS平台。该平台采用创新的工艺设计，在实现超高耐压等级的同时，显著降低了器件的结电容(体现为低Qg)和反向恢复电荷(Qrr)。显著提升电源系统的整体效率，有效控制温升，并满足紧凑型设计对功率密度的苛刻要求。其优异的性能参数可对标进口品牌的同规格产品，为上述特殊应用领域提供了可靠、高效的国产化功率解决方案。　　维安950V、1050V超高压超结MOSFET　　产品优势　　1、优异的FOM品质因数　　超结950V、1050V FOM是传统VDMOS工艺的13.6% 。使用超结950V、1050V器件，相同导通电阻下，栅极电荷大幅下降，更容易驱动和降低开关损耗，提供整体效率。　　图1： 平面超高压Qg示意图　　图2： 超结超高压Qg示意图　　2、强壮的体二极管特征　　反向恢复电荷Qrr 仅有普通慢管的30%，降低体反向恢复引起的损耗和应力。提升系统在硬开关等应用中的可靠性，并有助于进一步提高效率。　　图3： MOSFET体二极管反向恢复的波形示意图　　蓝色是普通工艺MOSFET体二极管;　　红色是快恢复工艺 ;　　3、丰富的产品规格　　950V SJ-MOSFET C2P　　1050V SJ-MOSFET C2P　　从上图规格可以看出，950V，1050V TO-220F封装，内阻最低可以到0.31Ω-0.32Ω;平面超高压相同规格TO-220F封装内阻最低达到1Ω。更低的导通电阻意味着更低的导通损耗，在高功率密度的应用场景中，维安超结超高压MOSFET展现出显著优势，助力实现更紧凑、更高效的电源设计。　　维安完整的超高压产品系列，结合先进的封装技术，确保了高可靠性和安全性，助力工程师轻松应对定制化、高效率电源系统的设计挑战。
2025-06-27 09:56 阅读量：205
全兼容 高集成 | 维安WAYON推出USB Type-C E-Marker芯片
行业新闻

全兼容 高集成 | 维安WAYON推出USB Type-C E-Marker芯片

　　E-Marker(电子标记芯片)是USB Type-C线缆中的核心元器件，用于智能识别线缆属性及功率传输能力，在快充、高速数据传输、多设备兼容等领域应用广泛。　　维安近期推出符合USB PD 3.1标准的E-Marker芯片WUSB310，助力Type-C线材应用提供完整解决方案。　　1. WAYON WUSB310产品信息　　同时兼容USB Type-C 2.3，USB PD 3.1及 EPR扩展功率范围，USB4 2.0和雷电3、4规范。　　支持结构化VDM1.0 和 2.0 版本，支持厂商标识自定义。　　内置双VCONN二极管与Ra电阻，支持2.7V~5.75V宽电压输入，CC和VCONN端口最高耐压36V。　　芯片采用DFN2×2-6L封装;　　工作温度覆盖-40°C至+85°C。　　2.WAYON WUSB31产品优势　　协议全兼容，赋能快充与高速传输　　兼容USB PD 3.1协议及EPR模式，支持USB4 Gen3/Gen4，确保设备快速充电与数据无损传输。内置过温保护与CC过压保护机制，有效防止异常工况下的硬件损坏。　　高集成设计，简化系统布局　　集成BMC PHY、VCONN开关及Ra电阻，减少外围元件数量，既可支持“一线单芯”，也可满足“一线双芯”应用。　　便捷烧录及在线升级　　支持4次厂商信息烧录，提供了I²C与CC线双重通信接口，且支持协议标准Firmware Update信息，能够便捷地实现在线系统升级。　　支持过温保护　　具备智能过温保护功能，当检测到温度超过设定阈值时，WUSB310会发送 Hard Reset，切断大功率传输，防止过热损坏设备，确保充电与数据传输的安全性与稳定性。
2025-06-13 16:40 阅读量：265
维安推出WPB系列主动型熔断器
行业新闻

维安推出WPB系列主动型熔断器

　　1.新能源时代的“主动保护”趋势　　随着新能源汽车行业的高速发展，其相关安全事故也层出不穷。为此，工信部于2025 年3月 28 日组织制定了强制性国家标准《电动汽车用动力蓄电池安全要求》(GB38031-2025)，并于 2026 年 7 月 1 日起开始实施。　　此次新国标在热扩散测试等方面做出了多项调整，并新增底部撞击和快充循环测试内容，部分内容如下。此次变化对电动汽车的安全设计和制造提出了全新的挑战，并将“主动安全防护”推向行业刚需。　　顺应发展趋势，维安推出了WPB系列主动型熔断器，为客户提供一种全新可靠的主动保护产品。　　2.工作原理　　WPB系列主动型熔断器是一种先进的电路保护装置，其工作原理类似于汽车安全气囊的点火装置。当汽车发生意外情况时，若其内部检测到故障信号，如碰撞、过压、过流、短路、继电器粘连等，电池管理系统(BMS)或电子控制单元(ECU)等会向主动型熔断器发送触发信号。　　收到这个点火信号后，主动型熔断器内部的烟火装置会被迅速启动，产生瞬时爆炸冲击，推动动力装置快速移动，从而切断连接铜排，实现断电要求。整个过程仅需几毫秒，可有效避免短路或火灾等电气危险，为乘客提供宝贵的安全保障。　　3.产品优势　　维安WPB系列主动型熔断器以五大核心优势领跑行业,进一步为客户实现“主动安全防护”保驾护航：　　超快响应　　1毫秒切断负载，极快地缩短故障响应时间，可有效避免意外电气危险。　　精准触发　　严格管控烟火装置触发条件，根据应用需求可满足多种工作场景。　　创新灭弧　　采用独特的灭弧技术，可覆盖至高压、大电流的电气环境。　　高可靠型　　耐电流冲击性强，不易老化，使用寿命更长。　　个性定制　　可根据应用需求调整尺寸设计和载流/分断能力，致力于为 OEM 打造更全面的解决方案。　　4.产品信息　　5.应用场景　　新能源汽车、充电桩、储能系统、其他　　6.应用示例图1：维安WPB系列主动型熔断器在汽车平台中的应用方案图2：维安WPB系列主动型熔断器在储能平台中的应用方案
2025-05-30 10:38 阅读量：298
维安WAYON推出32位MCU：WY32F1030系列
行业新闻

维安WAYON推出32位MCU：WY32F1030系列

　　近期，维安推出WY32F1030系列32位微控制器。该系列MCU以M0+内核为基础，增强的处理能力，丰富的内部资源和外设特性，及配套的方案支撑，助力开发者实现更高效的智能设计。　　适用于智能家居、绿色骑行、白色家电、电动工具及工业电机控制等应用需求。　　产品概述　　维安WY32F1030系列　　1.64MHz M0+内核　　2.多重片上安全机制　　3.1.5Msps 12bit ADC，灵活的多路可编程运放　　4.电机专用PWM组+专用HALL接口　　5.最多支持44个GPIO引脚　　6.多种封装选择：LQPF48、LQFP32、QFN32　　7.工业级温度范围 -40℃ ~ 105℃　　产品优势　　维安WY32F1030系列　　WY32F1030搭载64MHz M0+内核，内置64KB程序Flash与8KB SRAM，并提供独立的4KB BOOT空间及2KB数据Flash空间。　　1.单等待周期取指、4通道全资源配置DMA、及硬件除法器和开方器，有效提高MCU运行效率　　2.片上最多可配置为4路UART、1路最高1Mbps I2C及2路标准SPI接口，及丰富的定时器资源　　3.内置高精度基准电压，高达1.5Msps 16通道的12位ADC，并支持多参考压选择;2路高带宽可编程运放，支持灵活配置为单端、差分可编程增益及比较器模式;2路低输入失调电压比较器　　4.集成6路电机专用PWM组，及Hall专用接口，内部灵活的级间互联更方便电机类应用　　5.灵活的功能接口复用配置，最大可支持44个GPIO引脚，方便用户资源利用及PCB布局
2025-04-28 09:07 阅读量：514
热门分类
盒子，外壳，机架 电缆，电线 电路保护 连接器，互连器件 开发套件 机电产品 嵌入式解决方案 风扇，热管理 光电元件 其它 无源元件 电源 半导体 传感器，变送器 测试与测量
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
型号 品牌 抢购
BP3621 ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
原厂授权品牌
更多授权品牌>>
资讯排行榜
  • 周排行榜
  • 月排行榜

相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年，现 有超过3500家优质供应商，收录600万种产品型号数据，100 多万种元器件库存可供选购，产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等，为广大客户提供一站式购 销服务。

请输入下方图片中的验证码：

验证码