ROHM开发出实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT

Release time:2024-11-07
author:AMEYA360
source:ROHM
reading:1156

  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载电动压缩机、HV加热器、工业设备用逆变器等应用,开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*1、1200V耐压、实现了业界超低损耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3

  此次发售的产品包括4款分立封装的产品(TO-247-4L和TO-247N各2款)“RGA80TRX2HR/RGA80TRX2EHR/RGA80TSX2HR/RGA80TSX2EHR”和11款裸芯片产品“SG84xxWN”,预计未来将会进一步扩大产品阵容。

ROHM开发出实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT

  近年来,汽车和工业设备朝高电压化方向发展,这就要求安装在车载电动压缩机、HV加热器和工业设备逆变器等应用中的功率元器件也能支持高电压。另一方面,为了实现无碳社会,从更节能、简化冷却机构、外壳的小型化等角度出发,对功率元器件的效率提升也提出了强烈的要求。另外,车载电子产品还需要符合车载产品可靠性标准。不仅如此,在逆变器和加热器电路中,还要求功率元器件在发生短路时能够切断电流,并且需要具有更高的短路耐受能力。在这种背景下,ROHM通过改进器件结构,并采用合适的封装形式,开发出支持高电压、并实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的第4代IGBT新产品。

  第4代1200V IGBT通过改进包括外围结构在内的器件结构,不仅实现了高达1200V的耐压能力和符合车载电子产品标准的可靠性,还实现了10µsec.(Tj=25℃时)的业界超高短路耐受能力以及业界超低的开关损耗和导通损耗特性。另外,新产品采用4引脚TO-247-4L封装,通过确保引脚间的爬电距离*4,可在污染等级为2级的环境*5中支持1100V的有效电压,与以往产品相比,可支持更高电压的应用。由于爬电距离对策是在器件上实施的,因此也有助于减轻客户的设计负担。此外,TO-247-4L封装产品通过增加开尔文发射极引脚*6を追加するこ,还实现了高速开关和更低损耗。通过对TO-247-4L封装新产品、普通产品和以往产品在三相逆变器中的实际效率进行比较,证实新产品的损耗比普通产品低约24%,比以往产品低约35%,这将有助于实现应用产品的高效率驱动。

ROHM开发出实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT

  新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产(样品价格 1,500日元/个,不含税)。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.(日本滋贺工厂),后道工序的生产基地为ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰国)。另外,新产品已经开始通过电商进行销售,通过Ameya360等电商平台均可购买。

  未来,ROHM将会继续扩大更高性能IGBT的产品阵容,从而为汽车和工业设备应用的高效率驱动和小型化贡献力量。

  <产品阵容>

  分立产品

ROHM开发出实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT

  裸芯片产品

ROHM开发出实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT

  <应用示例> 

       ◇车载电动压缩机

  ◇车载HV加热器(PTC加热器、冷却液加热器)

  ◇工业设备逆变器

  <电商销售信息> 

      开始销售时间:2024年11月起

  网售平台:Ameya360等

  新产品在其他电商平台也将逐步发售。

  产品型号:RGA80TRX2HR、RGA80TRX2EHR、

       RGA80TSX2HR、RGA80TSX2EHR

  <支持信息>

       通过ROHM官网,可以下载包括通过仿真如实再现产品电气特性的SPICE模型在内的各种电路设计所需的资料:

  https://www.rohm.com.cn/products/igbt/field-stop-trench-igbt#parametricSearch

  <关于采用了RGA系列的赛米控丹佛斯功率半导体模块>

      赛米控丹佛斯额定电流10A~150A的功率半导体模块“MiniSKiiP®”,采用了ROHM的1200V耐压IGBT“RGA系列”。如欲了解更多信息,请访问以下页面:

  https://www.rohm.com.cn/news-detail?news-title=2023-04-26_news_semikron&defaultGroupId=false

  <关于“EcoIGBT™”品牌>

      EcoIGBT™是ROHM开发的非常适用于功率元器件领域对耐压能力要求高的应用的IGBT,是包括器件和模块在内的品牌名称。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法,ROHM一直在自主开发功率元器件产品升级所必需的技术。另外,ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系,已经确立了功率元器件领域先进企业的地位。

ROHM开发出实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT

  ・EcoIGBT™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

  <术语解说>

     *1) 汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101”

  AEC是Automotive Electronics Council的缩写,是大型汽车制造商和美国大型电子元器件制造商联手制定的汽车电子元器件的可靠性标准。Q101是适用于分立半导体元器件(晶体管、二极管等)的标准。

  *2) 短路耐受能力

  当负载等短路时,功率元器件能够承受而不至于损坏的时间。

  *3) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管)

  同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低导通损耗特性的功率晶体管。

  *4) 爬电距离

  两个导体之间沿绝缘表面测得的最短距离。

  在半导体设计中,为了防止触电、漏电、半导体产品短路,需要采取确保爬电距离和电气间隙的绝缘对策。

  *5) 污染等级2级的环境

  污染等级2级相当于家庭和办公室等常见的环境,即仅存在干燥的非导电污染物的状态。

  污染等级是确定元器件的电气间隙和爬电距离时会产生影响的环境等级,根据污染物质的有无、数量和状态分为1~4级。

  *6) 开尔文发射极引脚

  测量电压专用的发射极引脚。通过使流过电流的发射极引脚分离,可以将电流流过时电压压降的影响降至更低,从而实现高速且稳定的开关。

  注)“MiniSKiiP®”是赛米控丹佛斯的商标或注册商标。

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ROHM课堂 | 欧姆定律:电压、电流及电阻之间的关系
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  关键要点  ・光传感器本质上是将感光器件接收到的光转换为电能,并利用其电流的传感器的总称。  ・光电二极管是比较简单的光电转换元件。  ・光电晶体管采用光电二极管与晶体管的一体化结构,是通过晶体管将光电二极管的输出电流(光电流)放大后再输出的元件。  利用光检测的传感器种类繁多。此前介绍过的照度传感器和接近传感器以及利用光电容积脉搏波法的脉搏传感器也属于光传感器的范畴。本文将介绍光传感器中比较基础的光电二极管和光电晶体管。  01什么是光传感器  光传感器本质上是将感光元件接收到的光转换为电能,并利用其电流的传感器的总称。其功能多样,既可简单地检测光的有无与强弱,也能识别颜色等,并且可以适配自然光和发光二极管等多种光源。光传感器的核心是感光元件,其中比较基础的元件是光电二极管和光电晶体管。它们的应用场景丰富多样,覆盖范围非常广泛。  02什么是光电二极管  光电二极管是比较简单的光电转换元件。其结构由p型半导体和n型半导体组成的pn结构成,与普通的pn结整流二极管基本相同。其V-I特性在无光条件下与普通二极管相同(下图中的蓝色曲线),但当pn结受光时,光电二极管的V-I特性会向下偏移(下图中的红色曲线)。此时,从阴极流向阳极的反向电流称为“光电流”。光电流基本与照度(入射光量)成正比(见下图)。由于以反向电流作为输出,因此通常在反向偏置中使用。  光电二极管的输出电流(光电流)通常为微安(μA)级,数值较小,因此一般需要先通过晶体管或运算放大器等接收并放大后再利用。另外,光电二极管具有照度(入射光量)与输出电流之间的线性度较高、响应速度快等特点。  03什么是光电晶体管  光电晶体管采用光电二极管与晶体管的一体化结构,是通过晶体管将光电二极管的输出电流(光电流)放大后再输出的元件(见下图)。光电二极管的光电流为μA级,由于通常很难直接处理如此微小的电流,因此光电晶体管会将其放大至mA级再输出。另外,通过放大,即使在照度较低(即光电流较小)的情况下也能获得足够的输出,从而提升灵敏度。  在图中,NPN晶体管的集电极-基极之间似乎连接了光电二极管,但实际上是NPN晶体管的基极(p型)和集电极(n型)之间的pn结起到了光电二极管的作用。此处产生的光电流成为晶体管的基极电流,经晶体管放大hFE倍后,形成集电极电流Ic(输出电流)流过。输出电流基本与照度成正比。由于结构和工作原理的差异,光电晶体管的响应速度比光电二极管慢。
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4月研讨会报名中!ROHM Nch LV MOSFET:赋能AI服务器,解锁高效电源新方案
  随着AI服务器等应用对功率密度和能效的要求不断提升,低压MOSFET的导通损耗与开关损耗成为设计关键。ROHM长期深耕于此领域,致力于相关产品和技术的持续创新,其中多个产品系列已广泛应用于AI服务器电源、工业电源管理等对能效与可靠性要求严苛的场景,为客户提供领先的导通电阻性能和灵活的封装解决方案。  本次研讨会将介绍ROHM的N沟道低压MOSFET产品,涵盖工艺、封装技术、产品阵容等,并会重点介绍ROHM面向服务器应用提出的解决方案。扫描海报二维码,即可报名,参与还有机会赢取精美礼品!  一、研讨会概要  1. ROHM LV MOSFET的目标市场和应用  2. ROHM LV MOSFET的结构和封装工艺  3. ROHM LV MOSFET的技术路线图和产品/封装阵容  4. 面向服务器应用的解决方案和新产品介绍  二、研讨会主题  ROHM Nch LV MOSFET产品介绍  三、研讨会时间  2026年4月22日上午10点  四、研讨会讲师洪梓昕(工程师)  负责面向包括工控、民生、车载等各领域的分立器件产品的推广,涉及功率器件和小信号器件等产品,为客户进行选型指导和技术支持。  五、官方技术论坛  不仅是Webinar相关内容,所有ROHM的产品和技术都可以在“ROHM官方技术论坛(ESH)”向ROHM的工程师直接提问。期待您的使用!  点击下方链接查看:https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/71dd37d853a951ef7605e86fdf3faab0/mid/858  相关产品页面  · 适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET: https://ameya360.com/hangye/113949.html  · 适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET:  https://ameya360.com/hangye/113215.html  · 安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET:  https://ameya360.com/hangye/112418.html  相关产品资料  适用于AI服务器的兼具业界超宽SOA范围和超低导通电阻的MOSFET:  https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250606/bcb29836697daa064cd22046dae6f566.pdf  ROHM面向AI服务器800VDC构成解决方案:  https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20260323/072cee71ab4d82fd1e5462220f70c8ee.pdf  低导通电阻Nch 功率MOSFET(铜夹片型)RS6xxxx系列/RH6xxxx系列:  https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20230626/fda088792d480a97f7768835115ff87f.pdf  好礼来袭  互动礼  观看研讨会并参与提问即有机会获取U型枕1个,共计15份。  宣传礼  转发研讨会文章/海报,同时将截图私信至罗姆微信公众号即有机会获取精美礼品1份。  专业微信群  拓展坞(30份)  微信朋友圈  桌面风扇(20份)  邀约礼  分享本次研讨会,邀请5位好友报名,并将好友报名手机号分享至罗姆公众号后台,即有机会获取30元京东卡1份,共计20份。  注意事项  1. 请注意,想获得以上好礼都需要报名研讨会并关注“罗姆半导体集团”微信公众号(微信号:rohmsemi)。  2. 每位用户仅可领取一种奖品,报名信息须真实有效。  3. 活动最终解释权归罗姆半导体集团所有。
2026-04-10 09:29 reading:327
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