直播预告 | 罗姆11月研讨会来袭！

Release time：2024-10-18
author：AMEYA360
source：罗姆
reading：1347

　　近年来，电源系统主要面临更高耐压，更低功耗，更小型化等的需求。ROHM对应这三种课题，利用集团的垂直统合型生产体制，将电路设计，工艺和布局三大模拟技术相融合，开发出了三种Nano电源技术，从而实现高效稳定的电源控制。另外，通过助力应用产品的进一步节能和小型化，为实现无碳社会贡献力量。更多你想了解的ROHM产品和技术分享及展望，均可在本次线上研讨会上找到答案!

　　扫描下方海报，报名本次研讨会，共同探讨ROHM Nano技术及相关产品，参与即有机会赢取精美礼品，精彩不容错过!

直播预告 | 罗姆11月研讨会来袭！

　　研讨会摘要

　　1、ROHM的关键技术

　　2、"ROHM Nano"技术详解

　　3、满足时代需求的Nano系列及其产品

　　4、ROHM对Nano系列展望

　　研讨会主题

　　解决电源IC困扰的ROHM先进电源技术Nano系列

　　研讨会时间

　　2024年11月6日 上午10点　

      研讨会讲师

直播预告 | 罗姆11月研讨会来袭！

　　朱莎勤(经理)

　　简介：朱莎勤于2014年加入罗姆公司，目前在罗姆上海FAE部门担任经理一职，主要负责与车载产品相关的技术支持。在面向车载领域的电源管理技术方面有着丰富的工作经验和专业知识，拥有从电源设计、选型评估到应用的丰富经验，为客户进行选型指导和技术支持。

　　【关于Nano系列】

　　罗姆的电源技术一直追求小型化和节能化。Nano系列是采用了模拟技术的一种新型电源技术。从开发到制造的全过程都由罗姆自行完成，实现了贯穿始终的生产体制的Nano系列，作为满足市场要求的电源IC将为社会做出贡献。

　　超高速脉冲控制技术　Nano Pulse Control™

　　超低消耗电流技术　Nano Energy™

　　超稳定控制技术　Nano Cap™

　　更多内容点击前往查看ROHM Nano技术https://www.rohm.com.cn/support/nano

　　【相关产品新闻】

　　✦电池耗电量显著减少!ROHM开发出静态电流超低的运算放大器

　　https://www.rohm.com.cn/news-detail?news-title=2024-03-07_news_opamp&defaultGroupId=false

　　✦ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术

　　https://www.rohm.com.cn/news-detail?news-title=2023-03-07_news_gan-npc&defaultGroupId=false

　　✦ROHM开发出使用纳法级超小电容也能稳定运行的内置新电路的车载LDO稳压器“BD9xxN1系列”

　　https://www.rohm.com.cn/news-detail?news-title=2022-07-26_news_ldo&defaultGroupId=false

　　✦ROHM开发出双通道高速CMOS运算放大器“BD77502FVM”

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　　✦ROHM开发出不会因负载电容发生振荡的高速运算放大器“BD77501G”

　　https://www.rohm.com.cn/news-detail?news-title=2020-05-21_news_emarmour&defaultGroupId=false

　　【相关产品资料】

　　✦Nano技术介绍资料

　　https://www.rohm.com.cn/documents/11413/7882694/Nano-technical_CN+.pdf/5160be38-aa65-b41a-7cf1-93cf54eff4b3?t=1657101121813

　　✦ Nano电源技术小册子

　　https://rohmfs-rohm-com-cn.oss-cn-shanghai.aliyuncs.com/cn/products/databook/catalog/common/X_nano_SC.pdf

　　✦ 高精度运算放大器 LMR1901YG-M

　　https://rohmfs-rohm-com-cn.oss-cn-shanghai.aliyuncs.com/cn/products/databook/catalog/recommend/OP_66OP7378_SC.pdf

　　✦车载LDO稳压器IC BD9xxN1系列

　　https://rohmfs-rohm-com-cn.oss-cn-shanghai.aliyuncs.com/cn/products/databook/catalog/recommend/OP_65OP7326_SC.pdf

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罗姆参展PCIM Europe 2026 ~推动面向电动出行和工业领域的SiC功率技术发展~
行业新闻

罗姆参展PCIM Europe 2026 ~推动面向电动出行和工业领域的SiC功率技术发展~

　　中国上海，2026年6月2日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，将参展2026年PCIM欧洲展览会暨研讨会(PCIM Expo & Conference 2026)。该展会是全球电力电子、智能运动、可再生能源及能源管理领域的国际顶级盛会，将于2026年6月9日至11日在德国纽伦堡举办。　　今年，罗姆诚邀各位来宾莅临9号展厅的318号展位——与去年位于同一展厅，但位置不同。今年的展台设计焕然一新，展现出罗姆作为先进功率半导体供应商持续精进的发展态势。　　在2026年的PCIM欧洲展览会上，罗姆将展示其前沿功率半导体技术如何助力汽车、工业及基础设施应用提高效率、实现系统小型化并降低能量损耗。　　展位概览●　汽车电气化解决方案　　展示内容涵盖牵引逆变器、车载充电器、电池断路装置、电动汽车热管理系统以及面向下一代汽车的嵌入式技术。　　●　面向工业应用的高效电源技术　　展示适用于可再生能源系统、AI服务器、数据中心及工业电源领域的SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)解决方案。　　●　面向广泛应用的功率模块和元器件组合　　展示通过全球合作开发出的功率模块、分立器件及功率转换拓扑结构。　　更多信息请访问：www.rohm.com/pcim
2026-06-03 10:41 reading：186
罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元
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罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元

　　中国上海，2026年5月21日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU(电池备份单元)中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC(高压直流供电)架构演进，在这种背景下，罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。　　随着生成式AI的普及，GPU的性能不断提升，数据中心的功耗急剧增加。针对这一课题，相关产品正在加速采用旨在降低输电损耗的HVDC架构。在这种大功率、高电压环境中，为了在停电或瞬停等异常情况下保护系统及海量数据，以服务器机架为单位进行电力补偿的BBU和CU(电容单元)的作用变得越来越重要。　　此次被采用的产品是750V耐压的SiC MOSFET“SCT4013DLL”，配置于AI服务器用±400V供电架构的电源单元中。该产品可充分发挥SiC的特性，具备最高结温(Tj)达175°C的优异耐高温性能，即使在因电压和功率密度日益提升而导致发热量增加的BBU中也能稳定工作。　　另外，在下一代800VDC供电架构中，由于供给BBU内部电池组的电源电压约为560V，因此同样可以使用750V耐压的罗姆 SiC MOSFET。　　下一代AI服务器的HVDC电源所需的备份系统，要能够在发生异常时，以瞬时响应且低损耗的方式控制高电压和大电流。针对这样严苛的要求，兼具高耐压、低损耗、耐高温特性的SiC功率器件，作为电力控制核心的关键器件备受期待。　　罗姆今后将继续着眼于AI服务器及数据中心市场的发展，不断加强采用SiC、GaN及硅材料的功率元器件的开发与供应。同时，通过提供与模拟IC等产品相组合的综合解决方案，为提高电力效率和实现可持续发展的社会贡献力量。　　<关于“EcoSiC™”品牌>EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，罗姆一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，罗姆在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<相关信息>罗姆已在官网上公开了SiC功率器件的概要、便于按条件选型的“简易搜索”功能，以及支持评估和引入的各种设计模型。技术资料及本文相关资料参见下方链接：　　・应用笔记：第4代SiC MOSFET分立器件的特性和电路设计的注意点　　・应用笔记：第4代SiC MOSFET使用时的应用优势　　・白皮书：ROHM面向AI服务器的800VDC架构解决方案　　・访谈文章：数据中心的电力问题日益严重——Delta与ROHM倾力打造HVDC的原因
2026-05-28 09:23 reading：309
罗姆丨方案介绍 智驾升级，看罗姆如何筑牢ADAS感知系统基石
行业新闻

罗姆丨方案介绍 智驾升级，看罗姆如何筑牢ADAS感知系统基石

　　2026年，L4级自动驾驶正加速在限定场景(如自动驾驶出租车、无人配送)落地，产业处于从L2普及向L3/L4探索。在这一进程中，ADAS(高级驾驶辅助系统)作为智驾功能的核心载体，其性能影响整车安全上限。ADAS的完整工作流程始于环境感知——由摄像头、雷达、激光雷达等构成的感知网络，为后续决策与控制提供基础数据。感知的精度与可靠性，直接影响系统能否正确应对复杂路况。　　罗姆围绕ADAS环境感知环节，提供从电路保护、电源管理、信号传输到核心光源等多类产品，覆盖车载摄像头与激光雷达等多个模块，您可点击查看罗姆ADAS解决方案。　　车载摄像头　　随着ADAS等级提升，单车摄像头数量不断增加，部分车型已搭载10个以上。摄像头模块面临小型化、低功耗、高画质和高可靠性等多方面要求。罗姆围绕这些需求，从基础的电路保护到核心的电源管理与信号传输，提供保护二极管、电源管理IC(PMIC)、串行/解串器(SerDes IC)等产品。　　保护二极管- ESD(静电放电)保护二极管　　采用DFN1006-2W封装的两款产品符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的要求，还适用于采用SerDes IC通信的ADAS、AD(自动驾驶)摄像头以及ECU(电子控制单元)等应用。　　- 创新型保护用肖特基势垒二极管　　RBE01VYM6AFH在低VF(正向电压)和低IR(反向电流)这对此消彼长的特性之间实现了高维度平衡，可为ADAS摄像头等配备了像素日益提高的各种图像传感器的应用，提供高可靠性的保护解决方案。　　PMIC BD868xxMUF-C系列符合ISO 26262及其ASIL-B标准的PMIC BD868xxMUF-C系列，适用于ADAS等产品中应用日益广泛的车载摄像头模块。该系列特点如下：　　· 内置3个DC-DC系统和1个LDO系统　　· 3.5mm见方的业界超小封装，可减少安装面积　　· 内置异常状态通知机构(可以检测到电压异常等状况并通过I2C来反馈)　　· 支持各制造商的CMOS图像传感器　　SerDes IC BU18xMxx-C用来传输影像的SerDes IC BU18xMxx-C可以根据分辨率优化传输速率，因此与普通产品相比，功耗可降低27%。此外，通过传输速率优化功能和展频功能，还可将EMI峰值l降低20dB左右。不仅如此，该IC还具有冻结检测功能，可以检测图像的冻结状态，从而还可提高整个ADAS系统的可靠性。　　激光雷达(LiDAR)　　LiDAR是实现L2+级以上自动驾驶的核心测距与空间识别传感器，罗姆可提供光源器件和电源管理产品。　　高输出功率半导体激光二极管RLD8BQAB3是面向LiDAR等距离测量和空间识别应用开发而成的超小型表面贴装型125W高输出功率8通道阵列激光二极管。支持1～8通道激光二极管单独发光和总输出光功率达1kW的超高输出8通道同时发光，客户可根据应用需求选择合适的照射方法。　　LDO稳压器 IC BUxxJA3DG-C系列面向汽车ADAS中性能日益提升的小型车载应用(如传感器和雷达等)，其特点如下：　　· 以小型封装实现300mA的输出电流：采用SSOP5封装(2.9mmX2.8mm)，将输出电流从以往的200mA提高到300mA　　· 从下限1.7V起即可工作(BU12JA3DG-CA)：支持在1.8V的电源系统中使用，可实现更低损耗和更低发热量(而且噪声更低)　　· 低输出噪声特性：与普通的低噪声型LDO相比，输出噪声减少约40%，仅为55uVrms(BU33JA3DG-C时)　　迈向高阶自动驾驶，环境感知始终是不可动摇的技术底座。罗姆凭借PMIC、SerDes IC、激光二极管、保护二极管等器件，配合ComfySIL™功能安全方案，为车载摄像头和激光雷达提供关键支撑。未来，罗姆将持续深耕汽车电子，以更高效、可靠的元器件方案，助力智能驾驶走向更安全、更便捷的水平。
2026-05-14 09:55 reading：499
技术解码 | 罗姆助力AI服务器能效提升
行业新闻

技术解码 | 罗姆助力AI服务器能效提升

　　数字化转型(DX)和AI的迅猛发展，为社会带来了巨大的便利，而支撑其运行的数据中心耗电量却持续攀升。　　为了助力解决这一社会课题，罗姆已将融合多年来积累的“功率电子”和“模拟”技术优势，更大程度地提高服务器能效当作使命。其中，服务器总功耗中占比较大的“电源”的效率提升，以及通过“电机”驱动的冷却系统的进一步节能，是实现无碳社会的重要课题。　　从业界先进的SiC(碳化硅)功率元器件，到可实现高精度控制的模拟IC以及各种分立器件，罗姆集这些产品的开发、生产制造、销售于一体，为客户提供前瞻性的解决方案。　　罗姆的半导体技术可高水平兼顾客户服务器系统的“节能”和“小型化”需求，同时还有助于提高其可靠性。罗姆将与客户携手共创可持续发展的数字社会。　　AI服务器主板(Server Board)　　随着生成式AI的普及和数字化转型的加速，现代服务器面临着前所未有的算力需求，以及随之而来的功耗激增问题。要改善数据中心电源使用效率指标(PUE)，从传统12V分散式供电向48V集中式供电架构的转型，以及电源单元的小型化和效率提升已成为当务之急。　　罗姆利用多年积累的高效电源IC技术，结合包括GaN(氮化镓)器件在内的高性能MOSFET，为客户提供综合解决方案。通过可充分激发产品特性的驱动技术，大幅降低功率转换损耗。通过同时实现更低发热量和更高功率密度，助力服务器主板的处理能力提升及节能降耗。　　电源供应单元(PSU)　　罗姆可一站式提供下一代服务器PSU所需的全部电源解决方案。针对高电压大电流化的一次侧电路，可提供业界先进的SiC元器件和高速GaN元器件产品群，助力应用产品大幅提升效率。另外，针对AI服务器等主流的50V输出二次侧整流用途，可提供80V耐压等高性能LV MOS产品群，可将导通损耗降至超低水平。当然，罗姆还拥有性价比超高、也非常适用于图腾柱PFC低速侧开关应用的丰富的Super Junction MOSFET(SJ-MOSFET)产品群。　　在这些种类繁多的产品群基础上，罗姆还可提供系统层面的综合解决方案，其中包括可更大程度激发产品性能的栅极驱动器和控制IC。这正是罗姆的优势所在。本页面将介绍罗姆支撑未来AI数据中心的最新科技和解决方案。　　备用电池单元(BBU)　　在BBU(备用电池单元，用来在电源异常时保护数据)设计中，能够充分发挥锂离子电池性能的先进电池管理系统至关重要。罗姆提供可高精度监测电池健康状态(SoH)的电池电量监控IC(电量计IC)等产品，助力BBU的小型化和可靠性提升。　　此外，在保障服务器稳定运行和可维护性的热插拔电路中，能够承受大电流负载的宽SOA(安全工作区)范围至关重要。尤其是大量使用GPU的AI服务器，对其稳定性的要求非常严苛。罗姆兼具宽SOA范围和低导通电阻的100V耐压功率MOSFET，可满足其严苛要求，并可提高系统的可靠性和稳健性。　　罗姆不仅提供这类元器件级解决方案，还针对多样化的电源架构，提供满足从传统的12V/50V级电源，到可显著改善数据中心整体节能性能的400V级HVDC(高压直流供电)机架应用需求的丰富产品群。
2026-04-15 13:05 reading：693
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