AMEYA360:纳芯微GaN HEMT驱动芯片NSD2017助力解决激光雷达应用挑战

Release time:2024-07-17
author:AMEYA360
source:网络
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  自动驾驶是新能源汽车智能化的重要发展方向,而具备强感知能力的激光雷达则是L2+及以上级别自动驾驶不可或缺的硬件设备。纳芯微的单通道高速栅极驱动芯片NSD2017,专为激光雷达发射器中驱动GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)而设计,助力应对激光雷达应用中的各项挑战。

  1)激光雷达系统结构介绍

  自动驾驶中使用的激光雷达通常采用DToF(Direct Time-of-Flight)测距方式,即通过直接测量激光的飞行时间来进行距离测量和地图成像。下图为DToF激光雷达系统的典型结构,其中信号处理单元通过记录激光发射器发出光脉冲的时刻,以及激光接收器收到光脉冲的时刻,根据时间间隔和光速即可计算出目标距离。

AMEYA360:纳芯微GaN HEMT驱动芯片NSD2017助力解决激光雷达应用挑战

  激光雷达为了实现高分辨率与宽检测范围,需要极窄的激光脉冲宽度、极快的激光脉冲频率和极高的激光脉冲功率,这对激光发射器中功率开关器件的性能提出了更高的要求。相比传统的Si MOSFET,GaN HEMT具有更优越的开关特性,非常适合DToF激光雷达应用。GaN HEMT的性能表现依赖于高速、高驱动能力和高可靠性的GaN栅极驱动芯片,NSD2017凭借其优异的产品特性,充分发挥了GaN HEMT在激光雷达中的优势。

  2)NSD2017产品特性

  - 推荐工作电压:4.75V~5.25V

  - 峰值拉灌电流:7A/5A

  - 最小输入脉宽: 1.25ns

  - 传输延时: 2.6ns

  - 脉宽畸变: 300ps

  - 上升时间@220pF负载: 650ps

  - 下降时间@220pF负载: 850ps

  - 封装:DFN6(2mm*2mm),WLCSP(1.2mm*0.8mm)

  - 满足AEC-Q100车规认证

  - 同相和反相输入引脚可用于产生极窄脉宽

  - 具备UVLO、OTSD保护

AMEYA360:纳芯微GaN HEMT驱动芯片NSD2017助力解决激光雷达应用挑战

  3) NSD2017关键性能应对激光雷达应用挑战

  1. 大电流驱动能力,支持激光雷达远距离探测

  激光雷达的远距离探测能力使自动驾驶车辆能够提前发现障碍物并及时避让,从而提升自动驾驶速度上限。为实现更远的探测距离,通常需要在保证不损伤人眼的前提下,采用更大功率的激光发射器,这就需要更大电流的GaN HEMT以及驱动能力更高的驱动芯片。纳芯微的NSD2017具备7A峰值拉电流和5A灌电流能力,可用于驱动大电流GaN HEMT,从而产生高峰值激光功率,实现远距离探测。

  2. 极窄输入脉宽,满足激光雷达高测距精度要求

  DToF激光雷达通过测量脉冲激光发射和接收的时间间隔来实现测距,但是如果来自两个相邻目标的反射光脉冲发生重叠,系统将无法分辨出这两个相邻目标的距离信息。为了满足厘米级别的距离分辨率的要求,激光雷达需要极窄的光脉冲宽度,通常低至几纳秒,并且具有快速的上升沿和下降沿。NSD2017的最小输入脉宽典型值仅为1.25ns,且开启和关断路径具有优异的延迟匹配,输入到输出的脉冲宽度失真低至300ps。此外在220nF负载下,NSD2017的上升时间典型值为650ps,下降时间典型值为850ps,也有利于产生更窄的脉冲激光。

AMEYA360:纳芯微GaN HEMT驱动芯片NSD2017助力解决激光雷达应用挑战

  3. 小封装和高频开关,优化激光雷达角分辨率与点频性能

  激光雷达的角分辨率表示扫描过程中相邻两个激光点之间的角度差,点频则表示在三维视场内每秒发出的激光点数。一般来说,激光雷达的角分辨率越小,相邻点云之间越密集,往往点频越高,激光雷达的感知能力也就越强。为实现更高的角分辨率和点频,激光雷达需要布置更多的激光发射器,因而对驱动芯片的封装尺寸提出了更高的要求。NSD2017车规级芯片不但提供DFN (2mm*2mm) 封装,还可以提供更小尺寸的WLCSP (1.2mm*0.8mm) 封装。NSD2017支持最高60MHz开关频率,传输延时典型值低至2.6ns,确保了系统控制环路具有足够快的响应时间,也有利于提高激光雷达点频性能。

AMEYA360:纳芯微GaN HEMT驱动芯片NSD2017助力解决激光雷达应用挑战

  4. 强抗干扰能力,保证激光雷达的安全可靠

  在激光发射器中,为了快速开关GaN HEMT,栅极驱动芯片外部的栅极串联电阻通常设置为零;栅极驱动芯片的峰值拉电流和灌电流,会通过芯片的封装寄生电感和PCB寄生电感,引起芯片内部的VDD和GND产生较大的抖动,从而可能导致驱动电路工作异常。NSD2017通过优化封装寄生电感,并且在芯片内部集成去耦电容,有效地滤除驱动电路抽载产生的高压毛刺,从而提升了抗噪声能力。此外,NSD2017具备过温保护和欠压保护功能,保证激光雷达安全可靠地工作。

  4)总结

  GaN HEMT栅极驱动芯片NSD2017具备高开关频率、低传输延时、极窄脉宽、低失真、强驱动能力和抗干扰等特性,采用小尺寸车规级封装,能够助力应对激光雷达各项应用挑战,提升感知能力,确保其安全可靠运行。

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纳芯微压力传感器助力车企满足最新国六标准
  国家第六阶段机动车污染物排放标准(以下简称:“国六”标准)的发布,旨在从源头着手改善空气质量‌,显著减少汽车尾气中的有害物质排放,对汽车燃油系统提出了更高的要求。为了帮助车企更好地响应“国六”标准,作为高性能高可靠性模拟及混合信号芯片的公司,纳芯微此前发布了NSPGL1系列压差传感器和NSPAS5N系列绝压传感器,从灵敏度、品质、灵活性等多个方面赋能车企和零部件供应商。  “国六”标准下的压力传感器需求  “国六”标准是国家根据国内的环境状况和国际的技术发展,对汽车尾气排放的限值和测量方法进行修订和升级的标准,分为“国六a”和“国六b”两个阶段,分别于2020年和2023年实施。相较于“国六a”,“国六b”在各方面都更加严苛,比如在氮氧化物方面,“国六a”的排放标准为每公里60毫克,“国六b”则是每公里35毫克。行业人士普遍认为,“国六a”是过渡标准,“国六b”才是真正的“国六”标准。为了满足严苛的“国六”标准,车企需要在车辆发动机、尾气处理设备等方面增加了更多的技术投入。以轻型汽油车为例,缸内直喷(GDI)、涡轮增压、三元催化(TWC)、汽油颗粒捕集(GPF)、车载加油油气回收(ORVR)等技术均得到了改善或应用。也就是说,“国六”标准让汽车燃油系统设计发生了明显的改变。这也带来了大量的、新的传感器需求。如下图所示,为满足“国六”标准,发动机管理系统用到了种类丰富的MEMS压力传感器。  其中,曲轴箱通风压力传感器的作用是测量曲轴箱内的压力与大气压力的压差,并以信号形式发送至发动机控制装置。为了响应“国六”标准,汽车燃油发动机的设计都会进行曲轴箱通风系统设计,将曲轴箱内的混合气通过连接管导向进气管的适当位置,返回气缸重新燃烧,既可以减少排气污染,又提高了发动机的经济性。同时,在发动机低怠速时,曲轴箱是负压状态,如果不进行强制通风,将会严重影响发动机的性能和排放。要实现这些功能,离不开曲轴箱通风压力传感器。  碳罐脱附压力传感器的功能是感应脱附路径的压力变化,转换成电压信号提供给控制系统,以适时开关阀门。碳罐是车载加油油气回收(ORVR)系统的一部分,“国六”标准要求,汽车加油时产生的汽油蒸汽都要存储在碳罐里,向大气的排放量要接近于零,因此满足“国六”标准的汽车相较于“国五”标准的汽车增加了碳罐通大气口的密封装置,通过碳罐脱附压力传感器配合软件实现“零排放”的目标。  尾气回收系统压力传感器是为了减少汽车尾气排放量而设计的,其主要作用通过回收和利用排气管中的废气热能来为发动机供应额外的能量。在尾气回收系统中,压力传感器可以感受到因发动机启动而导致的系统压力变化,帮助系统控制回收系统的阀门,使回收的废气热能被最大限度地利用,减少尾气排放对环境造成的污染。  其他的压力传感器在此不再一一展开,当然这些压力传感器都面临一些共性的挑战。首先,相较而言应用于燃油管理系统的压力传感器,其工作环境大都比较恶劣,除了高温、高压之外,还要面临油气的腐蚀,以及振动等因素的影响,但系统需要这些传感器在恶劣的环境中依然能够稳定工作,以改善汽车排放指标。其次,不同类型的汽车对于MEMS压力传感器的性能要求也不一样,比如混动汽车和传统燃油车由于发动机工作状态不同,还有常压和高压油箱的区别,便会对MEMS压力传感器提出不同的需求。  当然,机遇总是和挑战并存。国六标准要求所有燃油蒸汽压力传感器(FTPS)、GPF压差传感器必须100%安装,碳罐脱附压力传感器的安装率达到50%以上,同时商用车还需安装DPF压差传感器,因此各类型MEMS压力传感器的用量是非常可观的。纳芯微最新发布的NSPGL1系列压差传感器和NSPAS5N系列绝压传感器,在灵敏度、品质、灵活性等多方面都达到了行业顶尖水平,能够帮助车企更好地响应“国六”标准,打造高性能、低排放的发动机系统。  更可靠、更灵敏、更易用的NSPGL1系列  NSPGL1系列是纳芯微专为燃油蒸汽压力监测、曲轴箱通风泄漏检测、刹车助力真空度检测等应用环境设计的压差传感器。纳芯微电子市场经理毛怿奇表示:“NSPGL1系列的推出对于纳芯微产品升级和客户方案升级都有着重要意义。相较于纳芯微上一代模组类型的产品,NSPGL1系列在外形和腔体设计方面都有明显的改变和提升,通过高度集成的方式简化了车企的PCB元器件管控;相较于国际厂商提供的无PCB(PCB-less)方案,NSPGL1系列基于芯片的实现方式在成本方面有着巨大的优势,且又能在外形上完美兼容国际厂商芯片级方案,无需客户重新开模设计,减少了方案升级的研发周期。”  从产品特征性能不难看出,纳芯微NSPGL1系列压差传感器具有显著的高精度、高品质和易于使用的优势。NSPGL1系列实现了100%出厂预校准,提供高精度、宽温区、高度线性、高稳定性的性能表现,在-40℃~130℃全温范围内支持100%温度补偿,精度优于±2.5%F.S.。毛怿奇强调:“相较于当前市面上的竞品,NSPGL1系列的反应更加灵敏,响应时间大概在0.8毫秒。与国际厂商相同精度产品相比,NSPGL1系列的功耗远低于竞品。并且,和竞品只提供几个固定量程不同,NSPGL1系列支持客户定制量程,以极高的灵活性满足差异化需求。”  据介绍,NSPGL1系列支持0~±5kPa/±35kPa/±100kPa内量程可定制,可轻松满足传统车的常压油箱压力(4kPa~7kPa)检测,混动车的高压油箱压力(35kPa~40kPa)检测,以及刹车真空度助力(0~-100kPa)压力检测等场景。  NSPGL1系列具有出色的产品品质,产品设计、晶圆制造、封装测试和校准全部满足车规级要求。NSPGL1系列通过高达18V的高压供电,支持反压-24V过压28V保护,可承受3x过载压力和5x爆破压力。为了适用于恶劣的油气环境,NSPGL1系列采用独特贵金属焊盘的MEMS芯片搭配陶瓷基板封装。毛怿奇指出:“目前,大部分MEMS传感器采用铝焊盘,在强酸、强碱或者强氧化性的条件下容易被腐蚀,而油气中的一氧化硫、二氧化硫和氮氧化物等气体,遇水都会形成酸。NSPGL1系列通过采用贵金属焊盘的MEMS设计,后续可以通过对ASIC进行贵金属化升级来轻松应对这些挑战。  此外,上述已经提到,纳芯微NSPGL1系列完美兼容当前市场上主流的产品,简单易用,可移植性好。毛怿奇透露:“NSPGL1系列下一步的优化方向是通过国内供应链实现进一步降本,以提升客户方案的性价比,并确保客户产品的供应链安全,同时,纳芯微NSPGL2系列正在加紧研发,预计将会在2025年Q4推向市场,产品集成化程度进一步提升,届时在燃油蒸汽压力监测、曲轴箱通风泄漏检测、刹车助力真空度检测等应用方面,方案的外围器件将大幅减少至2-3颗。”  支持亚毫秒级快速响应的NSPAS5N系列  NSPAS5N系列是纳芯微打造的适配尾气再循环系统的绝压传感器。和NSPGL1系列一样,NSPAS5N系列所处的工作环境同样恶劣,在带尾气的进气歧管压力检测(EGR-TMAP)等环境中,尾气里的有害气体也容易形成强酸、强碱、强腐蚀环境。毛怿奇介绍说:“采用贵金属焊盘设计的NSPAS5N系列能够以出色的产品品质轻松应对这些环境挑战。更为重要的是,NSPAS5N系列能够在如此严苛的环境中保持稳定的高精度输出。”  NSPAS5N系列的高精度、高品质特性与NSPGL1系列类似。NSPAS5N系列也具有高度线性、稳定性好和无需校准的优势,提供100%温度补偿,在0℃~85℃温度范围内输出精度优于±1% F.S.,-40℃~130℃全温范围内精度优于±1.5% F.S.,且工作电流小于3mA。NSPAS5N系列也采用高达18V的高压供电,支持反压-24V过压28V保护,可承受3x过载压力和5x爆破压力,并借助贵金属焊盘设计应对环境挑战。  NSPAS5N系列还具有业界领先的响应速度,提供多种输出方式,支持模拟比例/绝对输出,并在10kPa~400kPa内量程可定制。NSPAS5N系列支持亚毫秒级快速响应,响应时间小于1ms。为此,纳芯微在两个方面做了特别的增强:其一是MEMS传感器的灵敏度提升;其二是降低调理芯片的响应时间。这种快速响应特性可以让尾气再循环处理系统更快、更准确地获取数据,以帮助燃油系统调整喷油比,让燃烧更加充分。  面向未来,纳芯微MEMS压力传感器将着重在两个方向上进行增强。第一个是SPEC层面的提升,包括MEMS传感器的精度提升,从1.5%或1%向5‰迈进,过反压能力提升至±40V以及EMC/ESD能力的提升;MEMS传感器工作温度区域的提升,从-40℃-125℃到AEC-Q100 Grade 0级别的-40℃-150℃,并着力优化传感器的封装形式。  第二个是接口丰富度的提升。当前,随着新能源汽车上的创新应用不断涌现,MEMS传感器上的接口已经从传统的模拟接口转变为SPI、SENT、LIN和PSI5等接口类型,丰富的接口能够满足方案商更多元化的设计需求。  结语  “国六”标准实施的目的是减少机动车尾气排放对环境的污染,保护生态环境。但对传统燃油车和混合动力汽车而言,却是一个巨大的挑战,需要从整个发动机管理系统着手改善排放指标。在此过程中衍生出了大量的传感器需求,因而纳芯微NSPGL1系列和NSPAS5N系列有着巨大的市场空间。  NSPGL1系列和NSPAS5N系列展现出了领先行业的性能,包括高灵敏度、快速响应和稳定可靠等。同时,得益于纳芯微在MEMS压力传感器领域长期秉持的全自研策略,NSPGL1系列和NSPAS5N系列有着出色的定制化属性,可以更灵活地满足客户需求。
2025-03-18 15:01 reading:227
纳芯微推出高抗干扰特性的CAN收发器NCA1145B-Q1
  近日,纳芯微宣布推出汽车级CAN收发器芯片NCA1145B-Q1,新器件凭借业内首屈一指的抗干扰特性,在欧洲权威测试机构IBEE/FTZ-Zwickau的EMC认证中,成功通过所有测试项,是该系同类器件中(xxx1145系列),国产唯一全面通过测试的器件。  NCA1145B-Q1同时满足大众集团VW80121-3,2023-12标准,纳芯微现可提供相关测试报告,支持汽车制造商简化系统认证流程,加速产品上市。  CAN收发器芯片是汽车CAN网络的核心部件,用于控制三电系统、制动、转向和安全气囊等关键功能。但汽车系统环境复杂,在三电系统、点火装置、变频器和无线设备中存在各种电磁干扰源,可能影响CAN通信,导致信号错误或系统故障,威胁行车安全。因此,汽车系统设计时必须重视CAN收发器芯片的抗电磁干扰能力,确保通信稳定。  全面通过IBEE/FTZ-Zwickau认证  鉴于CAN收发器芯片的EMC性能对汽车行驶安全的关键作用,各地区制定了严格的汽车电子电磁兼容性标准和认证流程,并要求汽车制造商遵循。例如,美国汽车工程师协会(SAE)的J2962标准和欧洲的IBEE/FTZ-Zwickau认证都对汽车电子的EMC性能提出了明确要求。  其中,IBEE/FTZ-Zwickau认证根据IEC62228-3标准进行,IEC62228-3相较于SAE J2962标准,排除了系统外围电路的影响,更聚焦CAN收发器本身的EMC特性,且要求等级更高,在除欧洲以外的车企中也得到了广泛参考应用。IBEE/FTZ-Zwickau认证包括:发射射频干扰(Emission RF Disturbances), 抗射频干扰(Immunity RF Disturbances),瞬变免疫力(Immunity Transients)和抗静电(Immunity ESD)共四项测试,纳芯微NCA1145B-Q1全部通过。  值得一提的是,测试中NCA1145B-Q1在器件级DPI(Direct Power Injection,直接射频功率注入)指标上(对应系统级BCI指标,即Bulk Current Injection,大电流注入)表现优异,通信总线在不需要额外配置共模电感滤波的情况下,仍可通过标准要求的最高功率,在保障系统鲁棒性的同时,可帮助用户减少系统外围电路,降低成本。  支持振铃抑制功能,满足复杂拓扑和提速需求  振铃是指在CAN总线的通信过程中,由于阻抗不匹配导致的信号反射等原因,使得信号在传输线上多次反射,进而产生的一种振荡现象。振铃现象可能会对CAN总线的通信质量产生负面影响,甚至有可能导致通信失败。  NCA1145B-Q1采用纳芯微自研的振铃抑制专利,允许工程师在多节点、复杂拓扑情况下有效减少总线中的信号反射,降低振铃现象发生的概率,同时维持系统级≤5Mbps的通信传输速率,使得用户可以在部分应用场景中采用性价比更高的CAN FD而非CAN SIC芯片,在保障车载通信质量的同时,降低物料成本。  支持特定帧唤醒,延长电动汽车续航里程  传统的CAN收发器远程唤醒方式是任意帧唤醒,在睡眠模式下,总线上出现一帧有效的远程唤醒请求信号时,总线上所有设定了远程唤醒的收发器都会被唤醒并转至待机模式,从而产生功耗。  特定帧唤醒是一种更高效的CAN网络唤醒机制,它利用CAN协议的远程帧特性实现节点唤醒。其工作原理是:唤醒节点发送特定远程帧,而睡眠节点仅对该特定帧进行监听。当检测到目标远程帧时,睡眠节点立即激活并恢复通信。这种机制通过减少不必要的帧监听,有效降低了系统功耗和总线负载。NCA1145B-Q1支持在休眠/待机模式下的特定帧唤醒,特定帧唤醒功能有助于使汽车ECU长时间保持在低功耗状态运行,从而降低电动汽车的总功耗,延长续航里程。  封装和选型  NCA1145B-Q1现已量产,提供SOP14和DFN14两种封装,支持低至1.8V的VIO;NCA1145B-Q1满足AEC-Q100,Grade 1要求,支持-40°C~125°C的宽工作温度范围;NCA1145B-Q1的直流总线故障保护为±58V,总线共模电压为±30V。  平台化IP,赋能全面的接口产品布局  纳芯微在通信接口领域布局已久,通过平台化IP和自研专利的协同,实现了快速的产品迭代,并在CAN/LIN/RS485/I2C接口等方面完成了全面的产品布局。  技术层面,纳芯微基于对系统应用的深厚理解,在EMC增强的CAN/LIN接口技术、专有协议接口技术、高速接口技术等方面不断突破,达到业内领先的水平。以EMC为例,纳芯微全面通过IBEE/FTZ-Zwickau的EMC认证的器件还包括CAN FD收发器NCA1044-Q1,NCA1057-Q1,以及CAN SIC收发器NCA1462-Q1。
2025-03-18 14:57 reading:237
性能飞跃!纳芯微新一代CSP MOS NPM12017A守卫锂保安全
  纳芯微正式发布全新一代CSP封装12V共漏极双N沟道MOSFET——NPM12017A系列,该系列产品是对纳芯微已量产的CSP MOS的完美升级与补充。新一代CSP MOS进一步优化了性能表现,显著提升了电气与极限能力。以首发产品NPM12017A为例,典型阻值相比上一代降低了26%,温升降低近30%,极限耐受能力如短路及雪崩能力等提升近50%,达到国际领先水准。同时,凭借12寸特色专利工艺,NPM12017A在极具性价比的同时,还能提供充足的产能保障。  该系列延续了上一代NPM12023A的产品极限能力和优异的封装机械强度,解决了传统CSP封装芯片机械强度低、雪崩能量小、生产组装加工困难等问题。为手机、平板以及智能穿戴等便携式锂电管理应用提供更安全、可靠的解决方案,助力客户简化设计。  卓越性能:助力锂电保护实现大功率、小型化需求  随着智能手机、平板电脑等便携式设备的快充功率从3-5W跃升至100W以上,厂商和客户对锂电池快速充电功率/电流的需求持续提升,相应要求采用超低阻值的MOSFET产品以降低锂电池充放电路径的功耗,进而提升电池系统性能。  全新一代CSP封装NPM12017A基于上一代自有知识产权的创新芯片结构上,进一步优化设计,实现相同封装下内阻降低26%,温升下降近30%,在降低功耗的同时有效降低了系统温升和发热量,性能领先业内水平。同时,其短路能力提升40%(短路电流达400A),雪崩能力提升67%(达50A),兼顾超低阻抗与优异极限电气特性,为锂电设备提供更全面可靠的保护。  此外,NPM12017A克服传统CSP封装在机械强度与雪崩能量方面的不足,耐受超60N机械压力,有效防止芯片在生产组装中的翘曲与裂片等问题,显著提升产品可靠性与安全性。  领先设计:突破传统封装的工艺限制  便携式锂电设备向小型化、轻薄化发展,对系统尤其是MOSFET的体积提出更高要求。在传统晶圆级CSP封装双N沟道MOS产品中,硅基材的电阻在电池管理应用中的总电阻占比较大。为降低衬底电阻,一般会采用芯片减薄工艺,但这会显著削弱产品的机械强度,造成芯片在生产组装过程中翘曲、变形,甚至产生裂纹,从而导致应用端不良等问题。针对机械强度不足的问题,部分解决方案会采用其他材料加厚的方式来增加机械强度,但这会带来成本的增加以及不同材质的兼容性风险。  纳芯微全新CSP封装系列在设计之初即针对这一问题进行了优化。通过调整产品结构,使导通电流平行于芯片表面,缩短电流路径,从而降低导通电阻,从根源上解决了CSP封装MOSFET的机械强度问题,在兼顾轻薄化、小型化的基础上,最大程度减少芯片使用过程中的变形、裂片等问题,确保产品的可靠性与安全性。  简化系统设计:加速客户产品上市  纳芯微全新CSP封装MOSFET不仅在性能上实现突破,还在设计上进行了优化。其共漏极双N沟道结构简化了电路设计,可直接Pin to Pin替代上一代产品NPM12023A,即可实现性能升级,有效缩短开发周期,助力客户更快地将高性能产品推向市场。
2025-03-12 15:15 reading:265
纳芯微再获更高等级功能安全管理体系认证
  近日,纳芯微宣布,其功能安全管理体系通过德国莱茵TÜV(以下简称"TÜV莱茵")的严格审核,正式获得ISO 26262 ASIL D "Defined-Practiced"级别认证。  此次认证确认了纳芯微在国产首颗具备功能安全的ABS轮速传感器、国产首颗具备功能安全的隔离式栅极驱动等项目上的体系实践,标志着纳芯微成为国内少数在功能安全领域完成从“Managed”(体系建立)到“Defined-Practiced”(体系实践)能力跃迁的芯片企业,其功能安全研发能力及管理体系成熟度获得权威认证机构的认可,通过公司在研发管理、质量保障、流程建设方面的能力提升,为全球客户提供高安全等级的芯片奠定了坚实基础。  体系进阶:  从符合标准到实践落地  自2021年12月通过ISO 26262 ASIL D "Managed"(体系建立)级别认证以来,纳芯微持续、系统性地推进功能安全研发能力建设及流程体系优化。此次认证中,TÜV莱茵重点审核了功能安全全生命周期管理、安全文化建设、研发能力等若干维度,针对轮速传感器NSM41xx系列和隔离式栅极驱动NSI6911等项目进行了全面的流程、技术评审,最终确认其体系成熟度达到进阶的"Defined-Practiced"(体系实践)标准。  ISO 26262 ASIL D "Defined-Practiced"级别认证证书  国产首颗具备功能安全的ABS轮速传感器  NSM41xx系列是国内首颗基于AMR技术、符合功能安全要求的ABS轮速传感器,严格按照ISO 26262 ASIL B(D)要求开发,支持最高ASIL D等级的系统集成。该系列产品通过集成先进的磁性传感敏感单元与ASIC技术,能够精准监测车轮转速,为防抱死制动系统(ABS)、车身电子稳定系统(ESP)以及电动转向助力系统(EPS)等控制系统提供有力支持,确保在极端条件下仍能保持高度的功能安全性和可靠性。  国产首颗具备功能安全的隔离式栅极驱动  NSI6911是国内首颗用于新能源汽车主驱动并符合 ASIL D 功能安全等级的隔离式栅极驱动,其集成12位高精度ADC、具备完善可靠的诊断功能与SPI可编程接口,能够可靠驱动和保护SiC MOSFET 和 IGBT。NSI6911具有隔离耐压高、驱动电流大、响应延迟低、保护机制全、可靠性高等特点,为新能源汽车的安全行驶保驾护航。此外,NSI6911的生产交付基于全国产供应链,满足供应链多元化的需求,全面提升客户的供应链韧性和安全性。  NSM41xx系列ABS轮速传感器现已量产,NSI6911隔离式栅极驱动可提供样片,欢迎联系邮箱sales@novosns.com垂询。  落实可靠、可信赖的  研发和质量管理体系  作为国内车规芯片领军企业,汽车应用是纳芯微一直以来聚焦的核心领域。汽车芯片对安全性、可靠性的严苛要求也对纳芯微的研发能力和质量体系提出了更高的要求。  秉承“可靠、可信赖”的价值观,纳芯微将功能安全能力建设作为关键战略,构建了符合ISO 26262:2018的全流程开发能力以及完备的车规质量管理体系,在保障产品质量的同时,实现了大批量稳定量产供货。截至2024年,纳芯微汽车芯片累计出货量超过5亿颗,汽车业务占比超过35%,产品已经全面覆盖新能源汽车主机厂和零部件供应商。  纳芯微致力于成为全球汽车产业链首选的芯片供应商,通过坚实的研发能力、可靠的质量保障、稳定的量产交付、灵活的定制化服务,为行业用户提供高质量、高可靠性、高性能的汽车级模拟及混合信号芯片产品和一站式、系统级解决方案。
2025-03-12 11:20 reading:183
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