纳芯微正式成为AEC汽车电子委员会成员

发布时间：2024-01-19 09:25
作者：AMEYA360
来源：纳芯微
阅读量：2083

　　近期，纳芯微宣布正式加入AEC (Automotive Electronics Council)汽车电子委员会，成为AEC组件技术委员会(Component Technical Committee)成员。

纳芯微正式成为AEC汽车电子委员会成员

　　AEC最初于1990年代由克莱斯勒、福特和通用汽车共同创建，其目标在于建立车辆及其部件的通用资质和质量标准体系，例如其制定的AEC-Q100标准，现已成为业内权威的汽车芯片测试标准。如今，AEC已经发展成为包括数十家汽车行业OEM和零部件供应商在内的权威行业组织。由AEC主管的组件技术委员会专注于制定可靠、高质量的汽车电子组件标准，为推动整个行业的持续发展树立标杆。

　　当前，全球汽车行业进入电动化、智能化加速发展阶段，带动汽车芯片需求快速增长。汽车芯片种类繁多且复杂，而汽车应用的严苛环境对元器件本身的可靠性、安全性均具有更高要求，因此其技术门槛更高，研发周期更长，相应认证标准也更为严格。

　　自2016年推出首款汽车芯片以来，纳芯微始终秉持可靠、可信赖的质量方针，在汽车芯片的设计、验证、量产等全流程均执行了AEC标准。凭借前瞻的产品布局、稳健的质量表现和可靠的交付记录，纳芯微在汽车电子领域的深耕获得了业界广泛认可：2021年获得TÜV莱茵ISO 26262功能安全管理体系最高等级ASIL-D认证，2023年获得权威认证测试机构VDE颁发的优秀质量奖。

　　此外，纳芯微在汽车电子领域的产品布局也不断完善，仅在2023年就先后推出多款车规级芯片，包括用于汽车电子执行器的马达驱动SoC-NSUC1610，采用MEMS工艺的压差传感器NSPGM2系列，霍尔开关/锁存器NSM101x系列，霍尔电流传感器NSM2019，可编程步进电机驱动器NSD8381-Q1以及多通道半桥栅极驱动NSD360x-Q1等，可广泛用于汽车车身控制、新能源车热管理、OBC/DCDC等应用场景。2023年前三季度，纳芯微汽车电子业务在公司营收中的占比提升至28%。

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　　随着汽车智能化程度不断提高，电源控制系统所处的工况愈加复杂，设计正面临以下关键挑战：　　• 输入波动更剧烈：冷启动、负载切换及瞬态冲击频繁出现，对控制器的动态响应速度与稳压能力提出更高要求;　　• EMI抑制难度加大：多模块并行工作，固定频率开关易在特定频段形成噪声叠加，增加辐射与传导干扰风险;　　• 可靠性要求更严苛：长期处于高温、高振动、高应力等车载环境，对控制器的稳定性提出更高标准。　　纳芯微全新推出的NSR2260x-Q1系列车规级PWM控制器，支持4.5V~50V宽输入电压范围，采用峰值电流模式控制架构，支持SEPIC、Flyback、Boost等多种拓扑结构，在宽输入电压范围与优异EMI性能之间实现平衡，为汽车电源系统提供高效、可靠的辅源控制方案!　　封装与选型　　NSR2260x-Q1系列提供两种封装选项，兼顾高功率密度设计与散热性能：　　• 3.0 mm ×2.0 mm DFN12(Wettable Flank结构，便于AOI自动光学检测，更好判断焊接质量)　　• 5.0 mm × 4.4 mm HTSSOP14(带引脚Lead-type封装)　　该系列产品符合AEC-Q100 Grade 1车规认证要求，可广泛应用于车载OBC&DCDC、主驱逆变器、汽车热管理、高级驾驶辅助系统(ADAS)等场景。　　NSR2260x-Q1系列产品选型表　　产品亮点　　宽输入与高精度控制，满足复杂工况下的稳压需求　　◆ 支持4.5V~50V宽输入电压范围，适应多样化车载电源环境，确保系统在电压波动下稳定运行;　　◆ 可调开关频率范围100kHz至1000kHz，适配不同功率等级与拓扑结构设计;　　◆ 采用峰值电流模式控制架构并内置可编程斜坡补偿机制，在高占空比工况下有效抑制次谐波振荡，提升动态响应与负载稳定性;　　◆ 提供1V ±1.5% 的高精度反馈参考电压，实现更精准的输出控制与稳压性能。　　强劲驱动能力，兼顾效率与系统兼容性　　◆ 内置驱动器，峰值驱动电流高达1.5A，支持快速开关切换以提高能量转换效率;　　◆ 3.8V欠压锁定阈值(VCC UVLO)与主流中压MOSFET栅极电压匹配，为系统提供充足驱动裕量与可靠性;　　多重保护机制，确保系统安全可靠运行　　◆ 集成逐周期限流、短路、过压及过温保护，提升控制器在异常状态下的安全性;　　◆ 支持输出过载/输出短路打嗝(Hiccup)模式过载保护(-2/-4/-6尾缀型号支持)，在连续过流后自动关断并自恢复，提高在异常工况下的系统可靠性。　　- 触发条件：当连续64个开关周期检测到CS限流则会触发打嗝(Hiccup)保护，芯片保持32768个周期停止开关动作;当触发打嗝保护后，在不满足退出条件时，若累计有64个开关周期检测到CS限流，则仍会启动打嗝(Hiccup)保护。　　灵活软启动与低功耗设计，兼顾系统能效与保护　　◆ 通过SS引脚外接电容即可灵活设定软启动时间，控制输出上升斜率，在上电与启动阶段有效抑制浪涌电流，保护功率器件与后级负载稳定启动;　　◆ 具备低静态电流与低关断电流(关断电流IQ：1.28μA)特性，有效降低待机能耗，支持车辆待机、休眠与低负载运行模式。　　完整车载辅源解决方案　　赋能高可靠性、高集成度、高效率电源系统设计　　随着NSR2260x-Q1系列的推出，纳芯微进一步完善了车规级PWM控制器产品矩阵，持续强化在车载电源控制领域的技术布局。除汽车应用外，纳芯微电源管理产品亦广泛布局工业与服务器电源等场景，满足不同系统对高功率密度、低EMI与长寿命运行的严苛要求。
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　　在工业和能源领域，效率和控制精密度是核心诉求。纳芯微NSSine™系列实时控制 MCU/DSP 再添新成员：中端算力新品 NS800RT5075，高性价比新品 NS800RT1025、NS800RT1035 正式发布。至此，NSSine™系列已实现 “高端-中端-入门级” 全档位覆盖，全系搭载高性能 Cortex®-M7 内核与可配置逻辑模块(CLB)，集传统 MCU 的易用性与 FPGA 的灵活定制性于一体：强大的处理能力确保复杂算法(如FOC、数字电源补偿计算)能够在极短时间内完成，CLB则允许用户自定义逻辑，实现硬件级协处理，有效卸载CPU负担，为工业设备、能源系统提供前所未有的实时性与控制精度。　　NS800RT1025/1035 夯实高性价比阵营：高集成、易兼容，加速中小功率场景落地　　作为NSSine™系列入门级阵营的补充，NS800RT1025/1035 以高外设集成度 + 主流封装兼容，精准匹配对成本敏感、需求场景标准化的应用，助力工程师快速推进产品开发。　　NS800RT1025/1035 功能框图：　　NS800RT1025/1035采用高性能Cortex®-M7内核，最高主频可达200MHz，兼顾算力与功耗平衡，满足中小功率设备的实时控制需求;在外设上，内置2个12位ADC模块(采样率4.375Msps，最高支持21个ADC采样通道)、4对模拟比较器，14路PWM输出(包含4路最高分辨率可达到80ps的HRPWM);在通信接口方面，集成CAN2.0B、SPI、UART、LIN(支持UART功能)、PMBUS等工程师高频使用的通信接口，无需额外扩展芯片即可实现设备互联，降低系统整体成本和复杂度，加速产品开发上市;同时，NS800RT1025/1035兼容友好封装，采用采用 (L) LQFP 系列主流封装，9mm×9mm~14mm×14mm，可直接兼容现有硬件设计规则，降低改板成本。　　NS800RT5075 领衔中端算力：高算力、高可靠，攻克复杂工业场景难题　　NS800RT5075 提供更高主频、更大存储、更丰富外设，针对多通道信号处理、高可靠性控制等复杂场景设计，适配工业伺服、大功率电源、智能电网等高端应用。　　在处理性能上，NS800RT5075采用高性能Cortex®-M7内核，最高主频可达300MHz，搭配 DSP 指令与 FPU(浮点运算单元)，可极速运行多变量复杂算法，应对高密度实时任务;在安全存储配置方面，内部集成 1MB 双 bank Flash(支持 ECC 校验)、13KB数据Flash、512KB RAM(带ECC校验)，ECC 技术可实时检测并修正存储错误，为高安全可靠算力提供保驾护航;同时，NS800RT5075具备超强外设扩展能力，内置8个sigma-delta滤波器通道、4个CLB模块、3个12位ADC模块(4.375Msps，最高支持25个ADC采样通道)、8个模拟比较器、24路PWM输出(包含16路最高分辨率可达到124ps的HRPWM)，适配多传感器协同采集场景，并且支持更精细的功率调节与电机控制;通信接口包含CANFD、CAN2.0B、SPI、UART、PMBUS，以工程师最为熟悉的外设，服务创新应用。　　此外，NS800RT5075采用HLQFP高散热封装(最大176管脚)形式HLQFP，适配长时间高负载运行的工业环境。　　全档位覆盖，赋能工业能源领域创新　　随着中端算力型号 NS800RT5075、高性价比型号 NS800RT1025/1035 的发布，NSSine™系列实时控制 MCU/DSP 已全面完善 “高 / 中 / 入门级” 产品矩阵，实现全档位覆盖。以 “Cortex®-M7+CLB” 的融合技术、差异化的功能配置，为工业自动化、能源管理、汽车电子等领域提供 “精准匹配、灵活选型” 的解决方案。　　整个产品矩阵均基于Arm Cortex-M7内核，同时，三个系列产品的性能边界十分清晰，主要通过“算力、存储、外设”三个维度区分：　　(1)算力：高端产品主频400MHz，支持eMath核(完整数学运算加速);中端产品主频300MHz，支持eMath核;高性价比产品主频200MHz，支持mMath核(精简版数学加速，仅保留核心运算);　　(2)存储：高端产品搭配256K TCM + 1MB eFlash，中端产品128K TCM + 512KB eFlash，高性价比产品80K TCM + 256KB eFlash;　　(3)外设：高端产品支持EtherCAT、CAN-FD等工业总线及更多ADC/PWM通道;中端产品支持CAN-FD，精简工业总线;高性价比产品仅保留SPI、UART等基础接口，满足中小功率场景需求。　　此外，纳芯微从开发工具、应用方案、软件与文档支持三个维度打造了完备的产品生态，已形成从头部到长尾的全生态服务体系，并在风光储能、工业电机、汽车电子等领域实现突破。未来，随着"边缘AI+实时控制"战略的推进，纳芯微将引领实时MCU应用进入智能化新时代，为风光储、新能源汽车、工业自动化等关键领域提供更强大的技术支撑，在巩固现有国产替代成果的同时，开拓全新增长曲线。
2025-10-30 09:53 阅读量：317
纳芯微从600V到2000V：“隔离+” 如何赋能光伏与储能系统升级？
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纳芯微从600V到2000V：“隔离+” 如何赋能光伏与储能系统升级？

　　2025年，“2000V”成为光伏与储能领域的热词。继600V、1000V、1500V之后，行业正加速迈向更高电压平台。随着器件耐压、绝缘与标准体系的完善，更高母线电压正成为提升功率密度与系统经济性的关键方向。　　电压提升的背后，安全挑战同步升级。隔离芯片作为系统的核心防线，既防止触电风险，又保障设备稳定运行。数字隔离器、隔离驱动、隔离采样与隔离接口等多类器件协同作用，以确保高低压间信号传输与绝缘安全的可靠性。　　纳芯微基于双边增强隔离电容与 Adaptive OOK® 调制技术，构建通过多项国际安规认证的“隔离+”产品体系，为全电压范围与全功率段的光伏与储能系统提供高可靠、高性能的系统级解决方案。本文将聚焦两个方向：一是解析电压升级背景下隔离类器件在绝缘设计与安规标准的最新变化;二是探讨 2000V 与 500+kW 级光储系统中，功率拓扑、驱动与采样架构的技术演进。　　01 面对光储新绝缘安规,隔离类器件耐压、宽度如何变化?　　母线电压升高的原因主要有两点：　　光伏板能力持续增强，输出电压和功率不断提升;　　根据功率公式(P = U × I)，在功率不变的情况下，电压升高可使得电流减小，从而降低导线横截面需求，节省整体系统成本。　　母线电压升高，会导致隔离类芯片的工作电压要求提高。纳芯微在售隔离类器件已经支持最高达2121Vdc工作电压的稳定运行，可帮助实现2000V系统下的基本绝缘。同时，纳芯微已经在开发能力更强的隔离技术，可在更高的Vdc下可靠运行。　　另一方面，防触电绝缘系统的 CLR(绝缘间距)和 CPG(爬电距离)至关重要。CLR 防止瞬态电压产生空气电离或电弧(短期)，CPG 防止在工作电压下产生绝缘击穿或漏电起痕(长期)。一般来说，芯片的宽度需要同时大于等于安规对应用场景下的CLR与CPG的要求。　　随着母线电压升高，绝缘需求增加，常规爬电距离的芯片难以满足安全标准，宽体甚至超宽体设计成为必然选择。目前，纳芯微已有多款基于专利Adaptive OOK®调制技术的宽体与超宽体隔离器件，例如超宽体数字隔离器NSI82xx、超宽体隔离驱动NSI6801EC等，可适用于2kV超高母线电压平台。NSI82xx系列选型表NSI6801功能框图与Pin脚定义　　同时，多款集成隔离功能与隔离供电功能的通讯接口芯片(如RS485 NSI8308xE、CAN NSI1042、NSI1050、NSI1052)也可满足不同应用需求，系统性帮助客户差异化实现系统集成化与低成本。　　02 kV与500+kW：光储场景拓扑与功率器件、驱动、采样如何变化?　　在 600V 至 1500V 进化路径中，组串式系统的 MPPT 级和逆变级拓扑已从 Si 两电平演进成 Si 三电平或 SiC 两电平，系统功率也从 100+kW、200+kW 持续提升至 300+kW。当前，业内针对2000V系统推出的初代组串式光伏逆变器与储能变流器产品普遍已经达到450kW左右。在2000V系统下，大型组串式系统单机功率将快速推进到500+kW级别。　　更高的输入电压和功率要求，将直接影响系统方案设计：　　系统架构上，MPPT数量、串数及单路功率随系统规模不断提升，保证高效能量转化与功率跟踪。　　拓扑结构持续进化，功率器件耐压与通流等级不断提升、驱动方案做出调整。　　近年来，SiC碳化硅器件因其高耐压、高开关速度、低损耗、高过载能力等优势开始崭露头角。随着光伏与储能系统的持续进化与SiC器件的持续普及，下一代的光伏与储能逆变器系统将更为广泛地应用SiC器件。针对SiC特性，纳芯微推出了优化的隔离栅极驱动解决方案(如NSI660x系列)，能够满足系统高压、高效率升级需求。纳芯微同时还提供电流型输入的隔离栅极驱动器(如NSI6801系列)，以高速响应、高拉灌电流能力以及强抗扰能力应对更复杂的电磁环境与设计，确保整机系统的高效稳定运行。纳芯微隔离驱动功能框图　　高压侧电流检测的可靠性与精准度直接影响系统效率与安全。更大的功率带来更高的电流与更具挑战的电磁环境，更先进的功率器件带来更快的暂态特性。这需要电流检测拥有更高的通流、更高的信噪比与抗干扰性、更高的带宽。　　现有光储系统中基于半导体芯片的电流检测方案可分为两类：　　基于霍尔原理的电流传感器，通过磁场耦合实现天然隔离，简化高低压绝缘设计;　　基于分流器的采样方案，需搭配隔离运放或调制器完成电气隔离，但精度更高、非线性度更低、温漂和失调电压特性更优，同时能有效抵御外部磁场干扰，是高精度场景优选方案。　　为应对更大的工作电流，纳芯微霍尔电流传感器NSM201x系列采用隔离的方式将±65A以内的电流转换成线性电压输出，适用于多种隔离电流采样场合，满足光伏组串式逆变器DC输入侧MPPT(最大功率点)跟踪的电流检测。其升级版本NSM201x-P系列今年发布，能显著降低灵敏度误差与漂移、零点误差与漂移，同时大幅提升了EMC(电磁兼容性)抗干扰能力。　　NSM201x-P系列全温度范围内零点误差和灵敏度误差　　批量数据分布情况　　与此同时，在更具挑战电磁环境下，纳芯微NSI13xx系列电流采样芯片提供适配性解决方案：增强隔离型运放NSI1300、NSI1200及Sigma-delta调制器NSI1306可精准用于相电流采样;NSI1311则以高输入阻抗与2V线性输入范围，满足直流母线电压检测需求，为MPPT DC-DC在高压环境下提供可靠信号支撑。　　NSI1311 功能框图　　样品申请　　纳芯微从“隔离”迈向“隔离+”，以全生态产品矩阵构筑系统安全防线。“+”不仅意味着超越基础隔离标准的安全保护，为客户系统打造更坚固的高低压屏障，也代表完整的产品生态——以成熟的电容隔离技术 IP 为核心，涵盖数字隔离器、隔离驱动、隔离采样、隔离接口和隔离电源，实现一站式解决方案，深度赋能大功率光储充系统等核心场景。　　随着母线电压从600V提升至2000V，光伏逆变器面临更高电压应力与功率密度挑战，纳芯微“隔离+”产品矩阵配合 SiC/IGBT 功率器件，为系统在高压环境下提供精准、高效、稳定的运行保障，为光伏与储能系统安全升级提供坚实支撑。
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