佰维发布CXL 2.0 DRAM，赋能高性能计算

发布时间：2023-12-27 14:04
作者：AMEYA360
来源：佰维
阅读量：2034

　　导语：CXL是一种开放式全新互联技术标准，可在主机处理器与加速器、内存缓冲区、智能I/O设备等设备之间提供高带宽、低延迟连接，从而满足高性能异构计算的要求，并且其维护CPU/GPU内存空间和连接设备内存之间的一致性，突破内存墙瓶颈，缩减整体响应时间。此外，CXL支持部署新的内存层，可以弥合主内存和SSD存储之间的延迟差距。

　　随着AI应用爆发，“内存墙”成为制约计算系统性能的主要因素之一。CXL建立在PCIe的物理和电气接口之上，CXL内存扩展功能可在服务器中的直连DIMM插槽之外实现额外的内存容量和带宽，支持内存池化和共享，满足高性能CPU/GPU的算力需求。

　　近日，佰维成功研发并发布了支持CXL 2.0规范的CXL DRAM内存扩展模块。佰维CXL 2.0 DRAM采用EDSFF(E3.S)外形规格，内存容量高达96GB，同时支持PCIe 5.0×8接口，理论带宽高达32GB/s，可与支持CXL规范及E3.S接口的背板和服务器主板直连，扩展服务器内存容量和带宽。同时，佰维可针对无E3.S接口的服务器背板提供CXL AIC转接卡。

佰维发布CXL 2.0 DRAM，赋能高性能计算

　　佰维CXL 2.0 DRAM的特点和优势

　　1搭载高性能内存扩展控制器，遵循CXL2.0 Type3标准，支持PCIe5.0x8接口，理论带宽高达32GB/s。

　　2严选优质DDR5内存颗粒，容量高达96GB。

　　3支持On-Die ECC、Side-Band ECC、SDDC、SECDED等功能。

　　4允许多达16台主机同时访问内存的不同部分，支持内存池化共享。

　　5同步开源发布CXL DRAM软件工具包，以确保用户无障碍部署CXL扩展内存。工具包特点：可提供CXL的显示，隐式API，客户可根据不同应用场景进行使用;可提供应用层级的CXL的numa工具使用方法，建立应用层级对CXL的直观感受。

　　Latency性能方面，在实际测试中，佰维CXL 2.0 DRAM挂载于node 2节点，与挂载于node 0节点的CPU存取Latency为247.1ns，带宽超过21GB/s，Latency性能优异，赋能数据高速处理。

佰维发布CXL 2.0 DRAM，赋能高性能计算

佰维发布CXL 2.0 DRAM，赋能高性能计算

　　人工智能(AI)和机器学习(ML)对高速数据处理的需求持续增长，佰维CXL 2.0 DRAM兼具支持内存容量和带宽扩展、内存池化共享、高带宽、低延迟、高可靠性等特点，赋能AI高性能计算。目前，佰维可为客户和合作伙伴提供32GB~96GB CXL 2.0 DRAM的功能样机，进行联合评估和测试。未来，佰维将持续关注CXL技术，赋能高性能计算需求。

　　延伸：AIC转接卡

　　针对无E3.S接口的服务器背板，佰维可提供AIC转接卡，助力服务器实现CXL RDIMM内存扩展。

（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

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　　随着AI眼镜、智能手表等穿戴设备持续向极致轻薄、持久续航与多模态AI应用进化，存储芯片迎来尺寸更小、功耗更低、性能更强的全面挑战。佰维ePOP5x以超小体积、高效能与高可靠优势，为移动智能终端打造“小而强”存储方案，让轻薄设备也能释放澎湃AI能力!　　佰维长期深耕智能穿戴存储解决方案，依托多层超薄堆叠封装技术+软硬件研发能力，实现产品在小型化、高性能与高可靠之间的系统级平衡，目前，佰维 ePOP 系列产品已规模化应用于多家国际头部品牌的旗舰级穿戴设备。全新推出的佰维 ePOP5x 进一步突破性能与体积边界，相较前代产品的功耗降低约 25%、封装厚度缩减约 32%，传输速率提升一倍，可充分满足移动智能设备的存储与运行需求。　　佰维 ePOP5x 的优势　　1、符合JEDEC标准，集成eMMC与LPDDR5X，球间距0.35mm，尺寸仅8.0×9.5×0.54mm，可直接贴装于主SoC，助力极致轻薄设计，赋能智能眼镜、智能手表等AI穿戴设备。　　2、LPDDR5X 核心采用超低电压架构，idle 状态功耗仅100μA，I/O 电压低至 0.3V(ODT 关闭时)，高负载场景也能控温降耗，避免宕机，显著延长移动设备单次续航。　　3、内置错误检测与坏块管理机制，支持 RPMB 安全存储和 FFU 固件升级功能，同时，支持 -25℃ to +85℃宽温工作环境，全方位保障数据安全与设备长期稳定运行。　　4、eMMC 支持 HS400 高速模式，最高数据传输率达400MB/s，LPDDR5X 最高数据传输速率达8533Mbps，配合 16n/32n 位预取架构，可快速加载内容、高效处理高频任务。　　佰维基于LPDDR5X 201球的ePOP产品，凭借超小体积、低功耗、高性能、高可靠性等优势，精准适配高端智能穿戴、移动智能设备需求，从存储端全面提升设备使用体验。　　超小体积　　大幅节省内部空间，支撑AI智能眼镜、高端智能手表等设备的轻量化设计，也为超薄手机等移动设备的集成化布局预留空间。　　低功耗　　延长设备续航，减少穿戴设备发热，提升佩戴舒适度，同时降低移动设备高负载运行时的能耗，缓解移动设备高压场景下的续航压力。　　高性能　　支持AI眼镜高负载任务，实现高端智能手表秒级开机，满足手机多任务处理、高清拍摄等需求，保障AI智能设备的沉浸式体验。　　高可靠性　　保障智能穿戴设备稳定工作，同时强化移动智能设备抗摔、抗老化能力，抵御复杂环境干扰，确保数据安全。　　佰维通过“解决方案研发+先进封测制造”的垂直整合经营模式，不仅可在产品的性能、尺寸方面不断迭代优化升级，还可以快速响应客户定制需求，实现从技术预研、工程验证到量产交付的全过程深度协同。此次佰维 ePOP5x 产品的推出，不仅展示了佰维在智能穿戴领域的技术进步与创新，同时也为移动智能设备提供了“小尺寸 + 高效能”存储的方案。　　随着AI穿戴设备向更加轻量化、更加智能的交互方式演进，佰维也将聚焦终端厂商客户与用户体验，在小型化嵌入式存储方面积累更多核心技术与高价值专利，打造面向端侧AI时代的高性能、低功耗、高可靠嵌入式存储标杆产品体系，持续赋能全球智能终端产业创新。
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