ETAS和英飞凌获得NIST加密套件认证

Release time：2023-12-06
author：AMEYA360
source：网络
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　　领先的软件定义汽车(SDV)解决方案提供商ETAS 与英飞凌科技股份公司的加密算法套件成功通过认证。该证书在美国国家标准与技术研究院(NIST)的加密算法验证计划(CAVP)下进行验证，并授予了 ESCRYPT CycurHSM。该汽车嵌入式安全软件堆栈，基于英飞凌第二代 AURIX™ TC3xx半导体硬件安全模块(HSM)实现。

ETAS和英飞凌获得NIST加密套件认证

　　英飞凌第二代 AURIX™ TC3xx 硬件安全模块

　　国际公认的CAVP 测试协议被视为约定俗成的标准。该标准针对加密算法实现的质量进行验证，并确保其按照NIST(负责制定加密标准和指南的美国联邦机构)的规定正确运行。通过CAVP测试协议对已实现的加密套件进行独立验证，可确保其达到美国联邦政府加密软件标准——美国联邦信息处理标准(FIPS)认证中的关键要求。

　　ETAS车载安全运营部门概念和交付负责人Mark Elkins 表示：“通过获得CAVP认证，ETAS和英飞凌进一步证明了双方致力于为客户提供一流安全解决方案的承诺。CAVP认证减轻了全球汽车OEM进行额外算法验证的负担，确保其车辆中安装的都是最先进的安全产品。”

　　英飞凌科技软件、合作伙伴与生态系统管理部门高级总监Thomas Schneid表示：“此次CAVP认证将进一步增强客户对英飞凌MCU产品以及在我们合作伙伴生态系统内开发的软件解决方案的信心。AURIX具有丰富的产品组合，并具有像ETAS这样的解决方案提供商作为合作伙伴，这都足以证明AURIX完全能够满足汽车应用随着市场的不断发展演进而日益苛刻的要求。”

　　ESCRYPT CycurHSM是一种汽车嵌入式安全软件堆栈，可使用汽车微控制器(MCU)上的硬件安全模块实现安全信任锚。它有助于满足OEM的复杂安全要求，并且可部署在包括域控制器在内的任何汽车电子控制单元(ECU)中。ESCRYPT CycurHSM可以顺利集成到任何AUTOSAR堆栈或引导加载程序中，并且也适用于非 AUTOSAR系统。

　　英飞凌的第二代AURIX TC3xx HSM可用于AURIX TC3xx MCU系列的所有型号。因此，ESCRYPT CycurHSM V2.7.13的CAVP验证适用于整个AURIX TC3xx系列。这表明AURIX TC3xx HSM完全能够借助集成的加密加速器支持经CAVP验证的加密算法实现。

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　　英飞凌EconoDUAL™ 3 1200V/1.4mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET半桥模块，增强型1代M1H芯片、集成NTC温度传感器和PressFIT引脚，还可提供预涂导热材料TIM版本(FF1MR12MM1HP_B11)或基板背面的Wave波浪结构，用于直接液体冷却(FF1MR12MM1HW_B11)。目标应用为储能系统，通用电机驱动器，不间断电源(UPS)，电动汽车充电等。　　产品型号　　■ FF1MR12MM1H_B11　　PressFIT引脚　　■ FF1MR12MM1HP_B11　　PressFIT引脚，预涂TIM导热材料　　■ FF1MR12MM1HW_B11　　Wave直接水冷　　产品特点　　开关损耗低　　卓越的栅极氧化物可靠性　　更高的栅极阈值电压　　更高的功率输出　　坚固耐用的集成体二极管　　高宇宙射线稳健性　　高速开关模块　　Tvj(op)=175°C过载　　PressFIT引脚　　螺母功率端子　　集成NTC温度传感器　　隔离基板　　应用价值　　开关频率高　　减少体积和尺寸　　降低系统成本　　热效率高　　竞争优势　　高开关频率(>7kHz)　　针对高速电机进行了优化　　应用领域　　商用车辆、工程车辆和农用车辆(CAV)　　储能系统　　通用电机驱动器-变频和变压　　暖通空调　　电机控制　　不间断电源(UPS)　　电动汽车充电
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英飞凌：用于CoolSiC™ MOSFET FF6MR20W2M1H_B70的双脉冲测试评估板
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　　英飞凌评估板是用于评估采用1ED3890MC12M栅极驱动器的FF6MR20W2M1H_B70 CoolSiC™ SiC MOSFET模块。用户可以通过双脉冲测试来评估器件性能。目标应用为电动汽车充电，ESS PFC，直流-直流变换器和太阳能等。　　这是一个用于测试半桥配置的2kV CoolSiC™ EasyDUAL™ 2B MOSFET的双脉冲测试评估板。它可以可靠、快速的使用1ED3890MC12M EiceDRIVER™驱动2kV SiC半桥电路。　　产品型号：　　■ EVAL-FFXMR20W2M1HS　　■ EVAL-FFXMR20W2M1HR　　所用器件：　　■ FF6MR20W2M1H_B70 6mΩ 2kV M1H SiC MOSFET　　■ 1ED3890MC12M 2300V单通道高度灵活的隔离栅极驱动器，可通过I2C配置DESAT、软关断、UVLO、米勒钳位、TLTO和故障　　产品特点　　用于评估Easy 2B FF6MR20W2M1H_70 2千伏SiC MOSFET半桥模块，采用CoolSiC™沟槽栅SiC MOSFET技术　　驱动IC 1ED3890MC12M带I2C总线，用于参数调整　　用于双脉冲测试的大容量直流母线电容器　　有两种版本，可选择使用Rogowski线圈或同轴分流器进行电流测量　　应用价值　　132 µF板载大容量薄膜电容　　压接式FF6MR20W2M1H模块　　负栅极驱动电压可以调整　　框图　　应用领域　　电动汽车充电　　ESS PFC　　直流-直流变换器　　太阳能应用
2025-06-16 11:51 reading：550
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2025-05-19 10:48 reading：660
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2025-05-19 09:50 reading：759
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