NSI1200是输出与输出基于NOVOSENSE电容隔离技术的隔离电流采样运放。此系列产品具有线性差分输入信号±50mV(满量程±64mV)或±250mV范围(满量程±320mV)。故障安全功能包括输入共模过压检测和VDD1缺失检测,简化了系统设计和诊断。NSI1200的固定增益为8,并提供差分模拟输入。低失调和增益漂移确保了整个温度范围内的精度。高共模瞬变抗扰度(CMTI)可确保即使在存在大功率开关的情况下(例如在电机控制应用中),该设备也能够提供精准而可靠的测量结果。
产品特性:
最高5000Vrms绝缘电压
±250mV线性输入电压范围
固定增益:8
低偏置误差和温漂:
±0.5mV(Max),-4?4μV/°C(Max)
低增益误差和温漂:
±0.3%(Max),±50ppm /°C(Max)
低非线性和温漂:
±0.03%(Max),±1ppm /°C(Typ)
SNR:86dB(Typ,BW = 10kHz),72dB(Typ,BW = 100kHz)
带宽:100kHz(Typ)
高CMTI:150kV /us( Typ)
系统级诊断功能:
VDD1监控
输入共模过压检测
工作温度:-40°C?125°C
符合RoHS的封装:
SOP8(300mil)
DUB8
安全认证:
UL1577认证: 1分钟 5kVrms
CQC认证:符合GB4943.1-2011
CSA认证:组件符合5A
VDE认证:DIN V VDE V 0884-11:2017-01
应用场景:
分流电流监控
交流电机控制
电力和太阳能逆变器
不间断电源供应
车载充电器
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model | brand | Quote |
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CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
TL431ACLPR | Texas Instruments | |
MC33074DR2G | onsemi |
model | brand | To snap up |
---|---|---|
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies |
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