一片晶圆可以产出多少芯片

Release time：2023-10-13
author：AMEYA360
source：网络
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  芯片的制造过程可以分为前道工艺和后道工艺。前道是指晶圆制造厂的加工过程，在空白的硅片完成电路加工，出厂后依然是完整的圆形硅片。后道是指封装和测试过程，在封测厂中将圆形的硅片切割成单独的晶粒，完成外壳的封装，最后完成终端测试，出厂为芯片成品。

一片晶圆可以产出多少芯片

 一片晶圆可以产出多少芯片取决于晶圆的大小，晶粒的大小和良率三个因素。本期我们将从这三个方面简单的展开说说。　  

  一片wafer有多大?

  晶圆，又称wafer, 常见的尺寸大小为6英寸、8英寸、12英寸等，换算成mm分别是150mm, 200mm,300mm, 这里的长度指的是晶圆的直径。由此可见，12寸的直径是8寸晶圆直径的1.5倍，12寸晶圆的面积为8寸晶圆的2.25倍。

  什么是“Die”?

  Die指的是芯片未封装前的晶粒，是从wafer上用激光切割而成的一个单独的晶圆区域，它包含了芯片的一个完整功能单元或一组相关功能单元。每个Die最终都切割成一个小方块并封装起来，成为我们常见的芯片。

  晶圆的良率很重要

通常芯片的制造步骤会设计到几百步工艺，其相当长且很复杂。这些制程也不可能每次都很完美，因此晶圆的良率管控就显得尤其重要，同时良率对产品的成本也有着显著的影响。

  晶圆可切割晶粒计算器 DPW

  一片晶圆可以切出多少芯片?抛去良率因素，这是一个简单的图形面积计算问题，它的专有的表征名词是“DPW”，DPW是Die Per Wafer的缩略词。晶圆可切割晶粒数(DPW)的计算是非常简单的。它的计算实际上是与圆周率π有密切的关联。　  

一片晶圆可以产出多少芯片

  晶圆上的晶粒其实可以看作是圆形所能容纳下的所有方形的集合。所以，可切割晶粒数的计算就是利用圆周率和晶圆尺寸作为已知参数，确定出整体圆形区域能容量下的方形数量。

  π：圆周率

  d: 晶圆直径

  W: 晶粒长度

  H: 晶粒宽度

  晶圆尺寸和晶粒尺寸虽然是已知的，但是，由于晶粒相互之间是有空隙(如预留的划道)的，晶圆的边缘去除区也不可用。这些因素使得计算变得稍微有点复杂和棘手。因此，把DPW工具的计算结果作为可切割晶粒估算值而非精确的计算值可能更准确一点。

  除了前面提到的无效区域外，晶圆厂还会额外占用部分区域做测试(PCM结构)，相对而言也会占用晶圆一小部分面积。另外还有划道、晶圆裕量，以及因为各工序之间或晶圆厂之间要求不同而导致的测试结构大小不一致而浪费的区域。因此，如需精确的最终DPW数值应直接向晶圆厂问询，以得到更专业准确的数据。

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2026-02-06 15:20 reading：182
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　　1月21日上午10时，国务院新闻办公室举行新闻发布会，请工业和信息化部副部长张云明介绍2025年工业和信息化发展成效以及下一步部署。　　他表示，国内企业发布多款人工智能芯片产品，智能算力规模达1590EFLOPS，行业高质量数据集加速涌现，国内大模型引领全球开源生态。据有关机构测算，2025年我国人工智能企业数量超过6000家，核心产业规模预计突破1.2万亿元。目前，人工智能已渗透领航工厂70%以上的业务场景，沉淀了超6000个垂直领域模型，带动1700多项关键智能制造装备与工业软件规模化应用，形成一批具备感知、决策和执行能力的工业智能体，推动智能制造从“自动化”向“自主化”演进。　　近期，工信部联合7部门出台《“人工智能+制造”专项行动实施意见》，并配套制定了行业转型指引和企业应用指南。下一步，我们将以落实《实施意见》为抓手，加快推动人工智能产业高质量发展。抓好技术创新，加快突破训练芯片、异构算力等关键技术。抓好融合应用，聚焦软件编程、新材料研发、医药研发、信息通信等行业领域，体系化推动大小模型、智能体实现突破。抓好企业培育，激发涌现更多赋能应用服务商。抓好生态建设，加快制定行业急需标准，健全人工智能开源机制。抓好安全治理，强化算法安全防护、训练数据保护等攻关应用，提升企业伦理风险防范能力。
2026-01-26 17:52 reading：348
复旦大学研发出“纤维芯片”，攻克柔性电子核心瓶颈！
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二十年困局被破解！西电团队攻克芯片散热难题
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　　近日，西安电子科技大学郝跃院士团队在半导体材料领域取得关键突破，成功解决了困扰业界二十年的芯片散热与性能瓶颈问题。相关成果已发表于国际顶级期刊《自然·通讯》与《科学·进展》。　　该研究的核心在于改善半导体材料层间的界面质量，特别是第三代半导体氮化镓与第四代半导体氧化镓之间的高效集成。　　传统方法采用氮化铝作为中间层，但其在生长过程中会自发形成粗糙、不规则的“岛屿”结构，这一自2014年诺贝尔奖相关成果以来始终未能根本解决的难题，严重制约了射频芯片功率的提升。　　研究团队通过创新性地在高能离子注入技术，使晶体成核层表面变得平整光滑，从而将界面的热阻降低至原先的三分之一，有效解决了高功率半导体芯片的共性散热问题。　　基于此项突破，团队研制出的氮化镓微波功率器件，其单位面积功率较当前市面上最先进的同类器件提升了30%至40%。　　据团队成员周弘教授介绍，这项技术意味着未来探测设备的探测距离将显著增加，通信基站则可实现更广的信号覆盖与更低的能耗。　　对于普通用户，该技术也有望逐步带来体验升级。周弘指出：“未来若在手机中应用此类芯片，在偏远地区的信号接收能力会更强，续航时间也可能延长。”团队目前正进一步研究将金刚石等超高热导材料应用于半导体，如能攻克相关技术，半导体器件的功率处理能力有望再提升一个数量级，达到当前水平的十倍甚至更高。　　这项突破不仅打破了长期存在的技术瓶颈，也为未来半导体器件向更高功率、更高效率发展奠定了关键基础。
2026-01-20 13:15 reading：362
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