常用的半导体光电器件有哪些-Ameya360 electronic components purchasing network

常用的半导体光电器件有哪些

Release time：2023-09-05

author：AMEYA360

source：网络

reading：2509

　　半导体光电器件是指利用半导体材料的光电效应，将光信号转换为电信号或电信号转换为光信号的器件。随着半导体技术的不断发展和应用领域的扩大，半导体光电器件在通信、显示、能源等方面起到了重要的作用。本文AMEYA360电子元器件采购网将介绍几种常见的半导体光电器件及其应用。

常用的半导体光电器件有哪些

　　1. 光电二极管(Photodiode)

　　光电二极管是一种能够将光信号转换为电信号的器件。它利用PN结内光生电压效应实现光到电的转换。当光照射到PN结上时，光子的能量被吸收，产生电子和空穴，并在电场的作用下形成电流。光电二极管具有高灵敏度、快速响应和宽波长范围等特点，广泛应用于光通信、图像传感、光检测等领域。

　　光电二极管在通信领域中常用于接收光信号并转换为电信号，实现数据的解码和处理。此外，它们还被广泛应用于传感器、太阳能电池、光谱分析等领域。

　　2. 激光二极管(Laser Diode)

　　激光二极管是一种能够产生相干激光的器件。它利用半导体材料的电子跃迁和受激辐射原理，通过激发材料中的激光介质，产生相干、单色且高亮度的激光束。激光二极管具有小型化、高效率、快速调制的特点，在光存储、光通信、激光打印等领域有重要应用。

　　激光二极管广泛应用于光通信、激光打印、医疗美容、激光雷达等领域。在光通信中，激光二极管作为光源发出激光信号，实现高速传输和长距离传输，为光纤通信提供支持。

　　3. 发光二极管(Light Emitting Diode)

　　发光二极管是一种能够将电信号转换为光信号的器件。它利用半导体材料的特殊性质实现电能到光能的转换。当正向偏置电压施加在PN结上时，载流子会在结内复合，产生能量差并以光子形式发射出来，从而产生可见光或红外光。发光二极管具有小体积、寿命长、耗能低等特点。

　　发光二极管广泛应用于照明、显示屏、汽车照明、摄像头闪光灯等领域。随着技术的进步，发光二极管的亮度和效率不断提高，使其在照明领域逐渐替代传统的白炽灯和荧光灯，成为更节能环保的选择。

　　4. 光电晶体管(Phototransistor)

　　光电晶体管是一种能够将光信号转换为电信号放大的器件。它结合了光电二极管和晶体管的特点，在光电二极管的基础上增加了放大功能。当光照射到光电晶体管上时，产生的光电流通过晶体管的放大作用得以放大，从而得到一个更强的输出信号。

　　光电晶体管广泛应用于光测量、光通信和光控制等领域。它们常用于光电转换和光信号放大的应用中，例如光电传感器、遥控器接收器等。

　　5. 光敏电阻器(Photoresistor)

　　光敏电阻器是一种根据光照强度改变电阻值的器件。它利用半导体材料中光敏效应的特性，当光照射到光敏电阻器上时，其电阻值会发生变化。光敏电阻器具有响应速度快、成本低廉等特点。

　　光敏电阻器常用于光控制和光测量等领域。它们可以用于调光系统、自动亮度调节、摄像头曝光控制等应用中。

　　半导体光电器件在现代科技中起到了重要的作用，并在通信、显示、能源等领域发挥着关键的作用。光电二极管、激光二极管、发光二极管、光电晶体管和光敏电阻器是几种常见的半导体光电器件。它们各自具有不同的工作原理和特点，并在各个领域中发挥着独特的作用。随着技术的不断进步，我们可以期待半导体光电器件在未来的发展中带来更多创新和应用的可能性，为社会的发展做出更大的贡献。

（"Note: The information presented in this article is gathered from the internet and is provided as a reference for educational purposes. It does not signify the endorsement or standpoint of our website. If you find any content that violates copyright or intellectual property rights, please inform us for prompt removal."）

行业新闻

从设计到封测：一文读懂半导体产业核心术语

　　一、设计与EDA/IP　　1. IC设计：集成电路设计。　　2. EDA：电子设计自动化。指用于设计芯片的软件工具套件。　　HDL：硬件描述语言。如 Verilog, VHDL。　　RTL：寄存器传输级。设计过程中的一个抽象层次。　　DFT：可测试性设计。在设计中加入便于测试的结构。　　DFM：面向制造的设计。优化设计以提高制造良率。　　PDK：工艺设计套件。晶圆厂提供给设计公司的工艺文件包。　　Simulation：仿真。　　Verification：验证。　　Synthesis：逻辑综合。　　P&R：布局布线。　　STA：静态时序分析。　　3. IP：知识产权核。预先设计好、可复用的电路模块(如CPU核、接口IP等)。　　SoC：片上系统。将多个功能模块集成到单一芯片上。　　ASIC：专用集成电路。为特定应用定制的芯片。　　ASSP：专用标准产品。为特定应用领域设计的标准芯片(介于ASIC和通用芯片之间)。　　FPGA：现场可编程门阵列。可编程的逻辑芯片。　　4. Fabless：无晶圆厂模式。公司只负责芯片设计和销售，制造外包给晶圆代工厂。　　5. IDM：集成器件制造商。公司覆盖设计、制造、封装测试等全产业链环节(如 Intel, Samsung)。　　二、制造(晶圆加工 / Foundry)　　1. Wafer：晶圆。制造芯片的硅基片。　　Ingot：硅锭。切割成晶圆的原材料。　　Si：硅。　　SOI：绝缘体上硅。一种特殊结构的晶圆。　　Epitaxy：外延。在晶圆表面生长单晶层。　　2. Fab：晶圆厂。　　3. Foundry：晶圆代工厂。专门为其他公司制造芯片的工厂(如 TSMC, SMIC)。　　4. Process Node：工艺节点/制程节点。描述制造工艺先进程度的指标(如 7nm, 5nm, 3nm)。越小通常代表技术越先进。　　5. Front End Of Line：前道工艺。在晶圆上制造晶体管和互连线的过程。　　CVD：化学气相沉积。　　PVD：物理气相沉积。　　ALD：原子层沉积。　　Wet Etch：湿法刻蚀。　　Dry Etch / Plasma Etch：干法刻蚀/等离子刻蚀。　　Mask / Reticle：掩模版/光罩。承载电路图形的母版。　　Stepper / Scanner：步进式/扫描式光刻机。　　DUV：深紫外光刻。使用 248nm 或 193nm 波长的光刻技术。　　ArF / KrF：分别指 193nm 和 248nm 光刻使用的激光光源类型。　　Immersion Lithography：浸没式光刻。提高光刻分辨率的技术。　　EUV：极紫外光刻。使用 13.5nm 波长的下一代光刻技术。　　Lithography：光刻。使用光将电路图形转移到晶圆上的关键工艺。　　Etch：刻蚀。将光刻胶图形转移到下层材料的过程。　　Deposition：沉积。在晶圆表面生长薄膜材料的过程。　　Ion Implantation：离子注入。将杂质离子注入硅中形成特定电学特性的区域。　　CMP：化学机械抛光。平坦化晶圆表面的工艺。　　Thermal Processing：热处理。如氧化、扩散、退火等。　　Cleaning：清洗。去除晶圆表面污染物的工艺。　　Metrology：量测。对晶圆进行各种物理和电学参数的测量。　　Inspection：检测。查找晶圆上的缺陷。　　Yield：良率。合格芯片占总芯片数的百分比。　　6. Transistor：晶体管。芯片的基本开关单元。　　MOSFET：金属氧化物半导体场效应晶体管。最常见的晶体管类型。　　FinFET：鳍式场效应晶体管。3D结构晶体管，用于先进节点。　　GAA：环绕栅极晶体管。FinFET的后继技术。　　7. Interconnect：互连线。连接晶体管的金属导线。　　BEOL：后道工艺。制造互连线的过程。　　Damascene Process：大马士革工艺。制造铜互连的主流工艺。　　三、封装与测试　　1. Back End Of Line / OSAT：后道工艺 / 外包半导体封装和测试厂商。指芯片制造完成后的封装和测试环节，通常由专门的封测厂完成。　　Assembly：封装/组装。　　Packaging：封装。　　Test：测试。　　2. Wafer Test / CP：晶圆测试/中测。在晶圆切割前对每个芯片进行基本功能测试。　　3. Dicing / Scribing：划片/切割。将晶圆切割成单个芯片。　　4. Die：裸片/晶粒。切割下来的单个芯片。　　5. Packaging Types：封装类型　　TSV：硅通孔。穿透硅片的垂直电连接通道。　　Interposer：中介层。连接不同裸片的硅基板或有机基板。　　DIP：双列直插式封装。　　SOP/SOIC：小外形封装。　　QFP：四方扁平封装。　　BGA：球栅阵列封装。　　LGA：栅格阵列封装。　　CSP：芯片尺寸封装。封装尺寸接近芯片尺寸。　　WLP：晶圆级封装。在晶圆上进行大部分封装步骤。　　SiP：系统级封装。将多个不同功能的裸片封装在一个模块内。　　MCM：多芯片模块。　　2.5D / 3D IC： 2.5维/三维集成电路。使用硅中介层或TSV实现裸片堆叠的高密度封装技术。　　6. Final Test / FT：成品测试。封装完成后对芯片进行的全面功能和性能测试。　　7. Burn-in：老化测试。在高温高压下测试芯片的长期可靠性。　　8. Quality Control / QC：质量控制。　　四、材料与设备　　1. Materials：　　Silicon Wafer：硅晶圆。　　Photoresist：光刻胶。　　Mask Blank：掩模版基板。　　Electronic Gases：电子气体(如高纯氮气、氩气、特殊气体)。　　CMP Slurry： CMP研磨液。　　Targets：靶材(用于PVD)。　　Precursors：前驱体(用于CVD/ALD)。　　Wet Chemicals：湿电子化学品(酸、碱、溶剂等)。　　Lead Frame：引线框架。　　Substrate：封装基板。　　Molding Compound：塑封料。　　Underfill：底部填充胶。　　Thermal Interface Material：热界面材料。　　2. Equipment：　　Lithography Tool：光刻机 (EUV Scanner, DUV Scanner/Stepper)。　　Etcher：刻蚀机。　　Deposition Tool：薄膜沉积设备 (CVD, PVD, ALD)。　　Ion Implanter：离子注入机。　　CMP Tool：化学机械抛光机。　　Furnace：扩散炉/氧化炉。　　RTP：快速热处理设备。　　Metrology & Inspection Tool：量测检测设备。　　Wafer Cleaner：清洗机。　　Prober：探针台(用于Wafer Test)。　　Tester：测试机(用于Wafer Test和Final Test)。　　Dicer：划片机。　　Die Bonder：固晶机/贴片机。　　Wire Bonder：引线键合机。　　Molder：塑封机。　　SMT：表面贴装技术设备(用于将封装好的芯片贴到PCB上)。

2025-08-22 11:08 reading：259

model	brand	Quote
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
TL431ACLPR	Texas Instruments

model

brand

Quote

ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor

onsemi

Texas Instruments

model	brand	To snap up
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BP3621	ROHM Semiconductor

model

brand

To snap up

STMicroelectronics

Texas Instruments

ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor