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韩国8英寸晶圆代工价格今年下调约10%

Release time：2023-08-29

author：AMEYA360

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　　消息称，去年下半年开始，芯片需求的下降影响了许多芯片供应链上的公司，包括为无晶圆厂商提供代工服务的厂商，除了受到最直接冲击的芯片供应商。

韩国8英寸晶圆代工价格今年下调约10%

　　据报道，受IT领域芯片需求减少影响，韩国的晶圆代工商在今年已将8英寸晶圆的代工价格，下调了约10%，部分厂商已将8英寸晶圆的代工价格，下调了最高20%。另外，韩国8英寸晶圆代工商的产能利用率，在今年也有明显下滑。

　　消息人士还透露，虽然不同的晶圆代工商是在不同的阶段和不同制程工艺上降价，但8英寸晶圆代工价格下滑，已扩展到了全行业。

　　当然，外媒在报道中也提到，8英寸晶圆代工价格下降的，不只是韩国的晶圆代工商，台积电、世界先进等厂商的价格也有下滑。除了IT领域芯片的需求下滑，转向12英寸晶圆也影响到了8英寸晶圆的代工价格。

　　8英寸晶圆当前主要用于电源管理芯片、显示驱动芯片、微控制器等，韩国有多家厂商提供8英寸晶圆的代工服务，包括三星电子、SK海力士、DB Hitek、Key Foundry。

　　而从外媒的报道来看，除了价格下滑，韩国8英寸晶圆代工商的产能利用率，在今年也有明显下滑。DB Hitek在二季度的产能利用率降至73.83%，较去年的97.68%下滑超过20%。有消息人士透露，三星电子、Key Foundry和SK海力士8英寸晶圆生产线的产能利用率，只在40%到50%。

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从设计到封测：一文读懂半导体产业核心术语

　　一、设计与EDA/IP　　1. IC设计：集成电路设计。　　2. EDA：电子设计自动化。指用于设计芯片的软件工具套件。　　HDL：硬件描述语言。如 Verilog, VHDL。　　RTL：寄存器传输级。设计过程中的一个抽象层次。　　DFT：可测试性设计。在设计中加入便于测试的结构。　　DFM：面向制造的设计。优化设计以提高制造良率。　　PDK：工艺设计套件。晶圆厂提供给设计公司的工艺文件包。　　Simulation：仿真。　　Verification：验证。　　Synthesis：逻辑综合。　　P&R：布局布线。　　STA：静态时序分析。　　3. IP：知识产权核。预先设计好、可复用的电路模块(如CPU核、接口IP等)。　　SoC：片上系统。将多个功能模块集成到单一芯片上。　　ASIC：专用集成电路。为特定应用定制的芯片。　　ASSP：专用标准产品。为特定应用领域设计的标准芯片(介于ASIC和通用芯片之间)。　　FPGA：现场可编程门阵列。可编程的逻辑芯片。　　4. Fabless：无晶圆厂模式。公司只负责芯片设计和销售，制造外包给晶圆代工厂。　　5. IDM：集成器件制造商。公司覆盖设计、制造、封装测试等全产业链环节(如 Intel, Samsung)。　　二、制造(晶圆加工 / Foundry)　　1. Wafer：晶圆。制造芯片的硅基片。　　Ingot：硅锭。切割成晶圆的原材料。　　Si：硅。　　SOI：绝缘体上硅。一种特殊结构的晶圆。　　Epitaxy：外延。在晶圆表面生长单晶层。　　2. Fab：晶圆厂。　　3. Foundry：晶圆代工厂。专门为其他公司制造芯片的工厂(如 TSMC, SMIC)。　　4. Process Node：工艺节点/制程节点。描述制造工艺先进程度的指标(如 7nm, 5nm, 3nm)。越小通常代表技术越先进。　　5. Front End Of Line：前道工艺。在晶圆上制造晶体管和互连线的过程。　　CVD：化学气相沉积。　　PVD：物理气相沉积。　　ALD：原子层沉积。　　Wet Etch：湿法刻蚀。　　Dry Etch / Plasma Etch：干法刻蚀/等离子刻蚀。　　Mask / Reticle：掩模版/光罩。承载电路图形的母版。　　Stepper / Scanner：步进式/扫描式光刻机。　　DUV：深紫外光刻。使用 248nm 或 193nm 波长的光刻技术。　　ArF / KrF：分别指 193nm 和 248nm 光刻使用的激光光源类型。　　Immersion Lithography：浸没式光刻。提高光刻分辨率的技术。　　EUV：极紫外光刻。使用 13.5nm 波长的下一代光刻技术。　　Lithography：光刻。使用光将电路图形转移到晶圆上的关键工艺。　　Etch：刻蚀。将光刻胶图形转移到下层材料的过程。　　Deposition：沉积。在晶圆表面生长薄膜材料的过程。　　Ion Implantation：离子注入。将杂质离子注入硅中形成特定电学特性的区域。　　CMP：化学机械抛光。平坦化晶圆表面的工艺。　　Thermal Processing：热处理。如氧化、扩散、退火等。　　Cleaning：清洗。去除晶圆表面污染物的工艺。　　Metrology：量测。对晶圆进行各种物理和电学参数的测量。　　Inspection：检测。查找晶圆上的缺陷。　　Yield：良率。合格芯片占总芯片数的百分比。　　6. Transistor：晶体管。芯片的基本开关单元。　　MOSFET：金属氧化物半导体场效应晶体管。最常见的晶体管类型。　　FinFET：鳍式场效应晶体管。3D结构晶体管，用于先进节点。　　GAA：环绕栅极晶体管。FinFET的后继技术。　　7. Interconnect：互连线。连接晶体管的金属导线。　　BEOL：后道工艺。制造互连线的过程。　　Damascene Process：大马士革工艺。制造铜互连的主流工艺。　　三、封装与测试　　1. Back End Of Line / OSAT：后道工艺 / 外包半导体封装和测试厂商。指芯片制造完成后的封装和测试环节，通常由专门的封测厂完成。　　Assembly：封装/组装。　　Packaging：封装。　　Test：测试。　　2. Wafer Test / CP：晶圆测试/中测。在晶圆切割前对每个芯片进行基本功能测试。　　3. Dicing / Scribing：划片/切割。将晶圆切割成单个芯片。　　4. Die：裸片/晶粒。切割下来的单个芯片。　　5. Packaging Types：封装类型　　TSV：硅通孔。穿透硅片的垂直电连接通道。　　Interposer：中介层。连接不同裸片的硅基板或有机基板。　　DIP：双列直插式封装。　　SOP/SOIC：小外形封装。　　QFP：四方扁平封装。　　BGA：球栅阵列封装。　　LGA：栅格阵列封装。　　CSP：芯片尺寸封装。封装尺寸接近芯片尺寸。　　WLP：晶圆级封装。在晶圆上进行大部分封装步骤。　　SiP：系统级封装。将多个不同功能的裸片封装在一个模块内。　　MCM：多芯片模块。　　2.5D / 3D IC： 2.5维/三维集成电路。使用硅中介层或TSV实现裸片堆叠的高密度封装技术。　　6. Final Test / FT：成品测试。封装完成后对芯片进行的全面功能和性能测试。　　7. Burn-in：老化测试。在高温高压下测试芯片的长期可靠性。　　8. Quality Control / QC：质量控制。　　四、材料与设备　　1. Materials：　　Silicon Wafer：硅晶圆。　　Photoresist：光刻胶。　　Mask Blank：掩模版基板。　　Electronic Gases：电子气体(如高纯氮气、氩气、特殊气体)。　　CMP Slurry： CMP研磨液。　　Targets：靶材(用于PVD)。　　Precursors：前驱体(用于CVD/ALD)。　　Wet Chemicals：湿电子化学品(酸、碱、溶剂等)。　　Lead Frame：引线框架。　　Substrate：封装基板。　　Molding Compound：塑封料。　　Underfill：底部填充胶。　　Thermal Interface Material：热界面材料。　　2. Equipment：　　Lithography Tool：光刻机 (EUV Scanner, DUV Scanner/Stepper)。　　Etcher：刻蚀机。　　Deposition Tool：薄膜沉积设备 (CVD, PVD, ALD)。　　Ion Implanter：离子注入机。　　CMP Tool：化学机械抛光机。　　Furnace：扩散炉/氧化炉。　　RTP：快速热处理设备。　　Metrology & Inspection Tool：量测检测设备。　　Wafer Cleaner：清洗机。　　Prober：探针台(用于Wafer Test)。　　Tester：测试机(用于Wafer Test和Final Test)。　　Dicer：划片机。　　Die Bonder：固晶机/贴片机。　　Wire Bonder：引线键合机。　　Molder：塑封机。　　SMT：表面贴装技术设备(用于将封装好的芯片贴到PCB上)。

2025-08-22 11:08 reading：255

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