上海雷卯：DO-218AB封装Z5W27V系列TVS国产替代

Release time：2023-07-25
author：AMEYA360
source：网络
reading：2306

　　Z5W27V等应用场合

　　这几颗料主要应用于电子系统过电压保护，属于车规系列TVS产品。

　　比如：汽车用电子系统、

　　商业电子系统

　　工业电子系统

　　用于通信、控制器、测量仪器等

　　为什么应用Z5W27V等

　　优良的钳位电压特性，保护电子系统免受任何类型的浪涌，如抛负载LOAD DUMP。

　　可承受吸收负载倾倒浪涌能力的高浪涌能力的高浪涌功率。

　　可吸收陡峭的浪涌。

　　Z5W27V等 哪几颗停产。

　　某网站查到Z4W27V/ Z5W27V,Z5W27VC,Z5W37V, / Z6W27V/ Z8W27V,Z8W37V停产。

　　上海雷卯SM5S /SM8S可以替代 Z5W27V系列产品

　　上海雷卯DO-218AB系列SM5S /SM8S主要用于保护电子设备免受电压过高或过低所带来的损害。

　　SM5S /SM8S TVS广泛应用于电路中的过压保护和静电放电保护。其主要作用如下：

　　1)过压保护：当电路中出现电压突变或过高的情况时，TVS能够迅速响应并将多余的能量引导到地，以保护后续电子元件不受过高电压的破坏。这有助于防止电路板、IC芯片等元器件的损坏。

　　2)静电放电保护：当人体静电或其他外部静电源接触到电子设备时，可能会导致瞬态电压的升高，从而对设备产生损害。TVS能够提供低电阻路径，将静电能量迅速引导到地，保护设备免受静电放电带来的损害。

　　总的来说，SM5S /SM8S系列TVS起到保护电子设备免受过电压和静电放电的作用，保证设备的正常工作和可靠性。

　　因此可以用上海雷卯SM5S /SM8S系列替代Z5W27V等几颗停产元件呢。

上海雷卯：DO-218AB封装Z5W27V系列TVS国产替代

　　以上表格，相同样色表示KEC与上海雷卯同型号对比

　　可以看出 ，同颜色有同样Pppm 的对应型号，上海雷卯电流更高，Vc较低，功率更高。

　　比如：

　　SM5S24A替代Z4W27V , 雷卯的Ipp为93A, Z5W27V为50A, S5S24A的Vc为38.9V,Z5W27V 为 40V，

　　SM5S24A替代Z5W27V , 雷卯的Ipp为93A, Z5W27V为70A, S5S24A的Vc为38.9V,Z5W27V 为 40V,

　　SM5S33A替代Z5W37V , 雷卯的Ipp为68A, Z5W27V为62A, S5S33A的Vc为53.3V,

　　SM5S24A替代Z6W27V , 雷卯的Ipp为93A, Z5W27V为90A, S5S24A的Vc为38.9V,Z6W27V 为 40V,

　　SM8S24A替代Z8W27V , 雷卯的Ipp为170A, Z8W27V为120A, SM8S24AA的Vc为38.9V,Z8W27V 为 40V,

　　SM8S33A替代Z8W27V , 雷卯的Ipp为124A, Z5W27V为100A, SM8S33A的Vc为53.3V,Z8W27V 为 50V,

　　另外参考电流，上海雷卯似乎可以用标注的低功率替代高功率。比如SM5S24A替代Z6W27V ，Z6W27V为4600W,SM5S24A为3600W， 为什么可以替代。

　　实际上，上海雷卯SM5S系列功率实测数据比规格书标注的高很多。

上海雷卯：DO-218AB封装Z5W27V系列TVS国产替代

　　实测数据为7180W , 所以可以放心替代。

　　上海雷卯 SM8S 实测数据：

上海雷卯：DO-218AB封装Z5W27V系列TVS国产替代

　　上海雷卯DO-218AB封装可以做如下型号：

上海雷卯：DO-218AB封装Z5W27V系列TVS国产替代

　　上海雷卯专注电子产品电磁兼容设计，电子产品的接口防护需用过压保护器件，很多工程师意识到要用保护器件，但由于选型不当或没按照ESD电路PCB设计原则，造成产品静电测试或EMC测试不通过，产品多次验证测试，浪费人力财力，造成产品延迟上市的事情总有发生，或过度设计，造成成本压力。

　　雷卯电子专业为客户提供电磁兼容EMC的设计服务，提供实验室做摸底免费测试，从客户高效，控本方便完成设计，希望为更多的客户能快速通过EMC的项目，提高产品可靠性尽力。

　　雷卯电子电磁兼容实验室，提供免费测试，提供外围静电保护参考电路，可以提供国产化证明文件。

（"Note: The information presented in this article is gathered from the internet and is provided as a reference for educational purposes. It does not signify the endorsement or standpoint of our website. If you find any content that violates copyright or intellectual property rights, please inform us for prompt removal."）

Previous：稳压二极管与普通二极管有何区别 稳压二极管与普通二极管的用途

Next：蔡司携觅可罗推出组织深度成像利器DeepVision

Online messageinquiry

reading
理想二极管+雷卯TVS：过抛负载P5A测试，功耗降97%
行业新闻

理想二极管+雷卯TVS：过抛负载P5A测试，功耗降97%

　　一.优点：　　1、极低功耗：导通压降仅 10-20mV，20A 电流下功耗降至 0.4W(较肖特基二极管降低 97%)，无需额外散热片;　　2、瞬时响应：反向电流检测响应时间 < 1μs，彻底消除反向恢复浪涌，避免对后端芯片的冲击;　　3、宽域兼容：部分型号反向耐压可达-65V，覆盖 12V 汽车蓄电池反接(-12V)、24V 工业电源波动等极端场景。　　二.目前理想二极管中主流的专用控制器型号及适合场景　　1、TI LM74700：65V 耐压，集成过温保护，适合汽车电子电源冗余设计　　LM5050-1：75V 耐压，低静态电流(7μA)，适用于电池供电的便携式设备;　　2、荣湃Pai8150x/Pai8151x 系列：支持背靠背FET 架构、电池反向保护及电源路径冗余，适用于新能源汽车低压系统。　　3、美信 MX16171：1-50V 宽输入，支持并联扩展电流，工业控制冗余电源首选;　　4、芯洲科技 SCT53600Q：±65V 耐压，AEC-Q101 认证，车载 ECU、BMS 系统核心防护器件。　　三.传统二极管pk 理想二极管　　四.雷卯TVS+理想二极管12V/24V直流电源浪涌保护方案　　“双重屏障” 防护逻辑：理想二极管与 TVS 的协同需满足 “时间+能量” 双维度配合：　　理想二极管：负责反向电流阻断(如荣湃的Pai8151系列在0.75μS内关断)和持续过流保护(如芯洲 SCT53600Q 支持 50A 过载 10ms);　　雷卯TVS：承担正向浪涌能量泄放(响应时间 < 1ns)和电压钳位(雷卯TVS二极管将瞬态电压限制在理想二极管耐压范围内)　　12V汽车电子方案(满足 ISO 7637-2 测试)　　核心器件：　　理想二极管专用控制器：荣湃Pai8150C(-55V至80V 耐压， AEC-Q100 认证);　　TVS：雷卯 SM8S24CA(24V VRWM，38.9V VC，6600W 峰值功率，AEC-Q101 认证)。　　参数匹配逻辑：　　VRWM=24V(1.2×12V 系统电压)，确保正常工作时 TVS 无漏流;　　VC=38.9V(< Pai8150C 的80V 耐压)，避免浪涌击穿 MOSFET;　　峰值电流 IPP=170A(>ISO 7637-2 脉冲 5A 的 100A 需求)。　　实测表现 ：雷卯EMC团队在雷卯实验室环境下验证：　　脉冲 5A 测试(100V 输入，1Ω 源阻抗，300ms)：钳位电压稳定在 38.5V;　　反接测试(-12V 持续 1min)：Pai8150C 快速关断，后端电路零损伤。　　24V工业控制浪涌防护方案(满足 IEC 61000-4-5 等级 3)　　核心器件：　　理想二极管：荣湃Pai8150C(-55V至80V耐压);　　TVS：雷卯 SMDJ26CA(26V VRWM，42V VC，3000W 峰值功率)。　　参数匹配逻辑：　　VRWM=26V(1.08×24V 系统电压)，适配工业电源波动范围;　　VC=42V(< Pai8150C 的80V 耐压)，保护驱动电路;　　冗余设计可配合雷卯 GDT(2R090-5S)组成两级防护，GDT 泄放 80% 浪涌电流(>2kA)。　　实测表现：2kV 浪涌测试(8/20μs 波形)：系统压降≤5V，后端PLC无复位;　　电动汽车12V辅助电池充电控制与浪涌综合防护方案　　电动汽车12V辅助电池需解决 3 个问题：　　1、充电时可控通断(充满自动关断，避免反向放电);　　2、动阶段双向供电(12V电池给高压侧电容预充电);　　3、防护两类浪涌：　　电压浪涌(雷击、电源尖峰，损伤电路);　　电流浪涌(启动时电容充电的大电流，冲击 MOSFET)。　　上海雷卯方案架构：　　前级 TVS：钳位瞬态过压，雷卯采用SM8S24CA，满足 ISO 7637-2 测试;　　背靠背 MOSFET(Q1+Q2)：配合控制器实现 充电路径开关 + 双向导通;　　充电路径通:EN 信号低→Q1、Q2 导通→DC/DC 给电池充电;　　充电路径断:电池充满→EN信号高→Q1、Q2关断→切断电路，防反向放电。　　控制器阴极(CATHODE)引脚悬空→允许能量反向流动(比如 12V 电池给高压侧电容预充电)。　　理想二极管控制器：驱动 MOSFET，内置软启动逻辑(通过外接 RC 网络缓启动)。　　雷卯通过TVS+理想二极管的科学搭配，不仅能解决传统二极管的功耗与可靠性痛点，更能构建符合国际标准的浪涌防护体系。
2025-08-28 10:21 reading：148
雷卯电子：防静电和浪涌TVS layout设计要点
行业新闻

雷卯电子：防静电和浪涌TVS layout设计要点

　　最新的AR,VR,5G产品，新的电子产品更智能、更复杂，嵌入了脆弱和敏感的集成电路。这些设备的环境往往很恶劣，产生高水平静电和快速瞬态浪涌。这些ESD器件可能会干扰设备，从故障到集成电路的破坏。　　将这些问题最小化的最佳方法是从PCB入口放置瞬态电压抑制器(TVS)，放置在可能出现浪涌的地方;但在选择这些组件PCB布局必须小心，以确保最好的保护。　　电磁兼容可靠性要求　　很明显，敏感部件可能会出现静电损坏风险。国际电工委员会IEC委员会定义了标准，该标准定义了四种严重等级，对应于四种电压等级，有两种放电、接触和空气类型。对接触放电的类别与电压水平和电流波形的定义显示了对接触放电的这些类别的定义以及与不同电压水平的波形的定义。　　下表是IEC61000-4-2规定最新定义的接触静电放电的波形4级测试要求，附带测试标准波形的具体时间和电压图。　　线路中TVS设置　　大家都知道要在接口处设置TVS保护器件，但有时候达不到理想的测试效果，这里要分析一下原因：　　1、TVS型号选型不当;　　2、PCB设计不合理，导致TVS保护效果不佳　　这里主要讨论在PCB上怎么合理设计让TVS发挥最大的保护功效。　　这里就要考虑线路上的各种寄生电感，包括TVS管脚自身的寄生感值。这会影响静电或浪涌发生时后端IC处的箝位电压Vc值。　　TVS本身遵从以下公式：　　VCL = VBR + RD × IPPR为TVS本身的寄生电容值，越小的产品他的箝位电压会更好，更有效保护IC，IPP是测试瞬间通过TVS本身的电流值。　　在测试图中，A点的电压并不是Vc值，Va电压需要加上TVS 两端的电压。　　LIN和LIC由PATH通常由线路的控制阻抗(例如50Ω或100 Ω差分)驱动。为了迫使浪涌电流通过保护电路，我们必须确保LGND和LTVS路径尽可能低。此外，为了减少PCB上的辐射，最好的方法是将保护电路尽可能靠近连接器针脚。　　以下有三种TVS在板子上的接线方式，供大家选择优劣。　　以上ABC的设置方式，大家可以评论哪种方式最好。答案是C　　设计案例　　需要考虑未被保护的路径远离在保护路径上，否则会有EMI干扰的风险。　　总结　　以上我们看到，为了限制各种寄生电路的布局，必须注意产生的过电压和电磁干扰。注意接地连接和将TVS放置在正确的方式上，保证一个成功的电路，以确保设备的高可靠性水平的关键。综上所述，以下要点：确保保护装置连接到地面尽可能短，尽量减少寄生电感路径从静电电源到保护组件，然后从保护组件到芯片保护(而不是从静电电源到芯片保护，然后保护连接到该路径)。这也是一种避免寄生电感，将保护组件尽可能接近ESD源：这将最小化PCB上的EMI，与其他路径耦合化PCB上的EMI，与其他路径耦合。
2025-08-05 13:28 reading：440
上海雷卯电子：近场通信NFC接口防静电ESD
行业新闻

上海雷卯电子：近场通信NFC接口防静电ESD

　　上海雷卯EMC小哥针对NFC接口静电保护，推出了ESD器件和保护方案：ULC1811CDN 满足18V的低容参数需求，而且VC箝位电压低，电容超低，可保护NFC接口天线的有效使用。　　近场通信(Near Field Communication，NFC)是一种短距离无线通信技术，通过将两个设备的NFC芯片靠近，实现数据的传输和共享。NFC技术基于射频识别(RFID)技术，运行在13.56MHz的无线频段。NFC设备通常包括两种模式：卡模式和读写模式。在卡模式下，NFC设备可以作为一个被动的卡片，用于支付、门禁控制、公交卡等应用。在读写模式下，NFC设备可以主动读取或写入其他NFC设备中的数据。NFC技术的特点：短距离通信、快速传输、简便易用、兼容性广泛。　　1. NFC设备接口的特点　　NFC设备接口通常工作在低电压和高频率的环境下，因此，选择合适的TVS/ESD二极管需要考虑以下几个因素：　　1、低电压响应：选择具有低电压响应特性的TVS/ESD二极管，以确保在低电压下也能起到保护作用。　　2、快速响应时间：选择具有快速响应时间的TVS/ESD二极管，以能够迅速抑制瞬态过电压和静电放电。　　3、低电容：选择具有低电容的TVS/ESD二极管，以避免对NFC信号的干扰。　　2.注意TVS/ESD二极管的安装和布局　　为了确保TVS/ESD二极管发挥最佳的保护作用，需要注意以下几点：　　· 尽量靠近NFC设备接口的位置安装TVS/ESD二极管，以最大程度地减少静电放电和过电压对设备接口的影响。　　· 使用封装良好的二极管，以防止外部环境对其造成损害。　　· 采用合适的布局，确保电路的地线和信号线布线合理。
2025-07-23 11:01 reading：373
雷卯电子：三级浪涌防护及退耦设计
行业新闻

雷卯电子：三级浪涌防护及退耦设计

　　浪涌(surge)也叫突波、瞬变(voltagetransient)，是电路短路、电源切换或大型发动机开关机引起的电流瞬间超出稳定值峰值的突发现象，一般指发生在几百万分之一秒时间内的一种尖峰脉冲，通常包括浪涌电压和浪涌电流。　　浪涌防护原理　　浪涌的危害性非常大，可使电路瞬间烧坏，而浪涌保护就是利用线性元器件对高频(浪涌)的敏感设计的保护电路，简单而常用的是并联大小电容和串联电感。对于商用设备，一般通过含有浪涌阻绝装置的产品吸收突发的尖峰能量，保护连接设备免受浪涌损害。　　在电路设计中，一般遵循“多级防护、逐级削减”的原则，组合使用多种保护元器件方案，实现系统级、高可靠的浪涌防护。　　第一级保护　　大多数防护电路中，第一级是最容易引入雷电等尖峰的端口。　　对于建筑物进线口、AC电源输入端口等应用，这些场合选取气体放电管等大通流保护器件，如GDT、SPG、TSS、信号类防雷模块(SPD)等。在直流电路可以适用高灭弧电压的GDT，类似雷卯电子的2R350-8LH,可以用于DC24V的直接跨接，　　浪涌两级保护方案　　对于电源端口场合，第一级防护一般选用能够承受较高电压或较大电流的箝位型大通流保护器件。若在电源端口选用开关型保护器件，过电压时开关型器件导通后电压较低，本身影响系统的供电电压，另一方面系统电压有可能会维持一直处于导通状态不能正常断开，系统长时间通过较大的电流(如A级电流)可能对电路板造成致命伤害，甚至引起火灾。　　MOV加GDT保护方案　　针对电源端口第一级箝位型过电压保护器件，一般选取金属氧化物压敏电阻(MOV)、超大功率TVS(hyperfix)，或由这几种器件组合而成的防雷模块(SPD)等。当然，低速信号端口也可选择箝位型器件进行第一级防护，但前提是箝位型器件的结电容不能影响通信线路的正常通信。　　第二级保护　　第二级防护与第一级防护类似，一般选用反应速度快箝位电压低的TVS、ESD等。　　在第二级，过于突出的尖峰脉冲已经被第一级削掉，只剩下小于第一级阈值的干扰信号、EMI以及二次产生的噪声。其中，ESD专为门防静电元件，由多个二极管或TVS组合而成，适用于高速数据线路ESD防护，如HDMI、USB3.0、IEEE1394等。　　退耦元器件　　退耦元件具有一定阻抗，作用是保证两级过电压保护器件协同工作。由于第一级防护器件与第二级防护器件采用的过电压保护器件种类不同，击穿电压大小不同，响应时间不同，只好通过退耦元件进行匹配。　　设计中，第二级过电压保护器件一般采用响应速度较快的小通流低压器件，浪涌电压冲击时会先导通，退耦器件具有一定的内阻，经过大浪涌电流时，会将退耦元件之前的电压提高到第一级过电压元件的击穿电压之上，第一级元件导通后可泄放大浪涌电流，从而分担了第二级保护器件的压力。如果两级过电压保护器件之间不加退耦器件，这样第二级保护器件就会一直处于先导通状态，当浪涌电流超过第二级元器件能力时便会使其损坏。　　选择退耦器件时，要根据线路的工作电流大小来选取，如一些信号电路工作电流较小，在保证其正常通信的情况下可选取功率型电阻或自恢复保险丝(PPTC)，退耦电阻一般选取10Ω以内。从浪涌防护角度看，退耦电阻越大越好，但也不能太大，否则会影响线路正常工作电流，需要工程师在电路设计时综合考虑。　　对于一些输入电流较大的低频线路，可选用电感来进行退耦，电感阻抗的计算公式为Z=2πfL，当确定好退耦阻抗值后，可从公式中计算出所用电感的大小。　　单TVS防护方案　　在类似5G基站的防雷设计电路上，对电力的VC箝位电压要求非常高，也可以采用单TVS的保护方案，使用的是雷卯电子的AK系列TVS，类似AK10 AK15 防护10KA级别的TVS，这类方案的特点是残压很低。　　上面只是一些基本思路，实际应用中要根据每种电路保护元件的特点，取长补短搭配选用，这样才能获得高性价比的电路保护方案，为用户提供高可靠、高性能的电子电子产品，在激烈的市场竞争中获得先机。
2025-07-21 17:09 reading：384
Popular categories
Boxes, Enclosures, Racks Cables, Wires Circuit Protection Connectors, Interconnects Development Kits Electromechanical Embedded Solutions Fans, Thermal Management Optoelectronics Others Passive Components Power Semiconductors Sensors, Transducers Test and Measurement
  • Week of hot material
  • Material in short supply seckilling
model brand Quote
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
model brand To snap up
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
BP3621 ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
TPS63050YFFR Texas Instruments
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
Hot labels
ROHM
IC
Averlogic
Intel
Samsung
IoT
AI
Sensor
Chip
Original authorized brand
More Licensed Brands>>
Information leaderboard
  • Week of ranking
  • Month ranking

About us

Qr code of ameya360 official account

Identify TWO-DIMENSIONAL code, you can pay attention to

AMEYA360 weixin Service Account AMEYA360 weixin Service Account
AMEYA360 mall (www.ameya360.com) was launched in 2011. Now there are more than 3,500 high-quality suppliers, including 6 million product model data, and more than 1 million component stocks for purchase. Products cover MCU+ memory + power chip +IGBT+MOS tube + op amp + RF Bluetooth + sensor + resistor capacitance inductor + connector and other fields. main business of platform covers spot sales of electronic components, BOM distribution and product supporting materials, providing one-stop purchasing and sales services for our customers.

Please enter the verification code in the image below：

verification code