纳芯微全新推出120V半桥驱动NSD1224系列

发布时间：2023-06-27 13:14
作者：AMEYA360
来源：网络
阅读量：2009

　　纳芯微全新推出120V半桥驱动NSD1224系列产品，该系列产品具备3A/-4A的峰值驱动电流能力，集成高压自举二极管，提供使能、互锁、欠压保护不同版本，有SOP8、HSOP8、DFN10、DFN8多种封装可选，广泛适用于微逆、功率优化器、电源模块、新能源汽车等应用场景。

纳芯微全新推出120V半桥驱动NSD1224系列

　　NSD1224产品特性

　　· VDD供电耐压：20V

　　· HS桥臂中点耐压：-10V~115V

　　· 输入引脚耐受负压：-10V

　　· HS耐共模瞬变：50V/ns

　　· 峰值驱动电流：3A/-4A

　　· 兼容CMOS/TTL电平输入

　　· 输入互锁功能

　　· 高低侧输出独立UVLO保护

　　· 集成高压自举二极管

　　· 输入输出延时小于16ns

　　· 高低边传输延时匹配小于1ns

　　· DFN10封装有使能引脚，待机时静态功耗低至7uA

　　· SOP8、HSOP8、DFN10、DFN8封装

　　· 结温范围-40°C~150°C

　　纳芯微NSD1224半桥驱动性能优异，具备互锁功能、输入耐负压和HS耐负压能力

　　01、互锁功能

　　NSD1224具备互锁功能，能有效避免因输入干扰造成的功率管桥臂直通问题。

　　在电源应用中，受高频开关噪声的影响，半桥驱动芯片的输入引脚容易受到干扰，可能会出现高低边输入被同时拉高的情况，导致驱动芯片的高低边输出同时为高，引发功率管桥臂直通，造成电源设备损坏。

　　NSD1224在两个输入同时为高电平时，会触发互锁模式，此时高低边输出被同时拉低，只有当任一输入变为低电平，输出才会恢复至跟随输入的正常状态。NSD1224的互锁功能，有效避免了因输入信号干扰造成的桥臂直通问题，提高了系统可靠性。

　　02、输入耐负压能力

　　NSD1224的输入引脚耐受-10V负压，解决了驱动芯片输入的负压尖峰问题。

　　在电源应用中，受MOSFET高频开关影响会在GND回路上产生瞬态电流，由于控制器和驱动器之间的PCB走线会存在寄生电感，瞬态电流和寄生电感的相互作用在会在驱动芯片的输入引脚产生负压尖峰，造成驱动芯片逻辑错误甚至损坏。NSD1224输入引脚增强了耐负压设计，可以承受-10V的负压(推荐工作值-5V)，从而提高了芯片的可靠性，也降低了对系统设计的要求。

　　03、HS耐负压和共模瞬变

　　NSD1224的HS引脚耐受-10V负压与50V/ns共模瞬变，适用于高频、高效开关电源应用。

　　随着电源效率要求的不断提高，为减小开关损耗，MOSFET的开关速度也越来越快。高速开关导致的di/dt与寄生电感会在HS引脚产生瞬态负压，容易造成驱动芯片发生闩锁甚至损坏，NSD1224的HS引脚可以耐受-10V的负压(推荐工作值-8V)，有效解决了高频、高效开关电源的应用难题。此外，NSD1224的HS引脚可以承受50V/ns共模瞬变，具有很强的抗共模干扰能力。

（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

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纳芯微NSSine™超高性价比新品：NS800RT113x实时控制MCU，开启“M7平权”新时代
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纳芯微NSSine™超高性价比新品：NS800RT113x实时控制MCU，开启“M7平权”新时代

　　随着行业对算力与实时性的要求不断提升，传统 MCU 平台在运算能力、存储速度与外设性能方面逐渐显现瓶颈。为解决这一挑战，纳芯微推出 NS800RT113x 系列 MCU，该系列基于 Arm® Cortex®-M7 内核，集成自研 mMATH 数学加速核、高速 ADC、精细 PWM 及可编程逻辑模块等创新功能，全面满足电机控制、电力电子等对高性能与高实时性要求严苛的应用需求。此次发布标志着 M7 内核 MCU 进入更广泛的应用场景，为客户带来前所未有的性能平衡与价值体验。　　高性能高性价比M7内核，突破算力门槛　　NS800RT1135/1137 搭载主频 200MHz 的 Cortex®-M7 内核，支持 ECC 的 128~256KB Flash 与 80KB TCM(CPU核内0等待内存)，均支持ECC功能，显著提升实时计算性能。配合纳芯微自研的 mMATH 数学加速核，可高效处理三角函数、超越函数与浮点运算，全面增强控制类应用的算力支持。　　在 MCU 市场中，Cortex®-M4 内核是最常见的主流选择，而 NS800RT113x 系列率先将 Cortex®-M7 内核引入更广泛应用。相较于M4 内核，M7 内核在 DMIPS/Hz 与 CoreMark/Hz 上分别提升 83% 与 49%，并原生支持核内 TCM，实现 CPU 同频 0 等待访问。　　当前“算力单价”日益受到行业关注，许多应用创新与成本优化都面临算力瓶颈的制约。NS800RT113x 系列高性价比 MCU 的推出，将推动 M7 内核在电机驱动、电力电子及工业控制等场景实现更广泛应用，让客户能够以合理成本获得高性能计算能力，突破算力限制，释放更多创新潜能。　　先进的控制外设，轻松驾驭复杂场景　　该系列集成 14 路 PWM，由专用事件管理器控制，并支持多达 8 个比较点的配置，实现高精度 PWM 输出和快速波形响应。其中 2 路高精度 PWM 更可达 80ps 分辨率。高速 ADC 最高采样率达 4.375Msps，支持双模组 21 通道采集，满足复杂信号实时监测需求。片上独创的 2 个 CLB 可编程逻辑模块，可灵活实现复杂时序控制与保护电路，减少外部器件依赖，降低系统成本。　　多样接口与封装，灵活适配设计需求　　NS800RT113x 系列配备 3 路 UART、2 路 SPI、2 路 I2C 及 1 路 CAN 2.0 接口，适配多样化系统需求，并提供 LQFP64、LQFP48、QFN48 与 QFN32 多种封装，兼顾高性能与灵活设计。NS800RT113x系列选型表　　供货和价格信息　　NS800RT113x系列现已正式发布并可送样。其中，量产后 NS800RT1135-DQNGY2(封装：QFN32)在1千片采购数量的基础上，含税单价仅需5元人民币起。如需了解更多供货及价格详情，欢迎垂询。
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