方舟微电子推出150V N沟道耗尽型MOSFET-DMZ1520E

Release time：2023-01-09
author：Ameya360
source：网络
reading：2086

　　DMZ1520E

　　ARK（方舟微）DMZ1520E产品在工业自动化、汽车电子、新能源等应用电路中，可用于LDO供电。

　　如下图所示，电路中只使用了一个DMZ1520E，它可以将高输入电压转换为稳定的低电压为LDO供电，同时为LDO提供瞬态浪涌抑制。

方舟微电子推出150V N沟道耗尽型MOSFET-DMZ1520E

　　为LDO供电

　　LDO的输入输出电压满足关系式: Vs=Vout+|VGS(OFF)|。该系列MOSFET响应速度快，电路结构简单。

　　ARK（方舟微）DMZ1520E产品不仅能提供稳定的电源，而且能在复杂的电子、磁环境中抵抗较大的瞬变电压，特别适用于智能变送器IC的应用，如AD421、SD2421A、JHM1101等，对标 BSS169、MMBF4393。

方舟微电子推出150V N沟道耗尽型MOSFET-DMZ1520E


（"Note: The information presented in this article is gathered from the internet and is provided as a reference for educational purposes. It does not signify the endorsement or standpoint of our website. If you find any content that violates copyright or intellectual property rights, please inform us for prompt removal."）

Previous：安森美和Ampt携手合作，助力光伏电站供应商提高能效

Next：陶瓷电容的加工生产步骤是什么

Online messageinquiry

reading
ARK（方舟微）工业级高压调节方案：AKP10M60R ——600V高压电流调节器
行业新闻

ARK（方舟微）工业级高压调节方案：AKP10M60R ——600V高压电流调节器

　　ARK(方舟微)推出的高压电流调节器AKP10M60R，支持高达600V工作电压，具备优异的瞬态抑制能力，可有效抵御电流/电压冲击，确保稳定输出。该器件尤其适用于工业控制、汽车电子等严苛电磁环境，保障系统可靠运行。　　典型应用原理　　如图1所示，AKP10M60R的输入端A可支持高达600V的耐压，远高于常规几十伏或整流后300V的市电输入，具有充足的电压裕量。其内置负反馈机制可确保输出电流恒定，从而有效抑制浪涌电流/电压冲击，具备卓越的抗瞬态能力。　　输出电流可通过调节电阻R灵活设定，实现稳定的恒流输出。此外，通过在G-K端施加负电压，可完全关断AKP10M60R，增强系统控制灵活性。　　高压电机驱动电路应用　　AKP10M60R特别适用于驱动感性负载，其内置的瞬态抑制电路可有效吸收由电感关断产生的高压脉冲(如继电器、电机等产生的反电动势)。该器件不仅能简化传统RC吸收或TVS保护等外围电路设计，同时显著降低BOM成本和PCB面积，提升系统性价比。　　车载电器应用　　AKP10M60R专为车载电子系统设计，可有效抑制电机启停工况下产生的400V以上负载突波(Load Dump)，满足ISO 7637-2标准要求。其集成化设计可替代传统TVS+LC滤波的复杂保护方案，在保障多媒体系统可靠性的同时，减少30%以上的外围器件数量，显著优化车载娱乐系统的空间布局和制造成本。
2025-06-20 14:01 reading：543
方舟微UltraVt® 超高阈值耗尽型MOSFET在PWM IC供电方案中的应用
行业新闻

方舟微UltraVt® 超高阈值耗尽型MOSFET在PWM IC供电方案中的应用

　　ARK（方舟微）研发的UltraVt?超高阈值耗尽型MOSFET包括耐压60V的DMZ0622E系列、耐压100V的DMZ(X)1015E系列、耐压130V的DMZ(X)1315E系列、耐压130V的DMZ(X)1315EL系列等产品。　　该系列耗尽型MOSFET具有超高的阈值电压参数，利用其压阈值特性，非常适合直接用于各类PWM IC的供电方案中，既能实现PWM IC的宽电压范围输入下的供电需求，又能很好的抑制电路浪涌，为PWM IC提供过压保护。　　UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET系列产品的主要参数如下：　　01　　典型电路　　UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用典型电路 (以DMZ1015E为例)如下：　　图1. UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用典型电路　　02　　应用原理　　UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用原理：　　如图1电路所示，PWM IC与DMZ1015E的S-G并联，因此PWM IC的VCC电压就等于DMZ1015E的|VGS|电压。当输入电压较低时，DMZ1015E基本直通，仅在D-S两端有较小压降。当DMZ1015E工作在稳压状态时，MOSFET自身会工作在饱和区，根据耗尽型MOSFET的输出特性曲线可知，在不同的饱和电流IDS下都会有唯一的VGS电压相对应，且该VGS电压数值上与同样IDS电流下的|VGS(OFF)|相等。　　而在图1所示电路中，VGS≤0V，因此VGS电压的范围为：0V≤|VGS|≤|VGS(OFF)|(MAX)，即VCC的电压大小根据IDS电流的不同，只能在DMZ1015E的阈值电压范围内变化，IDS电流越大，|VGS|数值越小。当IDS电流一定时，输出电压|VGS|也唯一确定。　　因此使用ARK（方舟微）UltraVt?超高阈值耗尽型MOSFET可以直接给PWM IC进行宽电压范围输入条件下的稳压供电。
2023-11-17 15:49 reading：2368
新品发布 I ARK（方舟微）电路保护专家
行业新闻

新品发布 I ARK（方舟微）电路保护专家

　　过压过流保护器　　过压过流保护器（30V/30mA）　　外形图　　AKF30V30MPD为ARK（方舟微）研发的30V/30mA集成功率保护器件，特别适合应用于工业领域（如4～20mA电流环）的过流过压保护方案，产品响应速度快，以集成控制的方式，提供更高的稳定性及便捷性，使被保护的器件或电路的工作电压不超过30V，电流不超过30mA，能有效避免瞬态浪涌造成损伤，同时可以简化电路，节省空间，减低成本。　　应用示意图如下：　　Form B 固态继电器　　100V / 400V Form B 固态继电器　　外形图　　ARK（方舟微）依据自身多年来在MOSFET研发与制造领域的独特优势，开发出了100V、400V等不同耐压等级的Form-B系列光MOSFET固态继电器，产品可靠性高，性能优异，封装类型包含SOP-4、SOP-6等通用形式，非常适合应用于需要使用高端继电器产品的设备。　　专用于射频领域的LDMOS　　130V N沟道耗尽型 LDMOS　　外形图　　DLZ1304E系列产品是ARK（方舟微）最新研发的N沟道耗尽型LDMOS，产品采用平面工艺，性能优良，可靠性高。该系列产品的耐压值为130V，相较于JFET或射频功率MOSFET，具有更高的耐压值和更低的泄漏电流，同时具有很低的阈值电压及输入电容，非常适合用于高频率的射频应用，以及气体传感器的放电回路。产品封装类型为SOT-23。　　有源钳位MOSFET　　小型有源钳位MOSFET　　外形图　　AKZSS04R06A是ARK（方舟微）研发的小型有源钳位MOSFET，器件采用平面工艺，可靠性高，稳定性好，其内部采用有源钳位结构，封装类型为SOT-23，特别适合用于驱动机械继电器等电感负载。　　集成高阈值双芯MOSFETs　　集成高阈值双芯MOSFETs　　外形图　　ARK（方舟微）研发的N沟道、P沟道增强型集成高阈值双芯MOSFETs，产品采用PDFN3*3封装，特别适合用于四线制PCB测试机等设备，能有效提高测试机测试精度。如图所示，M1为高压MOSFET，M2为低压、高阈值MOSFET，在如下图所示的应用电路中，当G、S短接时，M2在其漏极电压达到其阈值电压时才会开通，因此在接触电阻Rl有所增大的情况下，M2依然能够限制通过的电流大小，可有效提高测试机的测试精度。　　M1为高压MOSFET，M2为低压、高阈值MOSFET，在应用电路中，当G、S短接时，M2在其漏极电压达到其阈值电压时才会开通，因此在接触电阻Rl有所增大的情况下，M2依然能够限制通过的电流大小，可有效提高测试机的测试精度。
2023-07-12 10:50 reading：1586
方舟微:耗尽型MOSFET为负载提供瞬态浪涌防护、过流保护的应用
热门应用

方舟微:耗尽型MOSFET为负载提供瞬态浪涌防护、过流保护的应用

　　应用电路如下　　在上述电路中，仅使用DMD4523E和电阻R1，就能很好的限制流过负载回路的电流大小，为负载回路提供过流保护。该电路特点如下：　　DMD4523E能为负载回路提供瞬态浪涌防护，如果输入端Vin出现瞬态浪涌，流过电路的电流会增加，电阻R1两端的电压VR1也会增加，当VR1增大到等于DMD4523E的阈值电压时，VR1被钳位，即流过电阻R1的电流会被限制，从而实现良好的过电压浪涌防护。　　DMD4523E能为负载提供过流保护，当电路电流异常增大时，流过负载回路的电流同样会因为电阻R1两端的电压被钳位而被限制。通过选取合适的R1阻值，即可限制流过负载回路的最大电流。　　响应速度快，电路结构简单，成本低。　　DMD4523E　　DMD4523E系列产品在容性负载、仪表、通讯设备中用于瞬态浪涌抑制、过流过压保护的应用。　　该电路通过选择合适的稳压二极管VD1,即可得到稳定的输出电压Vout。　　该系列产品可工作在较高电压下，能为负载回路提供过压保护及瞬态浪涌抑制。当负载出现短路时，为负载提供过流保护。该系列MOSFET响应速度快，电路结构简单。
2023-05-08 09:32 reading：2736
Popular categories
Boxes, Enclosures, Racks Cables, Wires Circuit Protection Connectors, Interconnects Development Kits Electromechanical Embedded Solutions Fans, Thermal Management Optoelectronics Others Passive Components Power Semiconductors Sensors, Transducers Test and Measurement
  • Week of hot material
  • Material in short supply seckilling
model brand Quote
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
TL431ACLPR Texas Instruments
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
model brand To snap up
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
BP3621 ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
Hot labels
ROHM
IC
Averlogic
Intel
Samsung
IoT
AI
Sensor
Chip
Original authorized brand
More Licensed Brands>>
Information leaderboard
  • Week of ranking
  • Month ranking

About us

Qr code of ameya360 official account

Identify TWO-DIMENSIONAL code, you can pay attention to

AMEYA360 weixin Service Account AMEYA360 weixin Service Account
AMEYA360 mall (www.ameya360.com) was launched in 2011. Now there are more than 3,500 high-quality suppliers, including 6 million product model data, and more than 1 million component stocks for purchase. Products cover MCU+ memory + power chip +IGBT+MOS tube + op amp + RF Bluetooth + sensor + resistor capacitance inductor + connector and other fields. main business of platform covers spot sales of electronic components, BOM distribution and product supporting materials, providing one-stop purchasing and sales services for our customers.

Please enter the verification code in the image below：

verification code