英飞凌再次入选道琼斯可持续发展指数

Release time：2023-01-03
author：Ameya360
source：网络
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　　英飞凌科技再次入选道琼斯可持续发展全球指数和道琼斯可持续发展欧洲指数，这也是英飞凌连续第十三年跻身全球最具可持续发展能力的企业行列。道琼斯可持续发展指数由专门研究可持续发展的权威投资机构RobecoSAM发布。

英飞凌再次入选道琼斯可持续发展指数

　　英飞凌科技首席数字化转型官Constanze Hufenbecher表示：“英飞凌已连续十三次被列入全球最具可持续发展能力的企业，对此我们深感荣幸。多次入选道琼斯可持续发展指数，是对我们正在实现雄心勃勃的可持续发展目标的认可。英飞凌正在推动半导体创新，以支持低碳化进程，助力全球向净零排放转型，同时，与数字化转型齐头并进。”

　　英飞凌的目标是到2030年实现碳中和，到2025年将二氧化碳排放量较2019年降低70%。截止目前，英飞凌产生的碳排放已经减少了23.4%。到2022年底，英飞凌在美国的工厂将与其欧洲工厂一同改用可再生能源供电。

　　作为电源管理系统和物联网领域的半导体领导者，英飞凌为推动能源转型和实现未来出行做出了重要贡献，也带动整个行业向着净零目标持续迈进。英飞凌的产品和解决方案在整个生命周期内实现的二氧化碳减排量相当于生产过程中二氧化碳排放量的33倍。在扣除制造过程中产生的碳排放量之后，英飞凌的解决方案能够在整个生命周期内实现9700万吨的碳减排。

　　今年，英飞凌在创新管理方面表现出色，获得了最高评分。整个评估涵盖了研发、产品创新和流程创新等，例如通过数字化方式、工业4.0应用来实现上述目标。此外，英飞凌与学术界、企业和初创企业的合作，即对开放式创新的贡献，也是评估的一部分。

　　英飞凌积极鼓励员工和管理层参与公司的可持续发展战略。例如，管理委员会的可变薪酬也取决于公司在实现ESG（环境、社会和公司治理）目标方面取得的进展。

　　道琼斯可持续发展指数是全球公认的衡量可持续发展最重要的参考标杆之一。通过评估公司的经济、环境和社会效益，从61个行业中选出全球最具可持续发展能力的企业。该指数旨在帮助投资者将可持续发展能力纳入其投资组合的考量因素，从而做出可靠决策，也希望鼓励企业进一步推动可持续发展。


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英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块
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英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块

　　英飞凌EconoDUAL™ 3 1200V/1.4mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET半桥模块，增强型1代M1H芯片、集成NTC温度传感器和PressFIT引脚，还可提供预涂导热材料TIM版本(FF1MR12MM1HP_B11)或基板背面的Wave波浪结构，用于直接液体冷却(FF1MR12MM1HW_B11)。目标应用为储能系统，通用电机驱动器，不间断电源(UPS)，电动汽车充电等。　　产品型号　　■ FF1MR12MM1H_B11　　PressFIT引脚　　■ FF1MR12MM1HP_B11　　PressFIT引脚，预涂TIM导热材料　　■ FF1MR12MM1HW_B11　　Wave直接水冷　　产品特点　　开关损耗低　　卓越的栅极氧化物可靠性　　更高的栅极阈值电压　　更高的功率输出　　坚固耐用的集成体二极管　　高宇宙射线稳健性　　高速开关模块　　Tvj(op)=175°C过载　　PressFIT引脚　　螺母功率端子　　集成NTC温度传感器　　隔离基板　　应用价值　　开关频率高　　减少体积和尺寸　　降低系统成本　　热效率高　　竞争优势　　高开关频率(>7kHz)　　针对高速电机进行了优化　　应用领域　　商用车辆、工程车辆和农用车辆(CAV)　　储能系统　　通用电机驱动器-变频和变压　　暖通空调　　电机控制　　不间断电源(UPS)　　电动汽车充电
2025-06-16 11:55 reading：298
英飞凌：用于CoolSiC™ MOSFET FF6MR20W2M1H_B70的双脉冲测试评估板
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　　英飞凌评估板是用于评估采用1ED3890MC12M栅极驱动器的FF6MR20W2M1H_B70 CoolSiC™ SiC MOSFET模块。用户可以通过双脉冲测试来评估器件性能。目标应用为电动汽车充电，ESS PFC，直流-直流变换器和太阳能等。　　这是一个用于测试半桥配置的2kV CoolSiC™ EasyDUAL™ 2B MOSFET的双脉冲测试评估板。它可以可靠、快速的使用1ED3890MC12M EiceDRIVER™驱动2kV SiC半桥电路。　　产品型号：　　■ EVAL-FFXMR20W2M1HS　　■ EVAL-FFXMR20W2M1HR　　所用器件：　　■ FF6MR20W2M1H_B70 6mΩ 2kV M1H SiC MOSFET　　■ 1ED3890MC12M 2300V单通道高度灵活的隔离栅极驱动器，可通过I2C配置DESAT、软关断、UVLO、米勒钳位、TLTO和故障　　产品特点　　用于评估Easy 2B FF6MR20W2M1H_70 2千伏SiC MOSFET半桥模块，采用CoolSiC™沟槽栅SiC MOSFET技术　　驱动IC 1ED3890MC12M带I2C总线，用于参数调整　　用于双脉冲测试的大容量直流母线电容器　　有两种版本，可选择使用Rogowski线圈或同轴分流器进行电流测量　　应用价值　　132 µF板载大容量薄膜电容　　压接式FF6MR20W2M1H模块　　负栅极驱动电压可以调整　　框图　　应用领域　　电动汽车充电　　ESS PFC　　直流-直流变换器　　太阳能应用
2025-06-16 11:51 reading：299
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2025-05-19 10:48 reading：470
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2025-05-19 09:50 reading：469
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