售罄，IGBT供需紧张！头部厂商纷纷扩产-Ameya360电子元器件采购网

售罄，IGBT供需紧张！头部厂商纷纷扩产

发布时间：2022-12-07 09:23

作者：Ameya360

来源：网络

阅读量：2680

　　虽然消费电子疲软，但受益于新能源汽车、新能源发电等需求推动，市场对车规级IGBT放量的需求仍超出预期，以IGBT为代表的功率器件正强势增长。国外多家大厂货期也维持在50周左右，而国内相关IGBT公司订单量也持续饱满，产能供不应求。

　　国外大厂货期普遍在50周左右

　　早在10月份，就有不少厂商的订单已排至明年。

　　国内方面，不少IGBT公司表示，现有新产线多处于产能爬坡期，目前在手订单充足，普遍存在订单积压问题，现有产能已售罄，交货压力大，在手订单多排至明年。

　　国外大厂方面，安森美早在5月份就表示：车用IGBT订单已满且不再接单，2022年-2023年产能已全部售罄。

　　目前国外大厂的货期也普遍在50周左右。据富昌电子Q4的行情报告，IGBT方面，英飞凌的货期为39-50周，IXYS的货期为50-54周，美高森美的货期为42-52周，意法半导体的货期为47-52周。

　　尤其今年以来电动车产销量今年一路攀升，更加大了IGBT的需求。据乘联会预测，国内今年11月新能源乘用车厂家批发销量为73.2万辆，环比增长约8%，同比增长约71%。据国泰君安预计2022年国内新能源车销量有望突破650万辆。

　　有供应链人士表示，目前正处于车规IGBT产品需求大于产能的时间窗口，保供压力较大。但因IGBT产品技术门槛较高，国际大厂如德国英飞凌、日本三菱、富士等供应的持续紧张，交货时间不断延长，国内部分企业出于供应链安全考虑，开始扩大寻求本土供应商供货。2022年也成为国产IGBT厂商份额大幅提升的一年。

　　国内厂商订单饱满忙扩产

　　作为国内的IGBT龙头，斯达半导今年前三季度实现净利润达到5.9亿元，同比增长1.21倍，增速超过营业收入，销售毛利率达到41.07%。在近日的三季度业绩说明会上，斯达半导高管表示：公司正在积极扩产以满足不断增长的市场需求，目前公司订单饱满，公司整体产能利用率保持在较高水平，公司正在积极扩产建设以满足新能源汽车、光伏发电、风力发电、储能、工业控制等行业不断增长的市场需求。

　　宏微科技也受益于新能源市场发展，今年前三季度公司实现净利润6125万元，同比增长约三成；其中，第三季度实现2901万元，同比上年同比增长近翻倍，销售毛利率21.77。

　　华润微在接收机构调研时表示，IGBT8吋线产能正在扩产，重庆12吋产线也有IGBT产品的产能规划。今年IGBT预计实现4亿销售，明年争取销售额翻番。公司IGBT产品在汽车、工业控制、新能源等领域的销售占比进一步提升，目前占比达到85%。

　　时代电气也在近日发布公告称，拟对控股子公司株洲中车时代半导体有限公司增资人民币24.6亿元，增资的资金用于中车时代半导体向公司购买汽车组件配套建设项目（包含IGBT项目）部分资产。

　　虽然本土IGBT产业链已经初步形成，但至今车规级IGBT产品国产化率以及市占率都还比较低，短时间内难以与国际大厂形成真正的竞争关系，还需要不断成长。

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行业新闻

不同因素对IGBT温敏参数dv/dt有什么影响

　　绝缘栅极双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称 IGBT)作为一种重要的功率半导体器件，在现代电力电子系统中发挥着关键作用。在实际应用中，IGBT 的温敏参数 dv/dt 影响了器件的开关速度和稳定性。本文将探讨不同因素对 IGBT 温敏参数 dv/dt 的影响，并分析其在电力电子领域中的重要性。　　1. IGBT 温敏参数 dv/dt 的定义　　在 IGBT 工作过程中，dv/dt 是指栅源电压(Gate-Source Voltage)随时间的变化率，即斜率。温敏参数 dv/dt 表示了 IGBT 在不同温度下对斜率变化的敏感程度，通常会影响到器件的耐受能力、开关速度以及噪声等性能。　　2. 结构设计对 dv/dt 的影响　　IGBT 的结构设计是影响其温敏参数 dv/dt 的重要因素之一。以下是几个主要方面：　　2.1 掺杂浓度：掺杂浓度的变化会影响 IGBT 的电场分布和载流子输运特性，从而对 dv/dt 产生影响。　　2.2 漏极区域：漏极区域的结构设计对电场分布和损耗情况有较大影响，进而影响了 dv/dt 参数的表现。　　2.3 网格结构：IGBT 栅极网格结构的设计也会对电场分布和响应速度产生重要影响，进而影响温敏参数 dv/dt 的性能。　　3. 材料属性对 dv/dt 的影响　　IGBT 的材料属性是决定器件性能的关键因素之一，对温敏参数 dv/dt 也有显著影响。　　3.1 半导体材料：IGBT 的半导体材料的选择直接影响了器件的导电性能和电场分布特性，从而影响 dv/dt 参数的表现。　　3.2 绝缘层材料：绝缘层材料的性能和质量对于电场分布和漏电流的抑制起着重要作用，进而影响了温敏参数 dv/dt 的性能。　　4. 工作条件对 dv/dt 的影响　　IGBT 在不同工作条件下，其温敏参数 dv/dt 的表现也会有所差异。　　4.1 温度：是最主要影响 IGBT 温敏参数 dv/dt 的因素之一。随着温度升高，器件特性可能发生变化，导致 dv/dt 参数受到影响。　　4.2 工作频率：高频率的工作条件下，IGBT 开关速度要求更高，对 dv/dt 的敏感度也会增加，需要更高的性能来保证器件稳定可靠地工作。　　5. 外部环境对 dv/dt 的影响　　外部环境因素也会对 IGBT 温敏参数 dv/dt 产生影响。　　5.1 湿度：高湿度环境可能导致器件绝缘层性能下降，导致电场分布不均匀和漏电流增加，进而影响了 dv/dt 参数的稳定性。　　5.2 电磁干扰：强电磁干扰环境下，可能会产生额外的噪声和干扰，影响 IGBT 的工作状态和敏感度，从而对温敏参数 dv/dt 造成影响。　　6. 综合影响分析和应对措施　　综合考虑以上因素对 IGBT 温敏参数 dv/dt 的影响，可以通过以下措施来应对：　　6.1 优化结构设计：在设计阶段注重优化结构设计，提高器件的耐受能力和响应速度，降低温敏参数 dv/dt 的波动性。　　6.2 选择合适材料：合理选择半导体材料和绝缘层材料，确保其性能符合要求，以降低温度和外部环境变化对 dv/dt 的影响。　　6.3 控制工作条件：在实际应用中，控制器件的工作温度、频率和电压范围，使其处于合适的工作条件下，减小 dv/dt 参数的波动和不稳定性。　　6.4 环境监测与保护：对环境因素进行监测和评估，采取有效的绝缘和防护措施，保持器件在良好的工作环境下，减少外部环境因素对 dv/dt 参数的干扰。　　IGBT 温敏参数 dv/dt 是影响器件稳定性和性能的重要指标之一，在实际应用中需要充分考虑各种因素对其影响。通过优化结构设计、选择合适材料、控制工作条件和做好环境监测与保护等措施，可以有效降低温敏参数 dv/dt 的波动性，提高器件的可靠性和稳定性。

2025-11-14 14:48 阅读量：528

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