新洁能荣获中国半导体市场领军企业奖!

Release time:2022-09-22
author:Ameya360
source:网络
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  2022世界半导体大会(World Semiconductor Conference & Expo 2022)暨南京国际半导体博览会于2022年8月18日在南京国际博览中心胜利召开。

新洁能荣获中国半导体市场领军企业奖!

  在当天下午的创新峰会上发布了2022中国集成电路高质量发展“两优一先”遴选企业名单,无锡新洁能股份有限公司荣获“2021-2022中国半导体市场领军企业奖”,充分彰显了主办方对于新洁能在半导体功率器件领域所取得卓越成就的高度认可。

  新洁能是国内率先掌握超结理论技术并且在 12 英寸工艺平台实现沟槽型 MOSFET、屏蔽栅 MOSFET 量产的企业,同时也是全国首个推出品类最全光伏系列IGBT产品的企业,拥有业内最为专业、领先的研发团队。

  未来新洁能也将不断持续布局半导体功率器件最先进的技术领域,并投入对 SiC/GaN 宽禁带半导体、智能功率器件的研发及产业化,持续引领国内半导体功率器件的发展。


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新洁能第三代40V SGT-MOS:定义中低压功率器件新标杆
  作为国内MOSFET功率器件研发的先行者之一,新洁能始终致力于功率半导体核心技术的突破,其研发团队持续创新,正式推出第三代SGT产品Gen.3 SGT MOSFET,电压涵盖25-150V系列产品,构建全场景解决方案。其中40V Gen.3 SGT MOSFET系列凭借革命性的性能升级,为消费级、工业级以及车规级应用领域树立新标杆。  新洁能40V Gen.3 SGT MOSFET系列产品采用国际先进屏蔽栅沟槽工艺技术,芯片具有超高集成度,全面提升了器件的开关特性和导通特性,其特征比导通电阻Rsp(导通电阻Ron*芯片面积AA)相比上一代产品降低33%,品质因子FOM(导通电阻Ron*栅极总电荷Qg)降低31%,具备更高的电流密度、功率密度和鲁棒性。并且三代40V SGT-MOS通过三维沟槽结构创新与低阻晶圆工艺技术升级,提高全温度区间Ron稳定性,突破传统导通损耗与散热的极限平衡。以同面积的MOS芯片相比,Gen.3在150℃结温下Ron增量较Gen.1 减少16%,在保持超低Ron的同时,实现温升效率行业领先,有效解决高温场景下的效率衰减难题,助力系统小型化与长期可靠性,重构中低压功率器件的热管理能力。NCE世代产品与最优竞品Rsp性能对比  全系产品分为高VTH和低VTH 2个细分方向, 提供不同档位RDS(ON) 产品供客户挑选,灵活匹配不同的应用领域,如电机驱动、锂电池保护、同步整流、新能源汽车和AI算力等。同时全系产品包含DFN5*6、DFN5*6-DSC、DFN3*3、DFN3*3-DSC、sTOLL、TOLL、TOLT、TO-220、TO-263等封装形式,能够提供更灵活的交期与本地化服务。40V产品系列丰富,本文优先推荐DFN5*6、DFN5*6-DSC、sTOLL、TOLL封装重点产品型号。  产品型号  产品特点  ◆ 超低特征导通电阻Rsp(导通电阻Ron*芯片面积AA)  ◆ 极优品质因子FOM(导通电阻Ron*栅极总电荷Qg)  ◆ 更小阈值电压Vth Range,利于并联应用  ◆ 更优温升效率,有效解决高温场景下的效率衰减难题  ◆ 极高功率密度  ◆ 更优抗振荡能力  ◆ 更强鲁棒性  ◆ 更齐全的封装形式  ◆ 更齐全的电阻、电流型号规格  应用领域  ◆ 新能源汽车  ◆ AI算力  ◆ 通信服务器  ◆ 不间断电源UPS  ◆ 锂电池保护  ◆ 电动工具  ◆ 无人机  ◆ 适配器  新洁能40V Gen.3 SGT MOSFET以“更优设计、更高效率、更高品质”为核心竞争力,重新定义中低压功率器件技术边界。
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2025-03-20 09:26 reading:467
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