捷捷微电推出“新一代100V P沟道SGT MOSFET”

发布时间：2022-08-02 14:28
作者：Ameya360
来源：网络
阅读量：3994

捷捷微电推出“新一代100V P沟道SGT MOSFET”

　　捷捷微电推出新一代100V P沟道SGT MOSFET, 比起上一代设计，FOM性能改善20%，实现国际知名。先进PDFN3x3-8L及PDFN5x6-8L薄型封装，比传统SOP-8L及DPAK封装，面积缩小64%及48%，高度降低45%及55%，极为适合紧凑型终端设计。同时，PDFN5x6-8L的引脚具低应力且长达0.275mm.极大程度地改善自动光学检测(AOI)印刷电路板组装(PCBA)的焊点良率,进一步保证终端的稳定工作和长期可靠性。

　　100V P沟道MOSFET的驱动电路相比N沟道MOSFET更加简单，满足超性能运算(HPC) 、工业5.0(IE)、车载电子(Autonomous Driving System, ADS)后装市场的高端负载、防反接电路、电池反向保护、B/BLDC 电机驱动、DC-DC降压转换的高边开关等应用对系统长期稳定运作,陝窄应用空间、及减少电路关键故障点的不断需求。

　　新一代P沟道JPFET性能达国际知名水平。其中JMPL1050AU采用薄小型PDFN3x3-8L封装，在Vas=10V条件下，器件的RosOM.JD及FOM测量值分别低达38mQ / 760，均为国际知名水平。此外，一流的线性模式/安全工作区(SOA) 特性，使器件在大电流的工作状态下，仍能实现安全可靠的运作。极低的导通电阻有助于提高运行效能，降低系统成本，并延长器件的使用寿命。

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