ROHM藤原忠信:“5G+汽车新四化”驱动 2020年车用半导体市场可期

Release time:2020-01-20
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尽管当前的形势仍然严峻,但从中长期来看,由于在汽车和工业设备领域电子化和节能化依然是趋势,因此半导体和电子元器件的需求将会稳定增长。从短期来看,由于库存调整和设备投资的限制,严峻的状态可能还会持续。从中长期来看,由于汽车市场的技术创新,电子元器件的需求有望继续增加,目前正是为将来的市场做好准备的时期。

汽车的产量下降和设备投资低迷已经影响到全球经济,半导体市场也受到波及。虽然目前库存调整还在进行中,但预计严峻的情况将会持续,短期内还存在不确定性。从中长期来看,xEV的发展已经势不可挡,ADAS(自动驾驶系统)等技术开发加速,车载半导体市场的需求将会持续增长。

面向汽车、工业设备等重点市场,罗姆推动了电源、模拟、标准产品领域附加价值高的产品开发。例如Nano电源系列、抗EMI性能优异的运算放大器“EMARMOUR”、智能高边开关、分流电阻器、电机驱动器等。

罗姆还努力加强了晶体管、二极管、电阻器等通用元器件的制造和生产能力,并致力于确保长期稳定的供应。也开始逐步与OSAT(委外封测代工)和代工厂合作,以能够应对更多的需求波动。

在功率元器件领域,解决方案变得越来越重要。由于按不同应用提供解决方案的需求快速增加,罗姆于2019年6月新设立了系统解决方案开发总部。例如,对于电动汽车,罗姆为每个单元(例如“主逆变器”、“ DC / DC转换器”、“车载充电器”、“电动压缩机”、“充电站”等)提供最佳解决方案,以帮助客户进一步实现产品的高效化和小型化。考虑到加强营销也很重要,罗姆还重新优化了LSI开发本部的组织结构,并加强了在海外市场的销售推广体制。

中国拥有许多全球领先的汽车和家用电器制造商,罗姆认为罗姆发展的关键是中国市场。特别是在汽车领域,各种制造商都在推动向车载领域转型,并且这种增长非常显著,足以牵动全球市场。罗姆集团也采取集中开发和销售资源全力支持的方针。罗姆将努力加强在沿海地区乃至内陆地区的销售支持体制。此外,还会通过与有影响力的代理商合作,扩大产品的供应系统。

在车载产品中最重要的是电源领域,其核心是SiC(碳化硅)。罗姆的现有布局将很快能够供应具有行业领先性能的第四代产品。另外,不仅仅是功率元器件,与控制功率元器件的栅极驱动器和分流电阻器等相结合的解决方案也越来越重要。在2019年,罗姆建立了能够提供这种综合解决方案的体制。罗姆能够为每个单元(例如“主逆变器”、“ DC / DC转换器”、“车载充电器”、“电动压缩机”等)最佳解决方案,以帮助客户进一步实现产品的高效化和小型化。

另外,在汽车领域,随着ADAS的实质性应用,针对功能安全的措施变得日益重要。罗姆于2017年在行业中率先推出了支持功能安全的液晶面板芯片组,并受到高度好评。罗姆不仅在2018年获得了ISO 26262流程认证,还在2019年推出了内置自我诊断功能的电源监控IC。作为半导体制造商,罗姆始终走在前列。今后罗姆将继续从客户的角度出发积极努力,为汽车技术的创新做出贡献。

随着AI和5G的引入,对半导体和电子元器件的需求将会稳定增长。另一方面,将会为罗姆的制造和生产体制带来变革。罗姆希望通过预测性维护来提高质量、优化生产线并节省劳动力,为智能工厂作出贡献。

罗姆认为,未来以汽车和工业设备领域为主的技术创新将会继续,并且中长期的采用率会增加,因此需要进行积极的设备投资。除了电源IC和功率元器件等重点产品外,罗姆还将继续提高晶体管、二极管和电阻器等通用产品的产能,并努力确保长期稳定的供应。

关于M&A(并购),各业务负责人和专业部门会在共享信息的同时随时探讨。罗姆打算积极寻找符合罗姆经营方向的项目,比如汽车和工业设备、扩大海外销售、加强模拟电源技术等相关的项目。


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罗姆参展PCIM Europe 2026 ~推动面向电动出行和工业领域的SiC功率技术发展~
2026-06-03 10:41 reading:190
罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元
  中国上海,2026年5月21日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布,其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU(电池备份单元)中。随着生成式AI的普及,AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC(高压直流供电)架构演进,在这种背景下,罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。  随着生成式AI的普及,GPU的性能不断提升,数据中心的功耗急剧增加。针对这一课题,相关产品正在加速采用旨在降低输电损耗的HVDC架构。在这种大功率、高电压环境中,为了在停电或瞬停等异常情况下保护系统及海量数据,以服务器机架为单位进行电力补偿的BBU和CU(电容单元)的作用变得越来越重要。  此次被采用的产品是750V耐压的SiC MOSFET“SCT4013DLL”,配置于AI服务器用±400V供电架构的电源单元中。该产品可充分发挥SiC的特性,具备最高结温(Tj)达175°C的优异耐高温性能,即使在因电压和功率密度日益提升而导致发热量增加的BBU中也能稳定工作。  另外,在下一代800VDC供电架构中,由于供给BBU内部电池组的电源电压约为560V,因此同样可以使用750V耐压的罗姆 SiC MOSFET。  下一代AI服务器的HVDC电源所需的备份系统,要能够在发生异常时,以瞬时响应且低损耗的方式控制高电压和大电流。针对这样严苛的要求,兼具高耐压、低损耗、耐高温特性的SiC功率器件,作为电力控制核心的关键器件备受期待。  罗姆今后将继续着眼于AI服务器及数据中心市场的发展,不断加强采用SiC、GaN及硅材料的功率元器件的开发与供应。同时,通过提供与模拟IC等产品相组合的综合解决方案,为提高电力效率和实现可持续发展的社会贡献力量。  <关于“EcoSiC™”品牌>EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法,罗姆一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外,罗姆在制造过程中采用的是一贯制生产体系,目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。  EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。  <相关信息>罗姆已在官网上公开了SiC功率器件的概要、便于按条件选型的“简易搜索”功能,以及支持评估和引入的各种设计模型。技术资料及本文相关资料参见下方链接:  ・应用笔记:第4代SiC MOSFET分立器件的特性和电路设计的注意点  ・应用笔记:第4代SiC MOSFET使用时的应用优势  ・白皮书:ROHM面向AI服务器的800VDC架构解决方案  ・访谈文章:数据中心的电力问题日益严重——Delta与ROHM倾力打造HVDC的原因
2026-05-28 09:23 reading:311
罗姆丨方案介绍  智驾升级,看罗姆如何筑牢ADAS感知系统基石
  2026年,L4级自动驾驶正加速在限定场景(如自动驾驶出租车、无人配送)落地,产业处于从L2普及向L3/L4探索。在这一进程中,ADAS(高级驾驶辅助系统)作为智驾功能的核心载体,其性能影响整车安全上限。ADAS的完整工作流程始于环境感知——由摄像头、雷达、激光雷达等构成的感知网络,为后续决策与控制提供基础数据。感知的精度与可靠性,直接影响系统能否正确应对复杂路况。  罗姆围绕ADAS环境感知环节,提供从电路保护、电源管理、信号传输到核心光源等多类产品,覆盖车载摄像头与激光雷达等多个模块,您可点击查看罗姆ADAS解决方案。  车载摄像头  随着ADAS等级提升,单车摄像头数量不断增加,部分车型已搭载10个以上。摄像头模块面临小型化、低功耗、高画质和高可靠性等多方面要求。罗姆围绕这些需求,从基础的电路保护到核心的电源管理与信号传输,提供保护二极管、电源管理IC(PMIC)、串行/解串器(SerDes IC)等产品。  保护二极管- ESD(静电放电)保护二极管  采用DFN1006-2W封装的两款产品符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的要求,还适用于采用SerDes IC通信的ADAS、AD(自动驾驶)摄像头以及ECU(电子控制单元)等应用。  - 创新型保护用肖特基势垒二极管  RBE01VYM6AFH在低VF(正向电压)和低IR(反向电流)这对此消彼长的特性之间实现了高维度平衡,可为ADAS摄像头等配备了像素日益提高的各种图像传感器的应用,提供高可靠性的保护解决方案。  PMIC BD868xxMUF-C系列符合ISO 26262及其ASIL-B标准的PMIC BD868xxMUF-C系列,适用于ADAS等产品中应用日益广泛的车载摄像头模块。该系列特点如下:  · 内置3个DC-DC系统和1个LDO系统  · 3.5mm见方的业界超小封装,可减少安装面积  · 内置异常状态通知机构(可以检测到电压异常等状况并通过I2C来反馈)  · 支持各制造商的CMOS图像传感器  SerDes IC BU18xMxx-C用来传输影像的SerDes IC BU18xMxx-C可以根据分辨率优化传输速率,因此与普通产品相比,功耗可降低27%。此外,通过传输速率优化功能和展频功能,还可将EMI峰值l降低20dB左右。不仅如此,该IC还具有冻结检测功能,可以检测图像的冻结状态,从而还可提高整个ADAS系统的可靠性。  激光雷达(LiDAR)  LiDAR是实现L2+级以上自动驾驶的核心测距与空间识别传感器,罗姆可提供光源器件和电源管理产品。  高输出功率半导体激光二极管RLD8BQAB3是面向LiDAR等距离测量和空间识别应用开发而成的超小型表面贴装型125W高输出功率8通道阵列激光二极管。支持1~8通道激光二极管单独发光和总输出光功率达1kW的超高输出8通道同时发光,客户可根据应用需求选择合适的照射方法。  LDO稳压器 IC BUxxJA3DG-C系列面向汽车ADAS中性能日益提升的小型车载应用(如传感器和雷达等),其特点如下:  · 以小型封装实现300mA的输出电流:采用SSOP5封装(2.9mmX2.8mm),将输出电流从以往的200mA提高到300mA  · 从下限1.7V起即可工作(BU12JA3DG-CA):支持在1.8V的电源系统中使用,可实现更低损耗和更低发热量(而且噪声更低)  · 低输出噪声特性:与普通的低噪声型LDO相比,输出噪声减少约40%,仅为55uVrms(BU33JA3DG-C时)  迈向高阶自动驾驶,环境感知始终是不可动摇的技术底座。罗姆凭借PMIC、SerDes IC、激光二极管、保护二极管等器件,配合ComfySIL™功能安全方案,为车载摄像头和激光雷达提供关键支撑。未来,罗姆将持续深耕汽车电子,以更高效、可靠的元器件方案,助力智能驾驶走向更安全、更便捷的水平。
2026-05-14 09:55 reading:499
技术解码 | 罗姆助力AI服务器能效提升
  数字化转型(DX)和AI的迅猛发展,为社会带来了巨大的便利,而支撑其运行的数据中心耗电量却持续攀升。  为了助力解决这一社会课题,罗姆已将融合多年来积累的“功率电子”和“模拟”技术优势,更大程度地提高服务器能效当作使命。其中,服务器总功耗中占比较大的“电源”的效率提升,以及通过“电机”驱动的冷却系统的进一步节能,是实现无碳社会的重要课题。  从业界先进的SiC(碳化硅)功率元器件,到可实现高精度控制的模拟IC以及各种分立器件,罗姆集这些产品的开发、生产制造、销售于一体,为客户提供前瞻性的解决方案。  罗姆的半导体技术可高水平兼顾客户服务器系统的“节能”和“小型化”需求,同时还有助于提高其可靠性。罗姆将与客户携手共创可持续发展的数字社会。  AI服务器主板(Server Board)  随着生成式AI的普及和数字化转型的加速,现代服务器面临着前所未有的算力需求,以及随之而来的功耗激增问题。要改善数据中心电源使用效率指标(PUE),从传统12V分散式供电向48V集中式供电架构的转型,以及电源单元的小型化和效率提升已成为当务之急。  罗姆利用多年积累的高效电源IC技术,结合包括GaN(氮化镓)器件在内的高性能MOSFET,为客户提供综合解决方案。通过可充分激发产品特性的驱动技术,大幅降低功率转换损耗。通过同时实现更低发热量和更高功率密度,助力服务器主板的处理能力提升及节能降耗。  电源供应单元(PSU)  罗姆可一站式提供下一代服务器PSU所需的全部电源解决方案。针对高电压大电流化的一次侧电路,可提供业界先进的SiC元器件和高速GaN元器件产品群,助力应用产品大幅提升效率。另外,针对AI服务器等主流的50V输出二次侧整流用途,可提供80V耐压等高性能LV MOS产品群,可将导通损耗降至超低水平。当然,罗姆还拥有性价比超高、也非常适用于图腾柱PFC低速侧开关应用的丰富的Super Junction MOSFET(SJ-MOSFET)产品群。  在这些种类繁多的产品群基础上,罗姆还可提供系统层面的综合解决方案,其中包括可更大程度激发产品性能的栅极驱动器和控制IC。这正是罗姆的优势所在。本页面将介绍罗姆支撑未来AI数据中心的最新科技和解决方案。  备用电池单元(BBU)  在BBU(备用电池单元,用来在电源异常时保护数据)设计中,能够充分发挥锂离子电池性能的先进电池管理系统至关重要。罗姆提供可高精度监测电池健康状态(SoH)的电池电量监控IC(电量计IC)等产品,助力BBU的小型化和可靠性提升。  此外,在保障服务器稳定运行和可维护性的热插拔电路中,能够承受大电流负载的宽SOA(安全工作区)范围至关重要。尤其是大量使用GPU的AI服务器,对其稳定性的要求非常严苛。罗姆兼具宽SOA范围和低导通电阻的100V耐压功率MOSFET,可满足其严苛要求,并可提高系统的可靠性和稳健性。  罗姆不仅提供这类元器件级解决方案,还针对多样化的电源架构,提供满足从传统的12V/50V级电源,到可显著改善数据中心整体节能性能的400V级HVDC(高压直流供电)机架应用需求的丰富产品群。
2026-04-15 13:05 reading:693
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