半导体存储新进展：日本成功进行SOT-MRAM单元操作实验

Release time：2019-12-12
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 据Impress Watch网站报道，10月9日，日本东北大学国际综合电子技术研发中心主任远藤哲郎和电气通信研究所大野教授宣布开发出可实际运用的SOT，并且成功演示了SOT-MRAM单元的操作。

半导体存储新进展：日本成功进行SOT-MRAM单元操作实验

　　半导体存储器领域中，随着晶体管小型化，待机功率增加，使用自旋电子技术的非易失性存储器越来越吃香。其中，根据磁体的方向显示不同电阻值并由此记录0和1的状态的磁隧道结元件(MTJ)应用正在不断发展，而STT-MRAM则是代表之一。但是STT-MRAM无法处理纳秒级至亚纳秒级的运算，并且无法替换用于CPU缓存的SRAM。因此 SOT作为弥补STT-MRAM的缺点的技术逐渐发展起来。

　　远藤哲郎教授小组的研究将日本内阁府的创新研究与发展促进计划(ImPACT)培育出的SOT器件技术与小组开发的沉积技术，布线制造技术和反应性离子蚀刻技术相结合，成功生产出0.35ns超高速运行性能的设备。此外，此前未实现的400℃的耐热性和非易失性存储元件的热稳定性均已达成。

　　由此可见，具有低功耗的高性能SOT-MRAM的实际应用已经成为现实。



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半导体器件长期贮存的核心要求有哪些
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半导体器件长期贮存的核心要求有哪些

　　在生产、运输及使用过程中，半导体器件常常需要经过较长时间的贮存。因此，合理的长期贮存措施对于保持半导体器件的功能完整非常关键。　　一、防潮防湿　　半导体器件对湿度非常敏感，吸湿后可能导致元件内部材料的老化、焊接性能下降以及表面电性能的变差，甚至引起腐蚀、漏电等故障。　　湿度控制：贮存环境相对湿度应控制在40%以下，最佳保持在30%—50%。　　密封包装：使用防潮袋、干燥剂和真空包装袋，防止空气中水分浸入。　　干燥处理：对于已吸潮的器件，应根据厂家建议进行烘干处理，恢复器件性能。　　二、防尘防污染　　灰尘和污染物可能附着在半导体器件表面，造成导电路径短路或性能退化。　　清洁环境：储存场所应保持清洁，避免扬尘。　　密封保存：器件应密封保存，避免与杂质接触。　　避免化学污染：远离腐蚀性气体，如硫化氢、氯气等。　　三、防静电保护　　半导体器件中的敏感元件极易受到静电放电(ESD)损伤。　　静电防护包装：采用静电屏蔽袋或抗静电材料包装器件。　　操作规范：工作人员佩戴防静电手环、防静电鞋并在防静电工作台操作。　　环境控制：保持贮存区湿度适中避免静电积聚，避免摩擦产生静电。　　四、防机械损伤　　器件的物理结构较为脆弱，易受到挤压、冲击、振动等机械损伤。　　缓冲包装：采用泡沫、塑料托盘等包装材料，缓冲震动。　　合理堆放：避免重压及不当叠放，防止变形或破损。　　搬运轻柔：运输和搬运时注意轻拿轻放，防止跌落和碰撞。　　五、温度控制　　温度过高或过低均可能影响器件性能或引起材料老化。　　温度范围：贮存温度一般控制在5℃~35℃的范围内，避免高温导致器件提前老化。　　避免温度波动剧烈：防止温度急剧变化引起内部应力或结露现象。　　避光储存：避免阳光直射或强光照射引发温度升高及紫外线损伤。　　六、定期检查与记录　　长期保存的器件应定期检查外观、包装完整性和储存环境条件。　　外观检查：观察有无锈蚀、裂纹、变色等异常。　　环境监测：记录温湿度、静电防护措施的执行情况。　　库存管理：实行先进先出原则，避免器件超期存放。　　半导体器件长期贮存涉及多方面的保护措施，其中防潮防湿、防静电和温度控制尤为关键。只有在合理的环境条件和规范的操作管理下，才能确保半导体器件在长期存放后仍保持良好的性能和可靠性。
2025-10-09 15:52 reading：225
中国大陆7家半导体设备商营收排名统计(2025H1)
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中国大陆7家半导体设备商营收排名统计(2025H1)

　　最近SEMI公布全球半导体设备市场Q2的数据：全球市场330.7亿美金，同比上涨23.5%其中中国大陆的设备市场规模为113.6亿美金，虽然同比下降7.0%，但实际上其较Q1的70.9亿美金是明显反弹的。　　下图为中国大陆地区和全球其它地区的市场规模对比：　　在中国大陆半导体设备市场反弹的背景下，我也着手收集整理了7家比较有代表性的上市设备公司财报数据，做了一个简单分析，供大家参考。　　特别说明：1. 本数据仅仅统计各家公司的半导体领域相关设备的营收(设备本体+相关服务收入)，不包含面板、光伏、SMT等领域收入2. 部分数据包含估算成分，可能和实际情况有一定出入。另外，使用的汇率也可能导致些许差异
2025-09-17 15:04 reading：303
全球半导体研发投入Top20：英特尔第一，台积电第七！
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全球半导体研发投入Top20：英特尔第一，台积电第七！

　　9月2日，半导体研究机构TechInsights发布了一份最新的研究报告，披露了2024年全球半导体企业投资排名前20位的厂商名单。　　报告显示，深陷“财务危机”的英特尔依旧以165.46亿美元的研发投入占据着第一的位置，紧随其后的前十厂商分别是英伟达、三星电子、博通、高通、AMD、台积电、联发科、美光和SK海力士。而要上Top20榜单，研发投入的门槛则是9.69亿美元。　　整体来看，排名前20位的半导体公司的研发支出总额达986.8亿美元，同比增长了17%，约占全球半导体行业研发支出总额的96%。排名前20位的半导体公司平均研发支出占销售额的比重为15.8%。　　从研发支出同比变化来看，有15家公司同比增加了研发支出，剩下的5家公司的研发支出则同比下滑。　　报告指出，英特尔2024年在研发上的投入最多，达到165.46亿美元，主要用于其代工业务，包括18A(1.8纳米)工艺，较前一年增长3.1%。　　英伟达位居第二，研发投入达125亿美元，同比增长47%。　　三星电子则将研发投入从上一年的55亿美元大幅提升至95亿美元，排名从第七跃升至第三。然而，三星电子的年增长率最高(71.3%)。TechInsights评估道：“三星电子在尖端工艺节点领域与台积电、英特尔和Rapidus等领先公司展开竞争，同时在DRAM和NAND闪存市场也与其他厂商展开激烈竞争，而这两个市场在过去三年中一直面临困境。”　　在研发投入占销售额比例方面，英特尔以33.6%高居榜首，其次是博通(30.3%)、高通(25.9%)和AMD(25.0%)，美国半导体公司占据前列。二十大公司的平均研发支出占销售额比例为15.8%，而三星电子和SK海力士分别为11.7%和6.99%，低于整体平均水平。值得一提的是，尽管SK海力士的研发投入较前一年增加了32%以上，但由于其销售额几乎翻倍，研发占比反而下降。　　TechInsights预测，英伟达有望在明年成为研发投入最多的公司。　　需要指出的是，台积电是研发投入超过10亿美元的公司中唯一一家纯晶圆代工厂。台积电于2010年首次进入研发投入前十名(排名第10)。2010年的研发支出为9.43亿美元，到2024年增长574%，达到63.57亿美元，这是台积电13年来首次达到这一水平。　　在2024年研发支出排名前十的公司中，有6家总部位于美国，2家位于中国台湾，2家位于韩国。前十家公司中有5家是无晶圆厂半导体公司，分别是高通、英伟达、AMD、博通和联发科。4家是IDM公司(英特尔、三星电子、美光和恩智浦)。　　在研发支出排名前11至20的公司中，有5家总部位于美国，3家位于欧洲，2家位于日本。其中，IDM公司占9家，无晶圆厂半导体公司仅1家。
2025-09-04 17:15 reading：445
2025年上半年163家半导体上市公司收入、利润排名！
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2025年上半年163家半导体上市公司收入、利润排名！

　　截至2025年8月31日，A股163家半导体(同花顺行业口径)上市公司已全部披露2025年半年报。　　1、2025年上半年，163家半导体上市公司中131家收入实现增长;整体营业收入3,206.25亿元，较同期增长15.61%。　　2、2025年上半年，163家半导体上市公司87家利润实现增长;整体净利润244.27亿元，较同期增长33.38%。　　3、2025年上半年，163家半导体上市公司79家ROE大于2%(半年数据)。　　4、截至2025年8月31日，163家半导体上市公司中148家实现上涨;总市值5.88万亿元，总体涨幅43.77%。　　5、上海、广东和江苏半导体上市公司数量最多，分别37家、34家和33家。
2025-09-02 14:02 reading：518
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