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存储器能否成为中国半导体的突破口？

Release time：2019-12-02

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source：与非网

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内存和闪存这两大半导体产品一直以来都是韩国掌握话语权，国内内存厂商等近期也奋起直追，试图打破这一行业的格局。

存储芯片是电子系统的粮仓，数据的载体，关乎数据的安全，其市场规模足够大，约占半导体总体市场的三分之一。

据统计，中国市场消耗了全球 DRAM 产值的 48%，消耗了全球 NAND Flash 产值的 35%，年进口总额高达 880 亿美元，对外依赖度超过 90%。对中国厂商来说，中小容量存储芯片是其中的一个市场机会。据业内预计，中小容量存储芯片市场规模将保持在 120 亿至 200 亿美元，其中低容量 NAND 有 60 亿至 100 亿美元，NOR 约 30 亿美元，低容量 DRAM 约 70 亿美元。

随着物联网和智能终端的快速发展，将不断扩大对中小容量存储芯片的需求，因此中国存储器业可以从中小容量的存储芯片开始，再向高容量存储芯片迈进。 DRAM 及 3D NAND 闪存是中国市场需求量最大类芯片，因此此类核心技术很难买到。美国将福建晋华、华为等列入实体清单之中，阻止中国发展及获得芯片技术。

存储器业的特点是，它的设计并不难，如 NAND 闪存基本上有两种结构类型，一种是 Floating Gate 浮栅式结构，美光、英特尔采用，另一种是 Charge Trap 电荷捕获型结构，在 3D NAND 闪存中成为主流的选择，包括三星、东芝、SK Hynix 在内的闪存厂商普遍选择了 Charge Trap 结构。在存储芯片领域韩国占有绝对领先的市场份额。

DRAM 量产关键在于生产线的质量控制以及持续的投资，扩大产能，最终以数量与价格取胜。中国有庞大的市场以及政府的集成电路大基金的扶持，困难在于产能爬坡速度，及在存储器的下降周期中能否坚持下去。在今年第二季度，在 DRAM 方面，三星市占 45%份额，Hynix（海力士）市占 29%份额，及在 NAND 闪存中，三星的市占 35%及 Hynix 的 18%，可见韩国仍然垄断全球存储器业。

而随着我国长关行业厂商宣布量产 DRAM 之后，这种格局有望被打破。

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行业新闻

初学者必看:存储器基础知识汇总

　　RAM　　Random-Access-Memory,随机存储存储器，可读可写，分为SRAM和DRAM，即静态随机存储器和动态随机存储器，理解上静动态主要体现是否需要刷新，通常DRAM需要刷新，否则数据将丢失;SRAM的效率较好，而成本较高，通常将SRAM作为cache使用。　　PSRAM　　Pseudo static random access memory，伪SRAM伪随机存储器，内部和DRAM相似，接口和SRAM相似，具有自刷新功能，不需要外部刷新。而其成本介于SRAM与DRAM之间。　　单\双端口RAM　　单端口RAM同一时刻，只能满足读或写某一动作，而双端口RAM存在两套独立的地址、数据、读写控制等，可以同时进行两个操作，当然为避免冲突，存在一定的仲裁控制，成本也更高。伪双口RAM是只有两访问接口，单一个端口只读，另一个端口只能写。　　ROM　　Read-Only-Memory,只读存储器，通常使用时一次写好，使用时只能进行读操作，而不能进行写操作。　　CACHE　　高速缓冲存储器，由于存储器DDR/DRAM等相对于处理器访问速度较慢，增加的一级缓冲存储空间，当需要处理器需要访问内存某一块区域时，先缓存cache中，处理器访问cache速度较快;但同时也需要增加处理DDR和CACHE中数据同步、替换等问题。　　TCM　　Tightly-Coupled-Memory 紧密耦合(链接)的存储器，是指和处理器链接紧密,基本可以看做和CACHE同一等级连接的存储空间(印象中ARM结构上和L2 CACHE同一层次)，其存储空间的内容不会像CACHE处理一样经常替换。　　EEPROM　　Electrically Erasable Programmable read only memory电可擦可编程只读存储器，掉电非易失的存储芯片，在特殊高电压模式下可以插写，普通模式下只读ROM。　　FLASH　　闪存，和EEPROM一样可擦除可重写，差别EEPROM总是按字节操作，FLASH可以按照字节块擦除。FLASH有分Nand-Flash、Nor-Flash，Nor-flash可以按照字节读取，而NandFlash只能按块读取，两者同样可以按照字节块擦除。Nor-Flash需要支持随机读取的地址、数据线，成本比Nand-Flash高，而其可擦写次数低于NAND FLASH,一般嵌入系统中刚boot需要初始化的代码需要放置在Nor-Flash中。　　对于FLASH的读取总线可以有I2C、SPI串行型，也可以采用并行Parallel;同样Flash可以和处理器集成在一起或是通过总线外部访问。　　eMMC　　embedded multi media card，集成了NAND FLASH和控制部分的集成电路，提供像SD、TF(trans-flash)卡一样的使用接口。　　硬盘　　传统硬盘采用磁材料作为存储介质，固态硬盘使用FLASH，访问速度性能较好。

2024-03-20 11:23 reading：1162

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