存储器IC占2018年半导体资本支出总数的53%

Release time:2018-08-31
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source:国际电子商情
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IC Insights预测,今年半导体资本支出总额将增至1020亿美元,这是该行业在一年中首次在资本支出上花费超过1000亿美元。这一1020亿美元的支出水平比2017年的933亿美元增长了9%,比2016年增长了38%。

下图显示,超过一半的行业资本支出预计用于内存生产 - 主要是DRAM和闪存 - 包括对现有晶圆厂线和全新制造设施的升级。总的来说,预计今年内存将占到半导体资本支出的53%。存储设备的资本支出份额在六年内大幅增加,几乎翻了一番,从2013年的27%(147亿美元)增加到2018年的行业资本支出总额的53%(540亿美元),相当于2013-2018复合年增长率为30%。

存储器IC占2018年半导体资本支出总数的53%

在所显示的主要产品类别中,预计DRAM / SRAM的支出增幅最大,但预计闪存将占据今年资本支出的最大份额。预计2018年DRAM / SRAM部门的资本支出将在2017年强劲增长82%后出现41%的增长。预计2017年闪存的资本支出将在2017年增长91%后增长13%。

存储器IC占2018年半导体资本支出总数的53%

经过两年的资本支出大幅增加,一个迫在眉睫的主要问题是,高水平的支出是否会导致产能过剩和价格下降。记忆市场的历史先例表明,过多的支出通常会导致产能过剩和随后的价格疲软。  三星,SK海力士,美光,英特尔,东芝/西部数据/ SanDisk和XMC /长江存储技术都计划在未来几年内大幅提升3D NAND闪存容量(以及新的中国内存创业公司进入市场) ),IC Insights认为,未来3D NAND闪存市场需求过高的风险很高并且不断增长。

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初学者必看:存储器基础知识汇总
  RAM  Random-Access-Memory,随机存储存储器,可读可写,分为SRAM和DRAM,即静态随机存储器和动态随机存储器,理解上静动态主要体现是否需要刷新,通常DRAM需要刷新,否则数据将丢失;SRAM的效率较好,而成本较高,通常将SRAM作为cache使用。  PSRAM  Pseudo static random access memory,伪SRAM伪随机存储器,内部和DRAM相似,接口和SRAM相似,具有自刷新功能,不需要外部刷新。而其成本介于SRAM与DRAM之间。  单\双端口RAM  单端口RAM同一时刻,只能满足读或写某一动作,而双端口RAM存在两套独立的地址、数据、读写控制等,可以同时进行两个操作,当然为避免冲突,存在一定的仲裁控制,成本也更高。伪双口RAM是只有两访问接口,单一个端口只读,另一个端口只能写。  ROM  Read-Only-Memory,只读存储器,通常使用时一次写好,使用时只能进行读操作,而不能进行写操作。  CACHE  高速缓冲存储器,由于存储器DDR/DRAM等相对于处理器访问速度较慢,增加的一级缓冲存储空间,当需要处理器需要访问内存某一块区域时,先缓存cache中,处理器访问cache速度较快;但同时也需要增加处理DDR和CACHE中数据同步、替换等问题。  TCM  Tightly-Coupled-Memory 紧密耦合(链接)的存储器,是指和处理器链接紧密,基本可以看做和CACHE同一等级连接的存储空间(印象中ARM结构上和L2 CACHE同一层次),其存储空间的内容不会像CACHE处理一样经常替换。  EEPROM  Electrically Erasable Programmable read only memory电可擦可编程只读存储器,掉电非易失的存储芯片,在特殊高电压模式下可以插写,普通模式下只读ROM。  FLASH  闪存,和EEPROM一样可擦除可重写,差别EEPROM总是按字节操作,FLASH可以按照字节块擦除。FLASH有分Nand-Flash、Nor-Flash,Nor-flash可以按照字节读取,而NandFlash只能按块读取,两者同样可以按照字节块擦除。Nor-Flash需要支持随机读取的地址、数据线,成本比Nand-Flash高,而其可擦写次数低于NAND FLASH,一般嵌入系统中刚boot需要初始化的代码需要放置在Nor-Flash中。  对于FLASH的读取总线可以有I2C、SPI串行型,也可以采用并行Parallel;同样Flash可以和处理器集成在一起或是通过总线外部访问。  eMMC  embedded multi media card,集成了NAND FLASH和控制部分的集成电路,提供像SD、TF(trans-flash)卡一样的使用接口。  硬盘  传统硬盘采用磁材料作为存储介质,固态硬盘使用FLASH,访问速度性能较好。
2024-03-20 11:23 reading:889
半导体存储器是什么
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