联电宣布放弃投资12nm以下先进工艺,专注投资回报率

Release time:2018-08-15
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source:国际电子商情
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近日联电宣布将停止12nm以下先进工艺的研发,在晶圆代工市场上不再拼技术,而是更看重投资回报率,赚钱第一.

同为台湾的晶圆代工厂,台积电TSMC去年营收320多亿,占了全球56%的份额,而台联电UMC大概只有50亿美元左右。

其实二者相比台联电比台积电更有资历,双方在代工工艺上一度不相上下,但是台积电在28nm节点上率先量产,产能及技术成熟度遥遥领先于台联电,之后在20nm、16nm、10nm上如鱼得水。

而台联电直到去年才算量产了14nm工艺,双方的差距越来越大。这致使联电不得不做出一个艰难的决定——停止12nm以下先进工艺的研发,在晶圆代工市场上不再拼技术,而是更看重投资回报率,赚钱第一。

不再投资12nm以下工艺,专注改善投资回报率

去年7月联电也启用了双CEO制度,这项决定就是联席CEO王石、简山杰调研一年后作出的,联电将彻底改变以往的增长策略,不再盲目追赶先进技术。对大多数公司来说,一旦在技术领域落后,普遍的想法是加大投入,扩大规模,研发更先进的工艺,但在晶圆代工市场上,这条路并不容易,一个重要问题就是先进工艺研发投资越来越大,成本也越来越高,但是未来能够用得起、用得上先进工艺的客户群在减少,台联电在这方面并没有把握从台积电或者其他代工厂中抢到客户。

一旦技术落后,联电面临的情况就是他们巨资研发出了新技术,别家的工艺已经成熟了,开始降价了,导致联电的新工艺缺少竞争力,然后继续亏损、落后,直到下一代工艺。

联电新任的两大CEO最终做出了这样的决定,不再投资12nm以下的先进工艺,不再追求成为市场老大,而是专注改善公司的投资回报率,公司的重点是现在已经成熟的一些工艺,联电表示在12nm及以上的工艺代工市场上,联电的占有率只有9.1%,营收规模约为50亿美元,一旦市场占有率增长到15%,那么还有60%的市场空间增长,营收将达到80亿美元以上。

根据联电所述,他们未来还会投资研发14nm及改良版的12nm工艺,不过更先进的7nm及未来的5nm等工艺不会再大规模投资了。

7月营收创单月历史新高

日前联电发公告公布了7月合并营收,月增7.4%、年增12.2%,达143.50元,创单月营收历史新高;累计今年前7个月合并营收达906.99亿元,较去年同期成长3.4%。

联电近期开始扩大成熟制程市场布局,日前宣布与美商朗格(Allegro MicroSystems,AMI)签订晶圆专工的长期合作协议,确认联电成为Allegro最主要的晶圆专工制造商,并携手抢进车用电子应用市场。

另外,联电与下一代ST-MRAM(自旋转移力矩磁阻随机存取记忆体)业者美商Avalanche也宣布合作,共同开发和生产取代嵌入式记忆体的28奈米CMOS制程的磁阻式随机存取记忆体(MRAM),联电将透过Avalanche的授权提供技术给其他公司,双方也正考虑将合作范畴扩展至28奈米以下的制程技术。

中芯国际将继续推进先进工艺研发

其实国内的中芯国际也有类似的问题,在Q2季度中中芯国际的28nm产能带来的营收只有8.6%,占比很低,大量营收依然来自成熟的40nm、55nm等“落后”工艺,中芯国际联席CEO赵海军表示28nm占比低是因为产能过剩,缺少客户,而不是很多人想象中的28nm产能不够。

当然,与联电不同的是,中芯国际还会继续推进先进工艺研发,因为中芯国际作为国内最大的晶圆代工厂,背后有广阔的市场需求及政策支持。

国际电子商情早前报道过中芯国际向荷兰订购了一台最新型的使用EUV(极紫外线)技术的芯片制造机器光刻机,这台机器价值1.2亿欧元,与其去年净利润1.264亿美元大致相当,预计这一设备预计将于2019年年初交付,将用于7nm工艺研发。而14nm工艺已经进入了客户导入阶段,明年初量产。 除了28纳米PolySiON和HKC,28纳米HKC+技术开发也已完成。28纳米HKC持续上量,良率达到业界水平。

另外世界先进7月合并营收24.91亿元,约与6月持平,较去年同期成长28.7%,为单月营收历史次高;累计今年前7个月合并营收达159.65亿元,较去年同期成长13.5%。由于国际IDM厂扩大释出电源管理IC及功率半导体的8吋晶圆代工订单,加上涨价效应发酵,世界先进预期第三季合并营收将介于76~80亿元,季增8.5 ~14.2%,毛利率可再提升至36~38%,订单能见度已达季底。

世界先进已决定不会自建12吋晶圆厂,董事长方略表示,跨足12吋晶圆代工对现阶段的世界先进来说不是最好的选项。

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联电、世界先进、力积电等厂商纷纷调整产线
  据报道显示,三星、Key Foundry及SK海力士旗下SK Hynix System IC等韩国晶圆代工厂,近期的成熟制程产能利用率都仅有40%至50%。由于终端需求持续疲软,上述三家韩国晶圆代工厂已决定关掉某些成熟制程设备,进行“热停机”。  据悉,电子制造业的生产线非常复杂,涉及到许多设备和机器。当需求不振时,制造商会采取“热停机”(Warm Shutdown)策略,关闭一些闲置产能设备。尽管这些设备仍然处于“通电”状态,但生产线上的工作人员不会让它们生产,因为这会导致设备的能耗大幅增加。如果必须生产,他们会尽可能地缩短生产时间,以免需要重新检查设备。一旦设备断电,重新启动需要一段时间进行调整。现在,晶圆代工业者开始出现热停机现象,这意味着这些制造商不看好短期内的订单情况。  该报道指出,联电先前在法说会上坦言,本季没有看到市场需求强劲的复苏迹象,其中,8英寸晶圆厂产能利用率比12英寸晶圆厂低,因此,该公司确实会有策略性管理产线的措施,订单上则和客户配合。  世界先进方面,该公司先前已于法说会表示,本季整体终端需求仍弱,客户备货保守、订单能见度维持三个月。  力积电则说,在产能利用率不是太高的状态下,一切成本也要将电费纳入考虑,该公司会重新整理、管理生产线,进行成本上调控,这段时间公司除了要节约,还要“练兵”,储备研发量能。  除了调整产线措施外,近期市场传出,继台积电、世界先进之后,今年韩国8英寸晶圆代工行业也纷纷下调价格,原因是IT需求低迷导致代工利用率下降以及向12英寸工艺的转换产生了影响。
2023-08-23 09:15 reading:2417
斥资约61亿元 联电拟扩充8,12英寸产能
联电再度发澄清声明:和美光DRAM技术完全不同
  近日台湾地区联华电子在其公司网站上发布有关近期和美光及美国法律案件的后续声明,表示联华电子的DRAM技术基础里的元件设计,是完全不同于美光公司的设计。对于和福建晋华的合作,联华电子表示,只是一个符合所有合理商业考量的单纯商业交易。  联华电子表示,联华电子的DRAM技术基础里的元件设计,是完全不同于美光公司的设计。简而言之,联华电子开发的记忆胞架构是3x2布局的储存单元,这与美光公司的2x3布局的储存单元是完全不同的。这和美光所提出民事和刑事诉讼制造的假象相反。  联华电子表示,38年来,在全球的供应链上,已经成为不可或缺的一员,先进量产技术达14纳米。对比之下,美光公司争执所涉及的DRAM技术,是32纳米,在联华电子的计画启动当时,已经是落后几个世代的技术。  联华电子表示,社会上有一个错误的印象,认为联华电子没有任何DRAM的知识或经验,这不是事实,而且是极端的不实。从1996年到2010年,联华电子积累了近15年制造DRAM产品的经验。甚至在某个时间点上,联华电子内部DRAM团队人数,超过150人。联华电子是一个有组织的企业机构,藉由坚实而稳定的团队,掌握并保存了丰富的DRAM知识和经验。举个例子来说,现任联华电子共同总经理之一的简山杰,是1996年时开发DRAM产品的RAM制程开发经理。  另一个实例则是: Alliance公司是1996年第一个获得联华电子公司授权合作DRAM伙伴之一,该公司是一家总部位于美国的DRAM晶片设计公司,藉由联华电子的技术进行DRAM制造。除了传统的DRAM技术外,2009年联华电子更成功开发了属于自己的嵌入式DRAM制程技术,这比制造标准型DRAM的过程要复杂得多。  联华电子称,另一个错误的印象是美光公司在美国开发了25纳米的DRAM技术。事实是,美光公司在2010年初,购买了台湾的瑞晶公司和日本的尔必达公司的25纳米DRAM技术。  而对于和福建晋华的合作,联华电子表示,同意与晋华公司联合开发DRAM制程,这是一个与联华电子晶圆专工服务完全分开的单独项目,在做成决策当时,只是一个符合所有合理商业考量的单纯商业交易,已经向台湾当局正式提出申请,主管机关亦已于2016年4月核准整个项目。  联华电子称,自从联华电子开始为晋华公司开发DRAM制程技术,履行合约义务,联华电子已经花费了数亿新台币。尽管这个专案的研发团队成员接近300人,但只有不到10%的人曾在美光公司工作过。  联华电子最后表示:不要“在报刊上”进行这场诉讼,但联华电子要向我们的客户和投资人保证,联华电子对于任何子虚乌有的控诉和误认事实的指责,将全力并积极地自我防卫。
2018-11-14 00:00 reading:1936
TDDI市场爆发,联电计划将80nm工艺产能翻倍
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