美光存储芯片禁售后,国产芯片如何替代?

手机存储芯片产业正迎来新一轮洗礼。

7月3日，福建晋华和台湾联电各自发布声明，称因涉嫌专利侵权，福州中院发布“临时禁令”，要求美光停止在华销售部分DRAM和NAND产品。

在此之前，媒体披露，由于涉嫌操纵哄抬内存价格，国际三大存储巨头三星、 SK海力士、美光遭中国反垄断调查，或遭罚款8-80亿元。

而更早之前，去年12月，美光科技在美国加州提起民事诉讼，控告台湾联电及福建晋华侵害DRAM的营业秘密。

从诉方变成反诉方，从反诉方变成诉方，以及有关机构的介入，各方利益博弈的背后，隐藏着产业链的众生相，有需求者的无奈、领军者的得意、入局者的失落、监管者的警觉。

但，更是暴露出我国存储芯片产业缺“芯”现状。

“作为全球集成电路领域最大消费国，我国在一些核心元器件上却处于‘零自制率’境遇。”赛迪顾问半导体副总裁李珂在接受采访时表示。 

巨头垄断下的无奈

每次手机发布会上被厂商着重泼墨的存储芯片，我国却一直依赖进口。

 统计数据显示，我国每年芯片进口额超过两千亿美元，其中，存储芯片占比接近50%。2017年，中国进口存储芯片889.21亿美元，同比2016年的637.14亿美元增长39.56%。

 用于智能手机里的存储芯片分为两大类，动态随机存储器DRAM和闪存NAND Flash。简单来说，手机厂商宣传的4GB内存对应的便是DRAM，32GB或64GB存储对应的是NAND Flash。这两大存储芯片市场长期被几家巨头垄断。

 在DRAM市场，三星、海力士、美光的市场份额分别为44%、27%、22%，三家合计占比超过90%;在NAND Flash市场，三星、东芝、西部数据、美光、海力士的市场份额分别是39%、16.8%、15.1%、11.3%、10.5%，五家占比同样超过90%。

 巨头垄断也意味着他们对于存储芯片的定价拥有着话语权。据悉，从2016年开始，DRAM的价格多次提高，2017年的价格涨幅更是高达40%。从今年年初到现在，DRAM价格涨幅开始有所下降，不到10%，但对利润空间本来就很小的中国手机品牌厂来说，承受着巨大的压力。

 反观三星，2017年，全球DRAM市场增长74%，规模达到722亿美元，“头部企业”三星、海力士、美光成为最大的受益者，销售收入也随之水涨船高。海力士2017年报显示，营收30.1094万亿韩元(约合人民币1796亿元)，同比增长75%;净利13.7213万亿韩元，同比增长319%。

 回避，不如主动出击

“三大巨头能如此肆无忌惮涨价，是否也暴露出我们核心技术受制于人的窘境呢?”李珂一语道出问题关键所在。

 因此，对于技术受制于人的局面，专家直言，我们不能回避，只能借鉴和吸收国外先进技术，主动出击，实现破局。

 当前，我国存储芯片产业地图已经初步形成。既有投入NAND Flash市场的长江存储，也有专注于移动式内存的合肥长鑫，亦有致力于利基型内存的福建晋华。

从三家厂商披露的信息看，各自产品已进入量产倒计时阶段。试产时间预计将在2018年下半年，量产时间则可能集中在2019年上半年。

 筑起专利护城河

在国内存储芯片研发仍处于爬坡上坎阶段的时候，需要指出的是，无论DRAM还是NAND Flash，比拼的除了先进工艺和规模，更重要的是专利难题。

这是因为，对于存储器产业，小小的一个零部件都有着严苛的专利保护。而这些专利往往掌握在巨头手中，巨头市场占有量又非常大。因此，要避开所有现有的专利来进行开发，挑战非常大。 

国家知识产权局知识产权发展研究中心研究员王雷就对记者表示，传统DRAM产品被大量专利保护。

“即使中国厂商千辛万苦创新突破完成DRAM技术研发，但很可能还没有运作到量产阶段，就先收到巨头的专利投诉。”王雷指出。

因此，在技术攻关之外，筑起专利护城河也是国内企业进入市场的重要手段。行业分析师付亮对记者表示，对于新进入者，唯一能做的就是扩大自身专利池。只有壮大自身实力把产品做好，始终坚持自主研发。当大家都是核心专利时，才有资格和他厂谈判，走专利互授权路线。

福建晋华和台湾联电提起的专利侵权诉讼，便很好地佐证了付亮的看法，只有做好自己的专利池，才能在维护自身利益的同时对大厂进行反制。

 王雷还表示，除了庞大的资金投入外，企业在当前新形势下发展存储器产业，不应只是简单的追赶，而应该更加注重技术和市场的创新;应做好长期储备，在资金上确保持续投入;更重要的是要在立足自身市场特点的基础上追求世界领先水平。

 我国存储芯片产业正从边缘突破，形成技术优势，从而迈进市场准入门槛，乐观估计，5-10年内将改写存储芯片市场被国际大厂垄断的局面。