2017存储器市场规模达1300亿美元,同比增61.8％-Ameya360 electronic components purchasing network

2017存储器市场规模达1300亿美元,同比增61.8％

Release time：2018-04-25

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根据国际研究暨顾问机构Gartner最终统计结果显示，2017年在存储器价格大涨带动下，不仅全球半导体营收总计达4,204亿美元，首度突破4,000亿美元大关并创历史新高，前10大厂排名也大洗牌，三星首度超越英特尔夺下龙头大厂冠军宝座，西部数据（WD）因NAND Flash销售畅旺，排名由前年的17名一举跳到去年的第9名，联发科则被挤出前10大厂排名。

根据Gartner的最终统计，2017年全球半导体营收总计4,204亿美元，较2016年的3,459亿美元成长21.6％，主要是受惠于去年DRAM及NAND Flash价格大涨。而去年前10大厂排名大洗牌，前5大厂分别为三星、英特尔、SK海力士、美光、高通，有3家是存储器厂。

Gartner研究总监George Brocklehurst表示，2017年半导体产业缔造了两大纪录。第一是整体营收突破4,000亿美元大关，来到4,204亿美元规模。第二是三星电子挤下25年来稳坐全球半导体龙头的英特尔，成为全球第一大厂。之所以能够达成这两大纪录，都是因为存储器市场快速成长，供货不足带动DRAM和NAND Flash价格上扬。

2017年存储器市场营收增加将近500亿美元，市场规模达1,300亿美元，较2016年成长61.8％。2017年光是三星的存储器营收就增加近200亿美元，让三星得以登上冠军宝座。不过，Gartner预测三星称霸的时间不会太长，当存储器市场进入下滑周期时优势就会消失，且很可能2019年底就会发生。

2017年存储器部门景气大好，让其他同样强劲成长的类别相形失色。存储器以外的半导体营收增加248亿美元，达2,900亿美元规模，只较前年成长9.3％。在前25大半导体厂商当中，包括德州仪器、意法半导体、英飞凌等许多综合型供应商都创下极高的成长率，其中受惠于工业及车用两大关键市场的明显成长。

Gartner统计，2017年全球前10大半导体厂商总营收年增率达30.6％，占整体市场58％。而前10大外所有厂商总营收仅小幅上扬11％。

综观2017年，并购案结案速度较缓，交易金额和案件数量大概只有2016年的一半。然而半导体产业并购案的规模持续扩大，复杂程度也更高，都让结案更具挑战性。2016年安华高科技（Avago）以370亿美元并购博通刷新纪录，但应该很快就会被金额高达440亿美元的高通收购恩智浦一案所超越。

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初学者必看:存储器基础知识汇总

　　RAM　　Random-Access-Memory,随机存储存储器，可读可写，分为SRAM和DRAM，即静态随机存储器和动态随机存储器，理解上静动态主要体现是否需要刷新，通常DRAM需要刷新，否则数据将丢失;SRAM的效率较好，而成本较高，通常将SRAM作为cache使用。　　PSRAM　　Pseudo static random access memory，伪SRAM伪随机存储器，内部和DRAM相似，接口和SRAM相似，具有自刷新功能，不需要外部刷新。而其成本介于SRAM与DRAM之间。　　单\双端口RAM　　单端口RAM同一时刻，只能满足读或写某一动作，而双端口RAM存在两套独立的地址、数据、读写控制等，可以同时进行两个操作，当然为避免冲突，存在一定的仲裁控制，成本也更高。伪双口RAM是只有两访问接口，单一个端口只读，另一个端口只能写。　　ROM　　Read-Only-Memory,只读存储器，通常使用时一次写好，使用时只能进行读操作，而不能进行写操作。　　CACHE　　高速缓冲存储器，由于存储器DDR/DRAM等相对于处理器访问速度较慢，增加的一级缓冲存储空间，当需要处理器需要访问内存某一块区域时，先缓存cache中，处理器访问cache速度较快;但同时也需要增加处理DDR和CACHE中数据同步、替换等问题。　　TCM　　Tightly-Coupled-Memory 紧密耦合(链接)的存储器，是指和处理器链接紧密,基本可以看做和CACHE同一等级连接的存储空间(印象中ARM结构上和L2 CACHE同一层次)，其存储空间的内容不会像CACHE处理一样经常替换。　　EEPROM　　Electrically Erasable Programmable read only memory电可擦可编程只读存储器，掉电非易失的存储芯片，在特殊高电压模式下可以插写，普通模式下只读ROM。　　FLASH　　闪存，和EEPROM一样可擦除可重写，差别EEPROM总是按字节操作，FLASH可以按照字节块擦除。FLASH有分Nand-Flash、Nor-Flash，Nor-flash可以按照字节读取，而NandFlash只能按块读取，两者同样可以按照字节块擦除。Nor-Flash需要支持随机读取的地址、数据线，成本比Nand-Flash高，而其可擦写次数低于NAND FLASH,一般嵌入系统中刚boot需要初始化的代码需要放置在Nor-Flash中。　　对于FLASH的读取总线可以有I2C、SPI串行型，也可以采用并行Parallel;同样Flash可以和处理器集成在一起或是通过总线外部访问。　　eMMC　　embedded multi media card，集成了NAND FLASH和控制部分的集成电路，提供像SD、TF(trans-flash)卡一样的使用接口。　　硬盘　　传统硬盘采用磁材料作为存储介质，固态硬盘使用FLASH，访问速度性能较好。

2024-03-20 11:23 reading：968

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