台积电连续7年创营收记录,未来还得看这四大方向

Release time：2017-10-23
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source：中央社
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台湾集成电路制造股份有限公司连7年营收创历史新高纪录后，将力拚业绩持续逐年成长5%到10%到公元2020年，行动装置、高效能运算、汽车电子与物联网将是台积电未来营运成长4大动能。

台积电成立满30周年，营运表现与电子终端产品发展息息相关，计算机、消费性电子与传统手机是驱动台积电1990年到2000年营运成长主要动能。

随智能手机快速成长，台积电2010年起迈入新一波成长期，营收一路逐年刷新历史新高到2016年，连7年业绩创历史新高；台积电营收从2010年新台币4195.37亿元，倍增到2016年9479.38亿元。

即便智能手机市场成长趋缓，计算机与消费性电子产品市场同步衰退，但受惠智能手机内含半导体价值持续增加，台积电今年业绩仍将延续成长趋势，以美元计价的营收将较去年再成长近10%水平。

台积电董事长张忠谋预计明年6月股东会后自台积电裸退，但他对台积电未来营运成长依然深具信心，预期台积电营收逐年成长5%到10%到2020年目标应可顺利达成，成长性将高于整体半导体产业水平。

台积电看好行动装置、高效能运算、汽车电子与物联网，将是未来快速成长市场，并将是台积电未来营运成长4大动力。

因应客户需求，从过去以制程技术为中心，转变为以产品应用为中心，台积电建构行动装置、高效能运算、汽车电子与物联网技术平台，提供完备逻辑制程、特殊制程、硅智财及封装测试技术，加速产品上市时程。

台积电一方面持续推进制程技术，7奈米预计明年量产，5奈米制程将于2020年量产，另方面则推出具成本效益的16奈米精简型制程基础硅智财、射频制程技术与28奈米射频制程技术等特殊制程技术。

以行动装置平台为例，台积电针对客户高阶产品应用，一口气提供7奈米、10奈米、16奈米、20奈米、28奈米高效能（HPC）及28奈米移动式高效能（HPM）等逻辑制程技术，提升芯片效能、降低功耗及芯片尺寸大小。

针对中、低阶产品应用，台积电提供12奈米精简型、16奈米精简型、28奈米低功耗（LP）、28奈米高效能低功耗（HPL）、28HPC、28HPC+及22奈米超低功耗（ULP）等逻辑制程选项，满足客户高效能、低功耗芯片需求。

随策略调整，法人看好，在消费性电子与低阶通讯驱动下，台积电2018年与2019年的28奈米制程市占率可望维持在88%以上高水平。

法人也看好台积电7奈米先进制程将可受惠辉达（NVIDIA）及高通（Qualcomm）销售比重提升及系统厂自行开发人工智能（AI）芯片效益，都将是台积电明、后年业绩成长主要动力。

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台积电南京厂，获美国年度许可！
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台积电南京厂，获美国年度许可！

　　据新加坡《联合早报》网站1月1日报道，台积电表示宣布，该公司已获得美国政府发放年度许可证，在2026年向位于中国大陆的南京工厂输出芯片制造设备。　　台积电在发给路透社的一份声明中表示，此项许可“确保晶圆运营业务和产品交付不受干扰”。　　韩国三星电子与SK 海力士两家企业，也已经获得同类进口许可。　　报道称，三星电子、SK海力士和台积电此前受益于美国对华芯片相关出口全面限制的豁免政策，即“经验证最终用户(VEU)”制度。被列入“VEU”清单的企业，可以从美国进口指定的受管制物项(包括半导体设备和技术)，无须再单独申请出口许可证。　　不过，上述政策有效期截至去年12月31日，意味着从今年起向中国输出美产芯片制造设备仍需申请出口许可证。　　台积电在声明中进一步指出：“美国商务部已向南京厂区核发年度出口许可，获准输往该厂区的美国出口管制物项，无需供应商单独申请许可。”　　声明同时重申，该许可将“保障厂区生产运营与产品交付不受中断”。　　据悉，台积电南京工厂专注于16纳米及其他成熟制程芯片的生产，并非该公司的尖端半导体产品。除南京外，台积电在上海亦设有一座晶圆制造工厂。据其 2024年度报告披露，南京厂区贡献的营收约占公司总营收的 2.4%。
2026-01-04 16:12 reading：334
台积电官宣：2nm量产！
行业新闻

台积电官宣：2nm量产！

　　据台积电官网，台积电2纳米技术已如期于2025年第四季开始量产。N2技术采用第一代纳米片(Nanosheet)晶体管技术，提供全制程节点的效能及功耗进步。台积公司并发展低阻值重置导线层与超高效能金属层间电容以持续进行2纳米制程技术效能提升。　　台积电表示，N2技术将成为业界在密度和能源效率上最为先进的半导体技术。N2技术采用领先的纳米片晶体管结构，将提供全制程节点的效能及功耗的进步，以满足节能运算日益增加的需求。N2及其衍生技术将因我们持续强化的策略，进一步扩大台积公司的技术领先优势。　　从性能提升维度来看，相较于前代N3E工艺，N2工艺针对逻辑电路、模拟电路与静态随机存取存储器(SRAM)混合设计的芯片，实现了三大核心突破：同等功耗下性能提升10%—15%、同等性能下功耗降低25%—30%、晶体管密度提升15%。而针对纯逻辑电路设计的芯片，其晶体管密度较N3E工艺的提升幅度更是高达20%。　　*注：台积电公布的芯片密度数据，基于“50%逻辑电路+30%静态随机存取存储器+20%模拟电路”的混合设计方案测算。　　**注：性能提升为同等运行速度下的对比数据。　　***注：功耗降低为同等性能输出下的对比数据。　　值得关注的是，N2工艺是台积电首款采用全环绕栅极(GAA)纳米片晶体管的制程技术。这种晶体管结构中，栅极完全包裹由多层水平纳米片构成的导电沟道，不仅优化了静电控制效果、降低了漏电率，还能在不牺牲性能与能效的前提下缩小晶体管体积，最终实现晶体管密度的大幅提升。　　此外，N2工艺还在供电网络中集成了超高性能金属-绝缘体-金属电容器(SHPMIM)，其电容密度达到上一代SHDMIM方案的两倍以上，同时将薄层电阻(Rs)与通孔电阻(Rc)均降低50%，有效提升了芯片的供电稳定性、运行性能与综合能效。
2025-12-30 16:43 reading：360
突发！美国撤销台积电南京厂授权！
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突发！美国撤销台积电南京厂授权！

　　当地时间9月2日，据彭博社报道，美国商务部工业与安全局(BIS)已撤销台积电南京厂的“经验证最终用户”(VEU)授权，意味着该厂未来将无法再“自由运送”受美方出口管制覆盖的关键设备与物资。　　台积电在声明中表示：“我们已收到美国政府通知，台积电南京厂的VEU授权将自2025年12月31日起正式撤销。我们正在评估情况并采取适当措施，包括与美国政府沟通，但我们仍将全力确保南京厂的持续运作不受影响。”。　　VEU授权被撤后，台积电向南京厂供货的上游供应商需就受控货品逐单申请美国许可证，原先的一揽子许可被改为个案审批，带来审批周期与排队不确定性。彭博社称美国主管部门正寻求降低行政负担，但既有许可积压较多，短期难以消除“时间成本”与运营波动。美国商务部工业与安全局(BIS)对此未立即置评。　　从经营权重看，台积电在中国大陆的制造占比相对有限;南京厂2018年投产，去年仅贡献台积电总营收的一小部分，最先进量产制程为16nm(属较早商用世代)。即便如此，该厂维持正常运行仍需持续进口设备、备件与化学品，任何许可延宕都会传导至维护、良率与产能保障。　　当地时间8月29日，美国商务部工业与安全局(BIS)发布最终规则，宣布撤销三家在华半导体企业的VEU授权。这三家公司分别是英特尔半导体(大连)有限公司、三星中国半导体有限公司，以及SK海力士半导体(中国)有限公司。根据规则，相关变更将在公告发布120天后生效。BIS估计每年新增约1000份许可审批工作量。　　与此不同的是，台积电的VEU授权从未在《联邦公报》上公开发布，因此BIS无需像对待其他公司那样进行修订。但总体效果是相同的：一旦VEU撤销生效，向台积电、三星及SK海力士在华工厂供货的厂商都必须主动向美方申请出口许可证，涉及范围涵盖先进制造设备、备件乃至生产过程中消耗的化学品。　　撤销VEU授权，本质上就是把原本“一次性放行”的模式，改成了“逐单审批”。过去台积电南京厂能较为顺畅地进口设备和耗材，如今则需要一项一项申请许可证。这意味着备件更换、设备维修或化学品补给的过程都可能被拖慢，厂区运营面临新的不确定性，哪怕生产节点并非最新最先进。　　从政策角度看，美国意在通过更严的流程来收紧供应，而不是立刻切断供给。这样一来，美方可以保持对供应链的“节奏控制”：需要时放行，必要时收紧。对台积电南京厂而言，挑战在于如何减少这些不确定性对生产的冲击——比如提前备货、增加替代物料、优化申请节奏、与供应商和美方保持紧密沟通。换句话说，这不是“能不能生产”的问题，而是“生产过程还能不能像以前一样稳定高效”的问题。
2025-09-03 13:48 reading：989
台积电1.4nm提前启动！
行业新闻

台积电1.4nm提前启动！

　　8月29日消息，据台媒《经济日报》报道，台积电中科1.4nm先进制程晶圆厂已经准备建设。　　中科管理局27日表示，二期园区扩建水保相关公共工程将赶在9月底前完成，供应链传出，台积电中科新厂预计10月动工，初估总投资金额将达新台币1.2万亿至1.5万亿元(约392亿至490亿美元)　　目前已知，包括营造、水泥、厂务工程等相关厂商都已陆续接获通知，台积电中科先进制程建厂工程将在近日招标，随后发包动工，相关作业正如火如荼展开。　　环境部昨日召开环评大会，审查通过新竹科学园区宝山二期环境影响差异分析报告，此案攸关台积电2nm厂，主因再生水建设不如预期，台积电须调整使用再生水期程。　　竹科与台积电承诺会加强购买海水淡化厂生产的水、不影响新竹地区民生用水，同时竹科也会跨部会协商推动其他再生水，且每两年滚动检讨除生活用水，仍会达到100%使用再生水的终极目标，最终顺利通过环评大会。　　台积电先前在技术论坛释出生产据点规划时，1.4纳米制程主要生产据点，即为原兴农球场的台中F25厂，拟规划设立四座厂房，首座厂预计赶在2027年底前完成风险性试产，2028年下半年正式量产，新厂初估营业额可望超过5,000亿元(1169亿人民币)。　　供应链进一步指出，中科厂2028年量产的应该是第一期二座1.4纳米制程厂房，后续第二期二座厂，不排除将推进至A10(1纳米)制程。另一方面，台积电在1.4纳米制程推进获得重大突破，稍早已通知供应商备妥1.4纳米所需设备，预定今年先进新竹宝山第二厂装设试产线。　　另一方面，台积电在1.4nm制程推进获得重大突破，稍早已通知供应商备妥1.4nm所需设备，预定今年先进新竹宝山第二厂装设试产线。　　据了解，台积电原订采用2nm制程的宝山晶圆20厂，其中二厂将改为1.4nm制程与研发线，三厂为1nm制程与研发线、四厂不排除为0.7nm制程与研发线。而中科初步规划四座厂房，第一期两座厂为1.4nm制程，第二期二座厂不排除为1nm制程。　　此外，南科管理局目前正筹备开发台南沙仑园区，预计2027年第3季交地给厂商建厂，届时将争取台积电进驻园区投资建厂。据了解，台积电已规划在此投资兴建1nm先进制程基地，以目前土地面积达500公顷来看，初估可兴建10座晶圆厂。　　英特尔稍早透露，可能下一代A14(1.4nm)制程将与客户合作，专为代工研发，若届时仍无客户，将可能会放弃继续开发尖端制程代工工艺。三星则将1.4nm制程量产时间，从2027年延后至2029年，专注在提高2nm良率。业界分析，此举将促成台积电加速1.4nm制程布局，以确保市场独占性。
2025-08-29 13:43 reading：643
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