闷声发大财,三星Q3营收预料再创新高

Release time：2017-09-25
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source：TechNews科技新报
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2017年第2季，韩国消费电子大厂三星电子缔造了有史以来的营收新高纪录，这也说明了李在镕受审并未给三星的运营带来重大影响。原先，业界估计到了第3季，三星的净利将会有所“收敛”。不过，日前多家韩国证券公司发布财务预测报告指出，第3季三星电子的净利有望再一次创造历史新高纪录，而原因则来自全球存储器市场的需求持续维持高档所致。

根据韩国英文媒体《The Korea Times》的报导，2017年第2季三星电子达到了14.07万亿韩元的营业利益，相当于124亿美元，这不仅创造了公司历史记录，而且也罕见地超过了在智能手机市场的老对手-美国苹果。而对于这样的情况，市场分析师原本预计来到第3季之后就会趋缓。不过，日前韩国Shinhan投资公司的分析师Choi Do-yeon发布的研究报告指出，在当前第3季，三星电子的营收利益将再次创造历史纪录，预计将达到14.5万亿韩元的水准，相当于128亿美元，营业额则来到62万亿韩元。 

无独有偶，韩国Kiwoom证券公司的分析师Pak Yu-ak也表示，第3季三星的营业利润将达到15万亿韩元，相当于133亿美元，销售收入则为59.7万亿韩元。另外，韩国Eugene投资证券公司以及KB投资证券公司也预测，第3季三星电子的营业利润将会超过14.2万亿韩元，将超过第3季的数字，创下历史最新高纪录。

报导进一步指出，三星之所以能在第3季能有突出的营收表现，除了因应李在镕的收押，采取了事业部的机制，有着比较稳定的业务管理体系，加上半导体部门创下的佳绩，以及型动部门也陆续推出了高端旗舰智能手机S8和Note 8，而且销售情况不错所致。其中，在半导体部门方面，三星第2季在半导体业务上受惠于全球半导体需求的持续增温下，获得了8万亿韩元的营业利润。 

根据Eugene公司的分析报告表示，2016年第4季，1GB存储器的价格为4.6美元，但到了2017年第3季，价格飙涨到了6.4美元。而1GB NAND Flash快闪存储器的价格则从0.26美元，上涨到了0.28美元。而且，这两项产品在2017年下半年涨势将会持续。之前，业界曾担心存储器的价格会因为厂商的产能扩增，在价格上将会有回档的情况。但是，但事实证明这样的疑虑是多余的。

因此，展望第3季，Eugene投资证券公司的分析师Lee Seung-woo则表示，三星半导体业务的营业利润将达来到9.9万亿韩元，相当于87亿美元。这位分析师还进一步指出，在存储器和屏幕市场中，三星具有强大的优势，在无可替代的的情况下，依旧是一家独大的情况。另外，韩国分析师Kim Dong-won也指出，全球存储器价格的上涨，将让三星获得了最大的利益，预计半导体部门在2017年第3季的营业利润将达到9.8万亿韩元，相当于86.7亿美元。

由于目前存储器在个人电脑和智会型手机手机的应用越来越多，不但智能手机在使用NAND Flash快闪存储器读容量越来越大，加上传统个人电脑中的硬盘逐步被NAND Flash快闪存储器所竞购的固态硬盘所淘汰，这些原因都拉抬了市场对存储器与快闪存储器两种商品的需求。加上当前市场上的产能不足，不足以填补市场缺口的情况下，价格节节高升。这也使得第三季三星的营收将优于预期，这样的结果也拉动了三星整体的股价表现。

三星股价7月中一度来到近期高点，每股为256万韩元。之后，因为李在镕面临宣判，市场担心造成公司经营的不稳定，因而股价曾经回档到每股223.1万韩元的低档价位。如今，在市场预期三星第三季营收可能再创历史新纪录的情况下，股价在上近期高点，18日收盘价来到262.4万元的价位，近1个多月来上涨超过17%。

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三星电子开发出其首款基于第八代V-NAND的车载SSD
行业新闻

三星电子开发出其首款基于第八代V-NAND的车载SSD

　　256GB AM9C1使用先进的V-NAND技术，　　5nm制程控制器，　　提供SLC模式选项，速度目前为三星最快　　更高的性能和可靠性，　　使此款SSD支持端侧AI功能，　　更适配下一代车载解决方案　　2024年9月24日，三星电子今日宣布成功开发其首款基于第八代V-NAND技术的PCIe 4.0车载SSD。三星新款AM9C1车载SSD凭借行业前沿的速度和更高的可靠性，成为适配车载应用端侧人工智能功能的解决方案。　　三星新款256GB AM9C1车载SSD相比前代产品AM991，能效提高约50%，顺序读写速度分别高达4,400MB/s和400MB/s。　　“三星电子副总裁兼存储器事业部　　汽车业务负责人Hyunduk Cho表示：　　我们正在与全球自动驾驶汽车厂商合作，为这些企业提供高性能、高容量的车载产品。三星将继续推动涵盖从自动驾驶到机器人技术的物理人工智能(Physic AI)¹ 存储器市场的发展。”　　AM9C1基于三星的5纳米(nm)控制器，提供单层单元(SLC)命名空间²功能，其优异的性能让访问数据密集型文件更为轻松。用户将初始的三层单元(TLC)状态切换至SLC模式，即可体验大幅提升的读写速度，其中读取速度高达4,700MB/s，写入速度高达1,400MB/s，同时还能享有SLC SSD可靠性增强所带来的优势。　　当前，三星的主要合作伙伴正在进行256GB版本AM9C1的样品测试，这款产品预计将于今年年底开始量产。为了满足对高容量车载SSD日益增长的需求，三星计划推出128GB到2TB等多种容量规格的AM9C1存储器产品阵容。其中最大的2TB SSD预计将在明年年初开始量产。　　三星的新款车载SSD通过了更为严苛的板级测试，能够满足汽车半导体质量标准AEC-Q100³的2级温度测试标准，在-40°C至105°C宽幅的温度范围内能保持稳定运行。　　为了进一步满足汽车行业在可靠性和稳定性方面的高标准，三星电子获得了基于ISO/SAE 21434标准的CSMS⁴(网络安全管理体系)认证。今年3月，三星的车载UFS 3.1产品通过了ASPICE⁵(汽车软件过程改进与能力评定)CL3认证。　　“三星电子存储器事业部　　执行副总裁Hwaseok Oh表示：　　ASPICE和ISO/SAE 21434认证是证明三星技术可靠性和稳定性的里程碑。三星将继续提升产品的稳定性和品质，为关键合作伙伴提供优秀解决方案。”
2024-09-24 10:07 reading：702
三星宣布携手高通，助力高级车载信息娱乐与高级驾驶员辅助系统
行业新闻

三星宣布携手高通，助力高级车载信息娱乐与高级驾驶员辅助系统

　　三星LPDDR4X车载内存通过高通汽车模组验证　　强大的车载存储解决方案产品阵容　　将确保供应链长久、稳定、可靠。　　2024年8月27日，三星电子今日宣布，其用于高级车载信息娱乐(IVI)和高级驾驶辅助系统(ADAS)的LPDDR4X车载内存，已通过高通最新的骁龙® 数字底盘™平台验证。这不仅证明了三星LPDDR4X车载存储器的卓越性能，也体现了三星在汽车应用领域的深厚技术实力和长期支持客户的坚实承诺。　　▲三星和高通携手共同助力高级车载信息娱乐(IVI)　　和高级驾驶员辅助系统(ADAS)　　“三星电子副总裁兼存储器事业部　　汽车业务负责人Hyunduk Cho表示：　　三星丰富的DRAM和NAND车规产品组合，且均通过了AEC-Q100¹ 验证。因此，三星是高通技术公司携手共进、为客户打造长期解决方案的理想伙伴，三星凭借在存储器解决方案领域的设计、生产和封装能力的领先优势，不仅能够提供快速的开发周期，同时能够保障可靠性、验证和卓越的产品控制，满足汽车行业的严格要求。　　AEC-Q100标准是针对车载封装集成电路产品的应力测试标准。　　三星正在开发下一代LPDDR5车规芯片，预计今年第四季度可以提供样品。LPDDR5将能够支持三星车轨内存能达到的最高数据传输速度，即每秒9.6千兆位(Gbps)，即使在极端温度条件下，依旧保持卓越性能。
2024-08-27 11:02 reading：796
三星于联发科技天玑旗舰移动平台完成其最快LPDDR5X验证
行业新闻

三星于联发科技天玑旗舰移动平台完成其最快LPDDR5X验证

　　三星的10.7Gbps LPDDR5X　　在联发科技下一代天玑移动平台上完成验证　　新款DRAM的功耗降低　　和性能提升均达25%左右，　　可延长移动设备的电池续航时间，　　并显著提升设备端AI功能的性能　　三星今日宣布，已成功在联发科技的下一代天玑旗舰移动平台完成其最快的10.7千兆比特/秒(Gbps)LPDDR5X DRAM验证。　　此次10.7Gbps运行速度的验证，使用三星的16GB LPDDR5X封装规格，基于联发科技计划于下半年发布的天玑9400旗舰移动平台进行。两家公司保持密切合作，仅用三个月就完成了验证。　　三星电子内存产品规划　　执行副总裁YongCheol Bae表示：　　通过与联发科技的战略合作，三星已验证了其最快的LPDDR5X DRAM，该内存有望推动人工智能(AI)智能手机市场。三星将继续通过与客户的积极合作进行创新，并为设备端人工智能时代提供优秀解决方案。　　联发科技资深副总经理暨无线通信　　事业部总经理徐敬全博士表示：　　通过与三星电子的合作，联发科技的下一代天玑旗舰移动平台成为首个在三星高达10.7Gbps LPDDR5X运行速度下得到验证的产品，为即将推出的设备带来惊艳的AI功能和移动性能。这种更新的架构将为开发人员和用户带来更好的体验，在提升AI能力和丰富设备功能的同时，有效降低对电池寿命的影响。　　三星的10.7Gbps LPDDR5X的功耗较前代降低25%左右，性能较前代提升约25%。这可以延长移动设备的电池续航时间并增强设备端AI性能，从而提高AI功能的速度(如语音文本生成)，而无需服务器或云访问。　　随着设备端AI市场的扩展，尤其是AI智能手机，节能、高性能的LPDDR DRAM解决方案变得越来越重要。通过与联发科技的验证，三星正在巩固其在低功耗、高性能DRAM市场的技术前沿地位，并有望将应用范围从移动设备扩展到服务器、PC和汽车设备。
2024-07-16 09:18 reading：610
三星美国厂或于2026年生产2nm
行业新闻

三星美国厂或于2026年生产2nm

　　随着行业竞争演变，三星或将调整其先进制程生产战略。据报道，三星正采取措施，将其位于德克萨斯州泰勒市的晶圆厂的生产开始时间定在2026年(而不是2024年)，并可能从2nm制造工艺开始。　　三星泰勒晶圆厂原计划将于2024年底开始生产4nm节点，但三星可能会在2024年第三季度做出转向2nm的决定。目前，三星正在放缓芯片制造设备订单，等待决定是否启动2nm制造工艺。　　此前，三星曾于2021年11月宣布斥资170亿美元建造其第一家泰勒工厂，以及其位于德克萨斯州的第二家工厂，但据称该预算已上涨至约200亿美元。　　行业分析认为，三星泰勒工厂初始生产节点以及开始生产的时间的一个考虑因素可能是，市场采用人工智能的速度以及对尖端芯片的需求。目前，三星的代工竞争对手台积电已经在为市场领导者英伟达生产3nm尖端工艺制程。　　与此同时，苹果、AMD、高通、英特尔、联发科等大厂都投产台积电3nm，为了应对产能供不应求，台积电规划今年3nm产能将比去年增加三倍。　　另据报道，三星电子最新的3nm芯片Exynos2500良率，相比第一季的“个位数”有所提升，但目前良率仍略低于20%，难以达到量产标准，未来能否用于GalaxyS25系列旗舰智能手机还尚未确定。但三星正在全力提高良率，以在今年10月之前将Exynos2500芯片良率提升至60%。　　此外，与其他代工厂的竞争形势也可能是三星调整泰勒工厂生产规划的一个因素。目前，英特尔预计将在2024年推出其20A和18A(2nm和1.8nm)工艺。台积电预计将在2025上半年推出2nm工艺，而Rapidus表示计划于2025年4月在试验线上使用IBM授权的2nm工艺生产芯片，并于2027年实现量产。　　三星最近根据《CHIPS法案》获得美国政府66亿美元的奖励，作为回报，三星承诺投资240亿美元在泰勒建造第二座晶圆厂。无论如何，泰勒晶圆厂将在三星产能规划中变得更为重要，但三星最终是否会将最先进的工艺在美国投产还有待观察。
2024-07-01 13:34 reading：617
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