IGBT供应紧张,交期12-20周!东芝8寸厂拟增设产线

Release time：2017-08-10
author：Ameya360
source：国际电子商情
reading：2352

IGBT是能源变换与传输的核心器件，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。国际电子商情获得供应链渠道反馈，近来IGBT产品供应趋紧有缺货现象。信息显示，一些品牌IGBT以前交期为12周，现在20周交期都不能保证。

上游供应紧张传导 将考虑增设产线

“个人了解到，很多厂家出现了IGBT供应紧张、甚至涨价的情况。得益于良好的市场预测机制和弹性的产线调整，目前东芝IEGT产品供需基本平衡。IEGT是耐压达4KV以上的IGBT系列电力电子器件。后续随着IEGT在国内应用的进一步拓展，不排除东芝会考虑增设产线。” 东芝电子（中国）有限公司分立器件战略业务企划统括部经理苗汉洁表示。

在国际电子商情此前的报道中，智能功率模块IPM价格已经上涨，过去通用的IPM智能功率模块45-100RMB不等，现在，已经涨到75-125RMB不等。此外，MOSFET做小功率电路保护也出现部分产品供不应求。随着新能源汽车、充电桩市场的爆发，功率半导体迎来黄金发展期。与此同时，产业链上游的供应日益紧张。苗汉洁认为，今年市场的供需失衡一定程度上是由于半导体晶圆全球供应链紧张引起的。如果这个原因近期得不到缓解，那市场的大环境可能还是会继续动态调整一段时间。东芝IEGT是大功率核心器件，和客户是长期的战略合作关系，所以从长期合作互惠互利的观点出发目前尽量维持价格稳定，东芝尽量把市场大环境的波动内部消化，减少对客户的不利影响。

从工厂和产能情况看，东芝IEGT的工厂（晶圆厂、封装测试厂）均设在东芝总部本土，晶圆厂采用8英寸晶圆。从东芝公司作为全球第一个商业化量产IGBT器件的公司开工以来工厂已经有三十多年的历史，目前的供需比较平衡。后续随着IEGT在国内应用的进一步拓展，不排除东芝会考虑增设产线。扩产的计划主要是面向压接式IEGT产品，因为压接式产品上东芝有深厚的技术积累，该产品有独特的技术优势和光明的市场前景，是东芝半导体除了Memory以外具有核心竞争力的拳头产品。

除扩产计划外，将提高产品功率密度、运行温度并引入SiC

据介绍，东芝IEGT广泛应用在日本、欧洲、美国、印度、非洲的大型设备、工程上。在中国国内目前主要应用在柔性直流输电、马达驱动（轨道牵引、工业变频）等场合。柔性直流输电是项目型、脉冲式的需求，单个项目用量极大但是项目需求是突发式的并不稳定；马达驱动是产品型、持续稳定的需求。总体上说，马达驱动是传统的市场、维持稳定的小幅增长；柔性直流输电是新兴的市场、具有大幅度增长的潜力。

“在柔性直流输电领域，东芝的重要客户（鞍山荣信）持续稳定地在大批量应用IEGT产品；今年荣信之外也有多家客户采用IEGT用于柔直样机开发；我们期待在这个市场会有更好的表现。” 苗汉洁说。另外，今年东芝开始在直流断路器项目上有所突破，通过一系列的共同实验 IEGT获得了国内顶尖科研机构的认可，并且已经在多个客户用于直流断路器的样机研发，有望批量用在高压直流断路器、中压直流断路器等新兴应用场合。

对于东芝IEGT未来的技术趋势，苗汉洁表示，将进一步提高器件功率密度、提高器件运行温度、并且引入SiC技术。东芝目前重点推广压接式IEGT产品，产品特色是高功率密度（单颗器件最大4.5KV 3KA）、双面散热（两面热阻接近大约4:6）、短路失效模式（内部没有容易开路失效的键合线）。产品优势是相对于塑料模块式IGBT，产品功率密度高、可靠性高、串联方便、防爆能力更强。功率密度高可以在相同的设备体积内实现更大的变流能力；可靠性高、防爆能力更强可以增长设备的使用寿命、降低客户的维护成本；串联方便、短路失效模式有助于客户实现更高电压等级的产品。目前IEGT已经应用在最大±350KV，1.25GW的柔性直流输电工程项目。下一步有望用在±800KV，5GW的柔性直流输电工程项目。

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不同因素对IGBT温敏参数dv/dt有什么影响
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不同因素对IGBT温敏参数dv/dt有什么影响

　　绝缘栅极双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称 IGBT)作为一种重要的功率半导体器件，在现代电力电子系统中发挥着关键作用。在实际应用中，IGBT 的温敏参数 dv/dt 影响了器件的开关速度和稳定性。本文将探讨不同因素对 IGBT 温敏参数 dv/dt 的影响，并分析其在电力电子领域中的重要性。　　1. IGBT 温敏参数 dv/dt 的定义　　在 IGBT 工作过程中，dv/dt 是指栅源电压(Gate-Source Voltage)随时间的变化率，即斜率。温敏参数 dv/dt 表示了 IGBT 在不同温度下对斜率变化的敏感程度，通常会影响到器件的耐受能力、开关速度以及噪声等性能。　　2. 结构设计对 dv/dt 的影响　　IGBT 的结构设计是影响其温敏参数 dv/dt 的重要因素之一。以下是几个主要方面：　　2.1 掺杂浓度：掺杂浓度的变化会影响 IGBT 的电场分布和载流子输运特性，从而对 dv/dt 产生影响。　　2.2 漏极区域：漏极区域的结构设计对电场分布和损耗情况有较大影响，进而影响了 dv/dt 参数的表现。　　2.3 网格结构：IGBT 栅极网格结构的设计也会对电场分布和响应速度产生重要影响，进而影响温敏参数 dv/dt 的性能。　　3. 材料属性对 dv/dt 的影响　　IGBT 的材料属性是决定器件性能的关键因素之一，对温敏参数 dv/dt 也有显著影响。　　3.1 半导体材料：IGBT 的半导体材料的选择直接影响了器件的导电性能和电场分布特性，从而影响 dv/dt 参数的表现。　　3.2 绝缘层材料：绝缘层材料的性能和质量对于电场分布和漏电流的抑制起着重要作用，进而影响了温敏参数 dv/dt 的性能。　　4. 工作条件对 dv/dt 的影响　　IGBT 在不同工作条件下，其温敏参数 dv/dt 的表现也会有所差异。　　4.1 温度：是最主要影响 IGBT 温敏参数 dv/dt 的因素之一。随着温度升高，器件特性可能发生变化，导致 dv/dt 参数受到影响。　　4.2 工作频率：高频率的工作条件下，IGBT 开关速度要求更高，对 dv/dt 的敏感度也会增加，需要更高的性能来保证器件稳定可靠地工作。　　5. 外部环境对 dv/dt 的影响　　外部环境因素也会对 IGBT 温敏参数 dv/dt 产生影响。　　5.1 湿度：高湿度环境可能导致器件绝缘层性能下降，导致电场分布不均匀和漏电流增加，进而影响了 dv/dt 参数的稳定性。　　5.2 电磁干扰：强电磁干扰环境下，可能会产生额外的噪声和干扰，影响 IGBT 的工作状态和敏感度，从而对温敏参数 dv/dt 造成影响。　　6. 综合影响分析和应对措施　　综合考虑以上因素对 IGBT 温敏参数 dv/dt 的影响，可以通过以下措施来应对：　　6.1 优化结构设计：在设计阶段注重优化结构设计，提高器件的耐受能力和响应速度，降低温敏参数 dv/dt 的波动性。　　6.2 选择合适材料：合理选择半导体材料和绝缘层材料，确保其性能符合要求，以降低温度和外部环境变化对 dv/dt 的影响。　　6.3 控制工作条件：在实际应用中，控制器件的工作温度、频率和电压范围，使其处于合适的工作条件下，减小 dv/dt 参数的波动和不稳定性。　　6.4 环境监测与保护：对环境因素进行监测和评估，采取有效的绝缘和防护措施，保持器件在良好的工作环境下，减少外部环境因素对 dv/dt 参数的干扰。　　IGBT 温敏参数 dv/dt 是影响器件稳定性和性能的重要指标之一，在实际应用中需要充分考虑各种因素对其影响。通过优化结构设计、选择合适材料、控制工作条件和做好环境监测与保护等措施，可以有效降低温敏参数 dv/dt 的波动性，提高器件的可靠性和稳定性。
2025-11-14 14:48 reading：315
硅IGBT与碳化硅MOSFET的优缺点
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硅IGBT与碳化硅MOSFET的优缺点

　　随着电力电子技术的不断发展，硅IGBT和碳化硅MOSFET作为主要功率开关器件，在电力变换、驱动等领域都扮演着重要角色。两者在性能、功耗、效率等方面有着不同特点，本文将探讨硅IGBT和碳化硅MOSFET的特性，并对它们的优缺点进行详细对比分析。　　1. 硅IGBT的优缺点　　优点：　　低导通压降：硅IGBT具有较低的导通压降，能够减少功耗和散热需求。　　稳定性强：在高温、高电压条件下仍能保持稳定工作。　　成熟技术：已经经过长期发展和改进，技术相对成熟，生产工艺稳定。　　缺点：　　开关速度慢：IGBT的开关速度较慢，导致在高频应用中性能受限。　　功耗较高：由于导通压降存在，会产生一定的功耗损耗。　　温升较高：在高负载情况下容易产生较高的温度升高，需要额外散热处理。　　2. 碳化硅MOSFET的优缺点　　优点：　　高开关速度：碳化硅MOSFET具有极快的开关速度，适合高频应用。　　低导通损耗：由于导通特性优秀，功耗损耗较低。　　低温升：在高负载情况下温升较低，对散热要求不高。　　缺点：　　价格较高：碳化硅器件相对硅IGBT价格较高，成本较大。　　新技术：相对硅IGBT，碳化硅器件的生产工艺和技术较新，仍在不断完善中。　　抗干扰能力差：对于电磁干扰的抵抗能力相对较弱。　　3. 对比分析　　性能比较：　　开关速度：碳化硅MOSFET具有更快的开关速度，适合高频应用;而硅IGBT则速度较慢。　　功耗：在功耗方面，碳化硅MOSFET表现较优，而硅IGBT存在一定的功耗损失。　　稳定性：硅IGBT在高温高压条件下的稳定性较好，而碳化硅MOSFET则更适合高频、高效率应用。　　成本和可靠性：　　成本：硅IGBT的成本相对较低，技术相对成熟，生产规模大;而碳化硅MOSFET的价格较高，因为生产工艺和材料技术要求较高。　　可靠性：硅IGBT在长期应用中表现出稳定的可靠性，且故障率较低;碳化硅MOSFET作为新技术，其长期稳定性尚待进一步验证。　　应用领域：　　硅IGBT：电力电子、工业变频器、风力发电等领域，对稳定性和成本要求较高。　　碳化硅MOSFET：高频变换器、电动汽车驱动系统、太阳能逆变器等需要高效率、高频率开关的领域。
2025-06-06 11:31 reading：1200
IGBT的工作原理、作用和功能有哪些
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IGBT的工作原理、作用和功能有哪些

　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种高性能、高速度的功率半导体器件，是MOSFET和普通双极晶体管的集成体。IGBT融合了MOSFET的驱动特性和双极晶体管的低导通压降等优点，具有高效、低损耗和大电流承载能力等特点。IGBT广泛应用于各种电力电子设备中，如变频器、交流调速电机、UPS电源等。　　1. IGBT的工作原理　　IGBT的结构复杂，但其工作原理却比较简单。IGBT由PNP型双极晶体管和N型金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET组成，并在两者之间加入了隔离层，以实现双极晶体管和MOSFET的有机结合。IGBT的主要工作原理如下：　　当IGBT的栅极施加正向电压时，会形成一个N型导通区，从而允许集电极和发射极之间的电流通过。　　反之，当栅极施加反向电压时，则不允许电流通过。　　在IGBT的工作过程中，当控制信号施加到栅极时，将会引起PNP晶体管的导通。在这种情况下，集电极和发射极之间的电流可通过，在控制信号撤回后，IGBT会自动关闭，此时不会通过任何电流。　　2. IGBT的作用和功能　　IGBT拥有多种特性，其主要作用和功能如下：　　(1) 控制电流　　IGBT具有单向导通特性，可控制电路的开关状态。当IGBT的栅极施加正向电压时，允许电流通过;反之，则不允许电流通过。这使得IGBT可以很好地控制电流大小和方向。　　(2) 降低功率损耗　　由于IGBT的导通电阻比双极晶体管低，开关速度又比MOSFET快，因此，IGBT具有较低的导通损耗和开关损耗。这使得IGBT成为高效、低损耗的功率半导体器件。　　(3) 承载大电流　　IGBT的承载电流能力较强，可达300A以上。同时，IGBT具有良好的热稳定性和抗击穿能力，可以在高温和高电压环境下工作，保证设备的安全运行。　　(4) 广泛应用　　IGBT广泛应用于各种电力电子设备中，如变频器、交流调速电机、UPS电源等。其稳定性和高效性的特点被广泛认可，并得到了市场的追捧。　　IGBT是一种重要的功率半导体器件，具有控制电流、降低功率损耗、承载大电流等多种特点。其广泛应用于各种电力电子设备中，为产业的发展和进步做出了重要贡献。
2024-11-11 17:38 reading：1430
IGBT的工作原理 IGBT的作用和功能
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IGBT的工作原理 IGBT的作用和功能

　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种高性能、高速度的功率半导体器件，是MOSFET和普通双极晶体管的集成体。IGBT融合了MOSFET的驱动特性和双极晶体管的低导通压降等优点，具有高效、低损耗和大电流承载能力等特点。IGBT广泛应用于各种电力电子设备中，如变频器、交流调速电机、UPS电源等。　　1. IGBT的工作原理　　IGBT的结构复杂，但其工作原理却比较简单。IGBT由PNP型双极晶体管和N型金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET组成，并在两者之间加入了隔离层，以实现双极晶体管和MOSFET的有机结合。IGBT的主要工作原理如下：　　当IGBT的栅极施加正向电压时，会形成一个N型导通区，从而允许集电极和发射极之间的电流通过。　　反之，当栅极施加反向电压时，则不允许电流通过。　　在IGBT的工作过程中，当控制信号施加到栅极时，将会引起PNP晶体管的导通。在这种情况下，集电极和发射极之间的电流可通过，在控制信号撤回后，IGBT会自动关闭，此时不会通过任何电流。　　2. IGBT的作用和功能　　IGBT拥有多种特性，其主要作用和功能如下：　　(1) 控制电流　　IGBT具有单向导通特性，可控制电路的开关状态。当IGBT的栅极施加正向电压时，允许电流通过;反之，则不允许电流通过。这使得IGBT可以很好地控制电流大小和方向。　　(2) 降低功率损耗　　由于IGBT的导通电阻比双极晶体管低，开关速度又比MOSFET快，因此，IGBT具有较低的导通损耗和开关损耗。这使得IGBT成为高效、低损耗的功率半导体器件。　　(3) 承载大电流　　IGBT的承载电流能力较强，可达300A以上。同时，IGBT具有良好的热稳定性和抗击穿能力，可以在高温和高电压环境下工作，保证设备的安全运行。　　(4) 广泛应用　　IGBT广泛应用于各种电力电子设备中，如变频器、交流调速电机、UPS电源等。其稳定性和高效性的特点被广泛认可，并得到了市场的追捧。　　IGBT是一种重要的功率半导体器件，具有控制电流、降低功率损耗、承载大电流等多种特点。其广泛应用于各种电力电子设备中，为产业的发展和进步做出了重要贡献。
2024-09-04 15:16 reading：1521
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