集成电阻
与分立电阻相比，集成电阻通过半导体工艺直接制作在芯片上，具有体积小、一致性好、成本低等优势。从早期的厚膜电阻到现代CMOS工艺中的多晶硅电阻，集成电阻技术不断演进，为模拟电路、数字逻辑和混合信号系统提供了关键支持。本文将系统介绍集成电阻的类型、制造工艺、特性参数及其应用场景。
1.1 扩散电阻
利用半导体衬底的掺杂区域(如N阱或P扩散区)形成电阻，典型方块电阻为50-300Ω/。其特点是工艺兼容性好，但存在较大的温度系数(约2000ppm/°C)和电压非线性。
1.2 多晶硅电阻
通过沉积掺杂多晶硅薄膜实现，方块电阻范围广(20-1kΩ/□)。多晶硅电阻温度系数可控制在100-500ppm/°C，是CMOS工艺中最常用的集成电阻。
1.3 薄膜电阻
采用氮化钽(TaN)或镍铬合金(NiCr)等材料，通过溅射工艺制作。薄膜电阻精度可达±0.1%，温度系数低于50ppm/°C，常用于高精度ADC/DAC。
2.1 光刻与刻蚀：通过掩膜版定义电阻图形，干法刻蚀形成精确的几何尺寸。深亚微米工艺中，光学邻近校正(OPC)技术可减少边缘误差。
2.2 离子注入：控制掺杂浓度调节方块电阻值。例如，通过硼注入调整P型多晶硅的电阻率，剂量误差需小于±5%。
2.3 激光修调：对成品电阻进行微调，采用激光烧蚀改变电阻路径宽度，精度可达±0.01%。修调后需进行钝化层保护。
3.1 绝对精度：受工艺波动影响，未修调的集成电阻初始误差通常为±10%-±20%。匹配精度(相邻电阻比值)可达±0.1%。
3.2 温度系数(TCR)：多晶硅电阻的TCR呈非线性，典型值为正温度系数(300ppm/°C)，可通过串联不同掺杂类型实现补偿。
3.3 电压系数(VCR)：高电场下载流子迁移率变化导致电阻值偏移，薄膜电阻的VCR通常低于100ppm/V。
4.1 运算放大器反馈网络：集成电阻与运放构成比例放大器，匹配误差直接影响增益精度。例如仪表放大器INA826要求电阻匹配优于0.01%。
4.2 电压基准分压：带隙基准电路中的电阻分压比决定输出电压，需采用温度系数匹配的电阻对。
4.3 数字接口终端匹配：高速LVDS接口的100Ω差分终端电阻通常由多晶硅电阻实现，要求寄生电容低于10fF。
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