半导体激光控制器

发布时间:2023-02-20 17:16
作者:Ameya360
来源:网络
阅读量:1916

  半导体激光控制器由受控恒流源,温度监视及控制电路,主控制器及显示器构成。为了使激光器输出稳定的激光,对流过激光器的电流要求非常严格,供电电路必须是低噪声的稳定的恒流源。恒流源可以从0A~2. 5A 之间连续可调,以适应不同规格的半导体激光器。该恒流源是以大功率的MOS 管为核心,激光器作为负载与之串联,通过控制MOS 管的栅极,来实现对激光器电流的控制。但MOS 管是非线性器件,难以直接控制,因此必须将其转化为线性控制。

半导体激光控制器


半导体激光控制器概述

  近年来,随着光电技术的迅猛发展,激光器已广泛应用于医疗、国防、测量等各个领域。而环境温度变化会直接影响激光器的波长。把关键元件(如高性能晶振、SAW 滤波器、光放大器、激光二极管) 的本机温度限制在窄范围内,可以提高电子系统的精度。一般需要将温度控制在0. 1 ℃内,激光器的工作精度才能很好地保持在0. 1nm 内 。

半导体激光控制器温度检测

  由于温度对激光的品质有很大影响,在电流恒定的情况下,温度每升高1 ℃,激光波长将增加大约0. 1nm ,而且温度过高将导致激光器老化甚至损坏。

  并且激光器是一个电灵敏度高、成本昂贵的器件,因此控制器必须提供监控、限制和过载保护的能力 。

  包括:自启动和过流保护、热电制冷器(thermoelectriccooler ,TEC) 电压、电流和温度的感测。异常工作电路停机以避免激光器元件损坏。值得注意的是:环境温度的变化对激光器的影响,要求控制器具备制冷和制热的能力。通常为使元件温度保持稳定是将把元件封闭在固定温度的恒温槽内。为了提供某种调整容限,其所选温度应高于所有条件下的环境温度。这种方法曾被广泛采用,特别是用在超稳时钟的设计中(如恒温槽控制的晶振) 。但高温应用此方法有如下缺点 : 性能(如噪声因数,速度和寿命)有所降低;环境温度处于中间范围时调整器消耗加热的功率,在环境温度处于低端时需要两倍大的功率;达到稳定温度所需的时间可能相当长。


半导体激光控制器温度探测电路部分

  温度探测电路部分与恒流源类似,采用NTC(负温度系数) 的热敏电阻作为温度探测器。其中用陶瓷粉工艺制作的NTC 元件对温度的微小变化有最大的电阻变化。特别是某些陶瓷NTC 在其寿命内(经适当老化) 具有0. 05 ℃稳定度。并且与其它温度传感相比,陶瓷NTC 的尺寸特别小。然后将热敏电阻串联入一恒流源,对热敏电阻两端电压采样,将温度变换为电信号。

(备注:文章来源于网络,信息仅供参考,不代表本网站观点,如有侵权请联系删除!)

上一篇:叉车蓄电池

下一篇:压电蜂鸣器

在线留言询价

相关阅读
106亿!又一个半导体高端装备制造项目签约落地
  7月11日,遂宁市安居区人民政府与广东先导稀材股份有限公司签署项目合作协议,标志着全市近3年来首个百亿级产业项目“先导科技集团半导体高端装备制造西南生产基地”正式签约落地。  市委书记严卫东、先导科技集团董事长朱世会出席活动并讲话。市委副书记、市长王忠诚,先导科技集团联席总裁侯振富出席签约活动。  活动举行了签约仪式。安居区人民政府与广东先导稀材股份有限公司签订投资106亿元建设“先导集团半导体高端装备制造西南生产基地”项目合作协议;广东先导稀材股份有限公司与遂宁产投集团签订股权投资合作协议。  据介绍,先导科技集团是全球最大的稀散金属全产业链高科技平台,硒、碲、铋、铟、镓、锗产量位居全球前列。  此次签约的先导科技集团半导体高端装备制造西南生产基地项目落户安居经开区,计划总投资106亿元,主要生产半导体高端设备及核心配件等,分两期推进,一期计划投资30亿元,投产后预计年产值可达53亿元,二期启动后,预计总投资规模超过百亿元,将建成西南地区最大的新能源镀膜生产基地和最大的半导体高端制造基地。  此次项目签约,既是先导科技集团布局战略腹地、开拓西南市场的关键落子,也是遂宁“大抓招商引资、重抓招大引强”的重大突破。广东先导科技集团将加速组建工作专班进驻遂宁,全力保障项目7月底开工、8月底全面建设,加速推动先导薄膜先进材料生产等项目转移遂宁。  下一步,遂宁将靠前服务做好土地供应、能评、环评、安评等前期工作,积极与相关部门协同协作,推动项目在最短时间内全面开建。
2025-07-21 16:27 阅读量:299
中国半导体企业综合竞争力百强
2025-07-21 13:50 阅读量:348
全球首条超宽禁带半导体高频滤波芯片生产线即将试生产
  近日,全球首条超宽禁带半导体高频滤波芯片生产线即将试生产,标志着中国在半导体领域实现了重大技术突破,对推动5G/6G通信、物联网及高端制造业发展具有深远意义。  该生产线由福建晶旭半导体科技有限公司投资建设,总投资16.8亿元,占地136亩,专注于基于氧化镓(β-Ga₂O₃)压电薄膜新材料的高频滤波器芯片研发与生产。氧化镓作为第四代超宽禁带半导体材料,其禁带宽度(4.9eV)远超氮化镓(3.39eV)和碳化硅(3.2eV),具备更高的击穿场强(8MV/cm)和更低的功耗特性。这一材料的应用,将彻底解决传统钽酸锂滤波器在3GHz以上频段的失效问题,填补国内在氧化镓压电薄膜新材料领域的空白。  晶旭半导体技术团队自2005年起深耕声波滤波器领域,拥有100余项化合物单晶薄膜材料专利。其氧化镓异质外延技术通过在蓝宝石衬底上生长高质量氧化镓薄膜,避免了昂贵铱坩埚的使用,将材料成本降低60%以上。这一技术突破不仅实现了材料自主,还为芯片量产奠定了成本优势。  高频滤波器是5G通信中的核心器件,直接影响信号传输的稳定性和效率。全球首条氧化镓高频滤波芯片生产线的试生产,将打破海外企业在这一领域的垄断,推动中国5G/6G通信设备、智能手机及物联网设备的自主可控发展。  当前,全球半导体产业正处于技术迭代的关键期。中国通过布局氧化镓等第四代半导体材料,有望在5G/6G、量子计算等新兴领域实现技术领先,摆脱对传统硅基芯片的依赖。  随着全球首条氧化镓高频滤波芯片生产线的试生产,中国有望在高频通信芯片领域掌握更多标准制定权,推动全球通信产业向更高频段、更低功耗的方向发展。  全球首条超宽禁带半导体高频滤波芯片生产线的试生产,是中国半导体产业从“追赶”到“领跑”的重要里程碑。这一项目的成功,不仅将填补国内技术空白,还将推动全球5G/6G通信、物联网及高端制造业的革新。未来,随着技术的不断成熟和产业链的完善,中国有望在全球半导体产业格局中占据更加重要的地位。
2025-06-18 11:51 阅读量:466
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
型号 品牌 抢购
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
TPS63050YFFR Texas Instruments
BP3621 ROHM Semiconductor
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年,现 有超过3500家优质供应商,收录600万种产品型号数据,100 多万种元器件库存可供选购,产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等,为广大客户提供一站式购 销服务。

请输入下方图片中的验证码:

验证码