2025年10月30日,由盖世汽车主办的第七届金辑奖颁奖盛典在上海圆满落幕。上海贝岭凭借车规级特高压MOSFET BLQ3N100E/BLQ3N120,荣获 “金辑奖2025最佳技术实践应用奖”,公司执行总监唐振宁先生出席并领奖。

“金辑奖”旨在推动中国汽车产业的技术进步与生态升级,本届围绕“中国汽车新供应链百强”主题,重点关注车规级芯片等十大领域。其“最佳技术实践应用奖”专门授予那些已将前沿技术转化为稳定、量产产品的企业。上海贝岭的车规级特高压MOSFET产品,正是这一理念的杰出代表。

产品型号:BLQ3N100E/BLQ3N120
工艺类型节点:0.35μm MOS工艺
封装信息:TO252/TO263
车规认证等级:AEC-Q101
应用领域:汽车BMS、车载辅助电源、预充电路、电子泄放开关等
上车情况:国内多家主流主机厂、Tire1
产品亮点:硅基N沟道增强型MOSFETs,耐压分别高达1000V/1200V,采用先进的MOSFET技术,可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。
产品简介:本系列是N沟道增强型特高压平面MOSFET产品,凭借其先进的半导体工艺和结构优化,在降低导通损耗、提升开关速度及增强抗瞬态能力方面表现卓越。优化的雪崩耐受能力则保障了设备在复杂电压波动下的稳定运行,结合紧凑封装设计,为高密度、高可靠性的系统方案提供了理想选择。可适用于新能源汽车动力电池管理系统、车载辅助电源等场景。
技术参数:BLQ3N120以1200V耐压、低至5Ω的典型导通电阻,结合27nC的栅极电荷优化,在高压场景中显著降低导通与开关损耗;
BLQ3N100E则以1000V耐压、6.2Ω为基础,通过13.8nC的超低Qg和内置ESD保护结构,兼顾高频开关效率与抗静电能力。
两者均通过100%雪崩能量测试及AEC-Q101车规认证,支持-55℃至150℃结温范围。
以技术实践,推动产业前行
此次获奖,不仅是行业对上海贝岭技术研发与产品落地能力的肯定,也是对我们在车规级功率半导体领域持续创新的鼓励。未来,上海贝岭将继续深耕汽车电子赛道,以更多“芯”力量,助力中国汽车新供应链的崛起与全球竞争力的提升。
在线留言询价
| 型号 | 品牌 | 询价 |
|---|---|---|
| RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
| TL431ACLPR | Texas Instruments | |
| BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
| CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
| MC33074DR2G | onsemi |
| 型号 | 品牌 | 抢购 |
|---|---|---|
| ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
| BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
| TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
| STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
| BP3621 | ROHM Semiconductor |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码,即可关注
请输入下方图片中的验证码: