上海贝岭荣获“金辑奖2025最佳技术实践应用奖”

发布时间:2025-11-07 11:46
作者:AMEYA360
来源:上海贝岭
阅读量:724

  2025年10月30日,由盖世汽车主办的第七届金辑奖颁奖盛典在上海圆满落幕。上海贝岭凭借车规级特高压MOSFET BLQ3N100E/BLQ3N120,荣获 “金辑奖2025最佳技术实践应用奖”,公司执行总监唐振宁先生出席并领奖。

上海贝岭荣获“金辑奖2025最佳技术实践应用奖”

  “金辑奖”旨在推动中国汽车产业的技术进步与生态升级,本届围绕“中国汽车新供应链百强”主题,重点关注车规级芯片等十大领域。其“最佳技术实践应用奖”专门授予那些已将前沿技术转化为稳定、量产产品的企业。上海贝岭的车规级特高压MOSFET产品,正是这一理念的杰出代表。

上海贝岭荣获“金辑奖2025最佳技术实践应用奖”

  产品型号:BLQ3N100E/BLQ3N120

  工艺类型节点:0.35μm MOS工艺

  封装信息:TO252/TO263

  车规认证等级:AEC-Q101

  应用领域:汽车BMS、车载辅助电源、预充电路、电子泄放开关等

  上车情况:国内多家主流主机厂、Tire1

  产品亮点:硅基N沟道增强型MOSFETs,耐压分别高达1000V/1200V,采用先进的MOSFET技术,可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。

  产品简介:本系列是N沟道增强型特高压平面MOSFET产品,凭借其先进的半导体工艺和结构优化,在降低导通损耗、提升开关速度及增强抗瞬态能力方面表现卓越。优化的雪崩耐受能力则保障了设备在复杂电压波动下的稳定运行,结合紧凑封装设计,为高密度、高可靠性的系统方案提供了理想选择。可适用于新能源汽车动力电池管理系统、车载辅助电源等场景。

  技术参数:BLQ3N120以1200V耐压、低至5Ω的典型导通电阻,结合27nC的栅极电荷优化,在高压场景中显著降低导通与开关损耗;

  BLQ3N100E则以1000V耐压、6.2Ω为基础,通过13.8nC的超低Qg和内置ESD保护结构,兼顾高频开关效率与抗静电能力。

  两者均通过100%雪崩能量测试及AEC-Q101车规认证,支持-55℃至150℃结温范围。

  以技术实践,推动产业前行

  此次获奖,不仅是行业对上海贝岭技术研发与产品落地能力的肯定,也是对我们在车规级功率半导体领域持续创新的鼓励。未来,上海贝岭将继续深耕汽车电子赛道,以更多“芯”力量,助力中国汽车新供应链的崛起与全球竞争力的提升。


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