英飞凌获得欧洲芯片法案批准， IPCEI资助推动欧洲创新项目发展
近日，欧盟委员会根据《欧洲芯片法案》批准了对英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)位于德累斯顿的智能功率半导体工厂的资助。德国联邦经济事务和气候行动部 (BMWK) 负责欧盟芯片法案资金的拨付，目前仍在等待对该项目正式资金的批准，预计将在未来几个月内完成。另外，该智能功率半导体工厂已获得欧盟委员会“欧洲微电子和通信技术共同利益重点项目”(IPCEI ME/CT)创新计划的支持。德累斯顿生产基地的总投资约为10亿欧元，于 2023年3月开始建设，目前进展顺利。工厂计划于2026年投入使用。
英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck表示：“英飞凌的这一投资获得了政府支持，该项目巩固了德累斯顿、德国，乃至欧洲作为半导体中心的地位，推动了微电子创新和生产生态系统向顶尖水平发展。我们正在提高欧洲的半导体产能，从而保障汽车、安全和工业领域的供应链稳定性。”
英飞凌将投资 50 亿欧元扩建德累斯顿生产基地。德国联邦政府此前已批准提前启动该项目。新的开发项目将创造多达1,000个新工作岗位，这其中还不包括投资生态系统中增加的额外岗位。专家推测这对就业产生的正效应为1:6。该智能功率半导体工厂将聚焦于进一步加速低碳化和数字化进程的技术，例如推动为人工智能提供高能效功率解决方案的发展。
除了这笔用于扩大德累斯顿生产规模的资助外，英飞凌还通过IPCEI ME/CT创新计划推动公司其他地点的研发投资。从 2022 年到 2027 年，英飞凌将在德国和奥地利的生产基地投资 23 亿欧元用于创新项目。这些项目主要集中在功率电子、模拟/混合信号技术、传感器技术、射频应用等领域。
作为欧盟资助计划的一部分，英飞凌正在进一步规划促进科学与产业合作的综合措施。其中一项核心内容是与欧洲的大学、研究机构和初创企业密切合作。英飞凌为有才华的年轻人提供了一个开发和推进可持续创新的平台。这些举措促进了科学知识的实践应用，巩固了欧洲作为创新中心的地位。
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