基本新洁能第七代IGBT技术NCE40ER65BP介绍

Release time：2023-03-23
author：AMEYA360
source：网络
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　　产品家族针对不同应用特点发展出很多不同分支，逆导IGBT是-个重要分支。逆导IGBT通过将续流二极管芯片巧妙的集成到IGBT芯片中，来实现器件性能的提升和成本的降低。业界对逆导IGBT较为常见的称呼是REVERSE CONDUCTING IGBT,缩写为RC-IGBT,也有称为SHORT ANODE IGBT,简称SA-IGBT,还有些文献中称逆导IGBT为集电极短路IGBT等，虽然名称略有差异，但都是原理都是基于阳极短路技术。

基本新洁能第七代IGBT技术NCE40ER65BP介绍

　　本文推荐一款新洁能生产的逆导IGBT NCE40ER65BP,该产品是-款650V、TO-3P封装、100°C下额定电流40A的产品。我们将该产品基本的基本参数与手头常见的相近规格产品做了实测对比,其中50JR22是一款在8本公司生产的逆导IGBT, BT40T60是一款国内厂商的普通IGBT产品，详细数据如下:

基本新洁能第七代IGBT技术NCE40ER65BP介绍

　　本文介绍的RC-IGBT NCE40ER65BP产品是新洁能采用第七代微沟槽场截止技术设计制造的量产产品之一,该系列产品除采用先进的微沟槽技术大幅提高器件元胞结构密度外,还采用了优化的载流子存储设计、多梯度背面缓冲层设计以及超薄漂移区工艺技术，大幅提升器件电流密度，以650V产品为例，产品电流密度可以提升至550A/CM2以上,可以与国际最先进技术世代产品性能达到相同水平。

　　器件的饱和压降和开关损耗大幅度降低，器件折中特性大幅优化, 650V满足中频IGBT饱和压降典型值仅1.35V,达到目前业界最优水平。此外，该系列产品通过引入多梯度背面缓冲层设计,优化了器件的开关特性，为系统设计提供更大的余量。该系列产品全部基于全球最领先的大尺寸IGBT晶圆制造平台生产，实现了卓越器件电气特性与参数高-致性稳定性的全面结合。

基本新洁能第七代IGBT技术NCE40ER65BP介绍


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新洁能第三代40V SGT-MOS：定义中低压功率器件新标杆
行业新闻

新洁能第三代40V SGT-MOS：定义中低压功率器件新标杆

　　作为国内MOSFET功率器件研发的先行者之一，新洁能始终致力于功率半导体核心技术的突破，其研发团队持续创新，正式推出第三代SGT产品Gen.3 SGT MOSFET，电压涵盖25-150V系列产品，构建全场景解决方案。其中40V Gen.3 SGT MOSFET系列凭借革命性的性能升级，为消费级、工业级以及车规级应用领域树立新标杆。　　新洁能40V Gen.3 SGT MOSFET系列产品采用国际先进屏蔽栅沟槽工艺技术，芯片具有超高集成度，全面提升了器件的开关特性和导通特性，其特征比导通电阻Rsp(导通电阻Ron*芯片面积AA)相比上一代产品降低33%，品质因子FOM(导通电阻Ron*栅极总电荷Qg)降低31%，具备更高的电流密度、功率密度和鲁棒性。并且三代40V SGT-MOS通过三维沟槽结构创新与低阻晶圆工艺技术升级，提高全温度区间Ron稳定性，突破传统导通损耗与散热的极限平衡。以同面积的MOS芯片相比，Gen.3在150℃结温下Ron增量较Gen.1 减少16%，在保持超低Ron的同时，实现温升效率行业领先，有效解决高温场景下的效率衰减难题，助力系统小型化与长期可靠性，重构中低压功率器件的热管理能力。NCE世代产品与最优竞品Rsp性能对比　　全系产品分为高VTH和低VTH 2个细分方向， 提供不同档位RDS(ON) 产品供客户挑选，灵活匹配不同的应用领域，如电机驱动、锂电池保护、同步整流、新能源汽车和AI算力等。同时全系产品包含DFN5*6、DFN5*6-DSC、DFN3*3、DFN3*3-DSC、sTOLL、TOLL、TOLT、TO-220、TO-263等封装形式，能够提供更灵活的交期与本地化服务。40V产品系列丰富，本文优先推荐DFN5*6、DFN5*6-DSC、sTOLL、TOLL封装重点产品型号。　　产品型号　　产品特点　　◆ 超低特征导通电阻Rsp(导通电阻Ron*芯片面积AA)　　◆ 极优品质因子FOM(导通电阻Ron*栅极总电荷Qg)　　◆ 更小阈值电压Vth Range，利于并联应用　　◆ 更优温升效率，有效解决高温场景下的效率衰减难题　　◆ 极高功率密度　　◆ 更优抗振荡能力　　◆ 更强鲁棒性　　◆ 更齐全的封装形式　　◆ 更齐全的电阻、电流型号规格　　应用领域　　◆ 新能源汽车　　◆ AI算力　　◆ 通信服务器　　◆ 不间断电源UPS　　◆ 锂电池保护　　◆ 电动工具　　◆ 无人机　　◆ 适配器　　新洁能40V Gen.3 SGT MOSFET以“更优设计、更高效率、更高品质”为核心竞争力，重新定义中低压功率器件技术边界。
2025-06-09 09:58 reading：1073
新洁能推出NSG4427 2A 双通道 低侧同相栅极驱动芯片
行业新闻

新洁能推出NSG4427 2A 双通道 低侧同相栅极驱动芯片

　　新洁能NSG4427是低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性。输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。并联两通道使用可以实现驱动能力增强。　　产品特性　　PIN2PIN替换Infineon IR4427，Microchip TC4427　　双通道输入输出同相位　　兼容3.3V输入逻辑　　工作范围：5V~25V　　锁存保护：可承受0.5A反向电流　　驱动电流能力：　　--拉电流/灌电流=2A/2A　　SOP8封装功能框图　　推荐的应用范围　　变频水泵　　家用空调　　汽车座椅电机　　开关电源　　双通道典型应用电路双通道典型应用双通道并联典型应用　　PCB布局参考双通道PCB布局双通道并联PCB布局
2025-05-28 09:14 reading：561
新洁能SJ MOSFET G4.0 800V and 900V产品介绍
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新洁能SJ MOSFET G4.0 800V and 900V产品介绍

　　超结MOS采用垂直结构设计，在漂移区内交替排列垂直的P型柱区和N型柱区，形成“超级结”单元，通过电荷补偿技术突破传统功率半导体“硅极限”的高压器件，其核心设计通过优化电场分布实现低导通电阻与高击穿电压的平衡。另超结MOSFET具有更低的导通电阻和更优化的电荷分布，因此其开关速度通常比普通MOSFET更快，有助于减少电路中的开关损耗。由于其出色的高压性能和能效比，超结MOSFET更适合于高压、大功率的应用场景。　　新洁能Gen.4在原有超结MOSFET技术的基础上，通过进一步技术升级，提升器件的结构密度，降低特征导通电阻;提升器件的功率密度，在相同体积下可以大幅提升器件电流能力，另导通电阻温度特性等方面均有明显提升。　　Gen.4超结MOSFET(Super Junction MOSFET IV)最新推出800V and 900V 系列产品，800V 新增带快速恢复二极管系列产品。　　相同规格产品高温下Rdson倍数值对比：Gen4相比Gen3 减小16%;Gen4和国际I 产品达到相同水平。　　FOM 对比: Gen4 相比Gen3 and 国际I 产品降低25%。　　产品型号
2025-04-30 17:43 reading：744
新洁能：金兰功率半导体发布Q2系列100~150KW三电平逆变/储能模块
行业新闻

新洁能：金兰功率半导体发布Q2系列100~150KW三电平逆变/储能模块

　　在“双碳”目标驱动下，光伏逆变、储能系统及工业变频领域对功率模块的高效率、高功率密度需求持续攀升。三电平(NPC)拓扑凭借更低的开关损耗、更高的电压利用率，成为中高压场景的主流方案。据《2025全球电力电子技术白皮书》预测，三电平模块市场年增长率将超18%，其中650V平台因适配1000V光伏系统，占据核心份额。　　产品介绍　　新洁能全资子公司：金兰功率半导体(无锡)有限公司推出LQ2系列105kW、125KW、135KW　　INPC逆变储能一体模块，全方位助力客户应对能源高效化挑战。　　产品特点　　均采用焊接Pin的LQ2封装(兼容 Flow 2出针)　　使用第七代微沟槽场截止GEN.7 IGBT，损耗更小　　模块内外管均使用快管，集逆变储能应用为一体　　封装材料 CTI > 500　　紧凑型模块封装设计实现高功率密度　　可根据客户特殊工况定制模块　　核心技术　　优异的动静态参数，低压降、低动态损耗，适配高频高功率应用场景　　通过全套芯片级&封装级可靠性验证　　低翘曲及优异底面导热硅脂涂覆效果　　选用ZTA/AMB基材，保证更优异的散热能力和更好的可靠性　　竞争优势　　芯片优势：搭载第七代微沟槽场截止GEN.7 IGBT　　定制化扩展：支持客户多功率段定制化需求　　精益化生产：MES、ERP系统保障模块生产信息可追溯　　应用领域　　储能系统　　光伏逆变器　　其他三电平应用
2025-03-20 09:26 reading：1036
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