新洁能自主研发推出了CSP 12V-24V电流能力6A-30A系列产品

Release time：2023-03-16
author：AMEYA360
source：网络
reading：2363

　　针对高端智能手机&智能穿戴锂电池保护应用，新洁能自主研发推出了CSP 12V-24V电流能力6A-30A系列产品，拥有体积小、散热性好、电性连接寄生参数小等特点，满足常见单节锂电池充放电管理需求。

　　智能穿戴设备，包括TWS耳机、智能手表/手环、智能眼镜，以及智能服饰、智能配饰，甚至智能鞋垫等。凭借着便携的使用方式，以及数据交互、云端交互等强大的功能，愈发受到市场和消费者的关注。

　　高端智能手机追求高性能的同时，对轻薄的外形、高颜值也提出了很高要求，对于减薄PCB厚度，减小PCB体积而言，是个巨大的挑战。

　　电子产品正不断朝着小型化、轻薄化的方向发展。随着柔性PCB的迅猛发展，CSP封装得到了极大的重视。由于省去了传统封装的引线框架、焊线、塑封工序，CSP产品体积小、轻薄，因而在应用中改进了封装电路的回路电感，同时能很好的改善电路的热性能。

　　单节电池保护电路应用原理图

新洁能自主研发推出了CSP 12V-24V电流能力6A-30A系列产品

　　二、CSP封装简介

　　CSP全称Chip Scale Package，芯片级封装。整体面积(组装占用印制板的面积)与芯片尺寸相同或比芯片尺寸稍大一些，整体厚度约100-300um,满足良好的机械耐受压力需求。CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比相当接近1:1的理想情况，约为普通的BGA的1/3，仅仅相当于TSOP芯片面积的1/6。

　　产品设计通常依据终端电路板引线和电流能力需求，可定制不同的chip size以及pin脚位置，常见外形有如下两种：

新洁能自主研发推出了CSP 12V-24V电流能力6A-30A系列产品

　　三、选型及特性

新洁能自主研发推出了CSP 12V-24V电流能力6A-30A系列产品

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新洁能第三代40V SGT-MOS：定义中低压功率器件新标杆
行业新闻

新洁能第三代40V SGT-MOS：定义中低压功率器件新标杆

　　作为国内MOSFET功率器件研发的先行者之一，新洁能始终致力于功率半导体核心技术的突破，其研发团队持续创新，正式推出第三代SGT产品Gen.3 SGT MOSFET，电压涵盖25-150V系列产品，构建全场景解决方案。其中40V Gen.3 SGT MOSFET系列凭借革命性的性能升级，为消费级、工业级以及车规级应用领域树立新标杆。　　新洁能40V Gen.3 SGT MOSFET系列产品采用国际先进屏蔽栅沟槽工艺技术，芯片具有超高集成度，全面提升了器件的开关特性和导通特性，其特征比导通电阻Rsp(导通电阻Ron*芯片面积AA)相比上一代产品降低33%，品质因子FOM(导通电阻Ron*栅极总电荷Qg)降低31%，具备更高的电流密度、功率密度和鲁棒性。并且三代40V SGT-MOS通过三维沟槽结构创新与低阻晶圆工艺技术升级，提高全温度区间Ron稳定性，突破传统导通损耗与散热的极限平衡。以同面积的MOS芯片相比，Gen.3在150℃结温下Ron增量较Gen.1 减少16%，在保持超低Ron的同时，实现温升效率行业领先，有效解决高温场景下的效率衰减难题，助力系统小型化与长期可靠性，重构中低压功率器件的热管理能力。NCE世代产品与最优竞品Rsp性能对比　　全系产品分为高VTH和低VTH 2个细分方向， 提供不同档位RDS(ON) 产品供客户挑选，灵活匹配不同的应用领域，如电机驱动、锂电池保护、同步整流、新能源汽车和AI算力等。同时全系产品包含DFN5*6、DFN5*6-DSC、DFN3*3、DFN3*3-DSC、sTOLL、TOLL、TOLT、TO-220、TO-263等封装形式，能够提供更灵活的交期与本地化服务。40V产品系列丰富，本文优先推荐DFN5*6、DFN5*6-DSC、sTOLL、TOLL封装重点产品型号。　　产品型号　　产品特点　　◆ 超低特征导通电阻Rsp(导通电阻Ron*芯片面积AA)　　◆ 极优品质因子FOM(导通电阻Ron*栅极总电荷Qg)　　◆ 更小阈值电压Vth Range，利于并联应用　　◆ 更优温升效率，有效解决高温场景下的效率衰减难题　　◆ 极高功率密度　　◆ 更优抗振荡能力　　◆ 更强鲁棒性　　◆ 更齐全的封装形式　　◆ 更齐全的电阻、电流型号规格　　应用领域　　◆ 新能源汽车　　◆ AI算力　　◆ 通信服务器　　◆ 不间断电源UPS　　◆ 锂电池保护　　◆ 电动工具　　◆ 无人机　　◆ 适配器　　新洁能40V Gen.3 SGT MOSFET以“更优设计、更高效率、更高品质”为核心竞争力，重新定义中低压功率器件技术边界。
2025-06-09 09:58 reading：359
新洁能推出NSG4427 2A 双通道 低侧同相栅极驱动芯片
行业新闻

新洁能推出NSG4427 2A 双通道 低侧同相栅极驱动芯片

　　新洁能NSG4427是低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性。输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。并联两通道使用可以实现驱动能力增强。　　产品特性　　PIN2PIN替换Infineon IR4427，Microchip TC4427　　双通道输入输出同相位　　兼容3.3V输入逻辑　　工作范围：5V~25V　　锁存保护：可承受0.5A反向电流　　驱动电流能力：　　--拉电流/灌电流=2A/2A　　SOP8封装功能框图　　推荐的应用范围　　变频水泵　　家用空调　　汽车座椅电机　　开关电源　　双通道典型应用电路双通道典型应用双通道并联典型应用　　PCB布局参考双通道PCB布局双通道并联PCB布局
2025-05-28 09:14 reading：289
新洁能SJ MOSFET G4.0 800V and 900V产品介绍
行业新闻

新洁能SJ MOSFET G4.0 800V and 900V产品介绍

　　超结MOS采用垂直结构设计，在漂移区内交替排列垂直的P型柱区和N型柱区，形成“超级结”单元，通过电荷补偿技术突破传统功率半导体“硅极限”的高压器件，其核心设计通过优化电场分布实现低导通电阻与高击穿电压的平衡。另超结MOSFET具有更低的导通电阻和更优化的电荷分布，因此其开关速度通常比普通MOSFET更快，有助于减少电路中的开关损耗。由于其出色的高压性能和能效比，超结MOSFET更适合于高压、大功率的应用场景。　　新洁能Gen.4在原有超结MOSFET技术的基础上，通过进一步技术升级，提升器件的结构密度，降低特征导通电阻;提升器件的功率密度，在相同体积下可以大幅提升器件电流能力，另导通电阻温度特性等方面均有明显提升。　　Gen.4超结MOSFET(Super Junction MOSFET IV)最新推出800V and 900V 系列产品，800V 新增带快速恢复二极管系列产品。　　相同规格产品高温下Rdson倍数值对比：Gen4相比Gen3 减小16%;Gen4和国际I 产品达到相同水平。　　FOM 对比: Gen4 相比Gen3 and 国际I 产品降低25%。　　产品型号
2025-04-30 17:43 reading：427
新洁能：金兰功率半导体发布Q2系列100~150KW三电平逆变/储能模块
行业新闻

新洁能：金兰功率半导体发布Q2系列100~150KW三电平逆变/储能模块

　　在“双碳”目标驱动下，光伏逆变、储能系统及工业变频领域对功率模块的高效率、高功率密度需求持续攀升。三电平(NPC)拓扑凭借更低的开关损耗、更高的电压利用率，成为中高压场景的主流方案。据《2025全球电力电子技术白皮书》预测，三电平模块市场年增长率将超18%，其中650V平台因适配1000V光伏系统，占据核心份额。　　产品介绍　　新洁能全资子公司：金兰功率半导体(无锡)有限公司推出LQ2系列105kW、125KW、135KW　　INPC逆变储能一体模块，全方位助力客户应对能源高效化挑战。　　产品特点　　均采用焊接Pin的LQ2封装(兼容 Flow 2出针)　　使用第七代微沟槽场截止GEN.7 IGBT，损耗更小　　模块内外管均使用快管，集逆变储能应用为一体　　封装材料 CTI > 500　　紧凑型模块封装设计实现高功率密度　　可根据客户特殊工况定制模块　　核心技术　　优异的动静态参数，低压降、低动态损耗，适配高频高功率应用场景　　通过全套芯片级&封装级可靠性验证　　低翘曲及优异底面导热硅脂涂覆效果　　选用ZTA/AMB基材，保证更优异的散热能力和更好的可靠性　　竞争优势　　芯片优势：搭载第七代微沟槽场截止GEN.7 IGBT　　定制化扩展：支持客户多功率段定制化需求　　精益化生产：MES、ERP系统保障模块生产信息可追溯　　应用领域　　储能系统　　光伏逆变器　　其他三电平应用
2025-03-20 09:26 reading：545
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