2017上海慕尼黑电子展ROHM专区（三）

Release time：2017-03-16
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source：与非网
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如果让你说一个今后极有可能在智能手机上应用并普及的功能是什么，相信很多人都会想到"无线充电"。这次ROHM在模拟解决方案展区带来了"支持WPC(Qi)标准中等功率的无线充电发送接收用控制IC"，其接收端"BD57015GWL"适用Qi/PMA两种规格，标准配置异物检出功能和设备校准功能，LDO输出电压可在5V~10V范围内分档调节。 可应用于智能手机、平板电脑等所有移动设备。

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无线供电接收/发送用控制IC

电源解决方案：SiC（碳化硅）功率元器件助力环保更节能

在"能源问题"日益受到重视的今天，"节能"已然成为业界一大主题。如何提高功率转换的效率，尽可能减少功率损耗是一大课题，而SiC功率元器件则是可显著减少功率转换时损耗的关键器件。一直以来都在SiC功率器件领域处于业界领先地位的ROHM，在本次展会上展示的"全SiC"功率模块是一款具有高速开关、低开关损耗、高速 恢复、消除寄生二极管通电导致的元件劣化问题等特点的产品。与一般的同规格IGBT模块相比，开关损耗降低了77%，可高频驱动，因此还非常有助于周边元器件和冷却系统等的小型化。其可用于电机驱动、太阳能发电、转换器等多元化领域。

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"全SiC"功率模块

移动设备解决方案：高亮度三色LED提升移动设备体验

无论是手机、平板、还是手环，移动设备的特点就是"轻、薄、小"。如何在越来越轻薄小巧的设备上给用户更好的体验是业界的一大课题。针对这一现实问题，ROHM退出了带反射镜的高亮度三色LED"MSL0402RGBU"。以往的点矩阵光源所用LED的主流尺寸是3.5mm×2.8mm，存在显示粗糙、不能多彩显示等课题。对此，ROHM充分利用多年来在LED领域积累的小型化技术经验，实现显著的小型化，面积比ROHM以往产品面积减少达70％左右。而"MSL0402RGBU"采用静电耐压高的元件，无需齐纳二极管也可确保静电耐压，使产品在点矩阵电路中的显示性能更优异，能够大大提高用户体验。


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带反射镜的亮度3色LED

汽车未来科技 VS 方程式赛车 特别展区展示ROHM汽车电子综合实力

随着汽车在我国的不断普及，汽车文化也变得越来越深厚。对汽车的认知也不再仅仅只是代步工具，对个性化、高科技化和节能化的需求日益高涨。为了让观众能够更直观、更全面地了解ROHM在汽车电子领域所拥有的产品与技术，在本次展会现场特别展出了一台"ROHM汽车电子解决方案演示机"，在现场吸引了众多观众驻足观看。该设备是采用了ROHM关键元器件的仿真型解决方案演示机，搭载了包括智能开锁、信息娱乐、ADB系统/序列式转向灯等在内的众多ROHM产品与技术，而这些技术在不久的将来很有可能被应用到民用车上。

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特别展示：ROHM汽车电子解决方案演示


2017上海慕尼黑电子展ROHM专区（三）

特别展示：ROHM技术人员现场讲解

另外，ROHM于2016年与参加电动方程式锦标赛 (Formula E) 的文图里电动方程式车队 (Venturi Formula E Team) 成为合作伙伴。从2016年10月9日开幕的第三赛季起，对于在赛车驱动中起到核心作用的逆变器部分提供世界最先进的功率半导体：SiC (碳化硅) 功率元器件，对设备的小型化、轻量化和高效化提供支持。此次展会中也特别展出了采用了ROHM的SiC功率元器件的逆变器。

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特别展示：采用ROHM的SiC功率元器件的逆变器

通过此次展会，不仅展示了ROHM最新的产品与技术，在与现场观众交流互动的同时，也了解了最新的行业动向与信息，为今后开发出能够更好满足市场需求的产品打下了良好的基础。

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上海雷卯：ESD防护实战三：雷卯ESD二极管选型指南与布局优化技巧
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上海雷卯：ESD防护实战三：雷卯ESD二极管选型指南与布局优化技巧

　　前两篇雷卯EMC小哥讲了ESD的危害和保护二极管的原理，这一篇上海雷卯EMC小哥再次上线，聚焦 “落地实操”：如何为防护电路选对ESD保护二极管?电路板布局时哪些细节会影响防护效果?雷卯EMC小哥总结了一套 “选型+布局” 实战方法论，新手也能快速上手。　　一、三步搞定ESD保护二极管选型　　选型的核心是 “匹配”——让二极管的参数与被保护电路的需求精准匹配。记住三个关键词：信号特性、防护需求、环境耐受。　　第一步：匹配信号特性　　信号电压：重点看 “最大反向工作峰值电压(VRWM)”，必须大于或者等于信号的最大电压(比如5V信号线，VRWM选5V或以上)。若VRWM不够，正常工作时二极管会漏电，导致信号失真。　　信号频率：高频信号(≥1GHz，如 USB 3.0)必须选低容值(CT≤1pF)产品，否则会增加插入损耗;当 CT>1pF 时，USB 3.0 信号的插入损耗会超过 - 3dB@10GHz，易导致信号误码。雷卯电子的低容系列(如ULC0521CT)CT 仅 0.18pF，适配高速接口;同时需注意封装选择，高频或小空间场景优先选 DFN 封装(寄生电感<0.5nH)，大电流场景可选用 SOT-23FL 封装(散热性能更优) ，封装参数会间接影响高频信号传输与器件长期稳定性。　　信号极性：单极性信号(如0-5V数字信号)可选单向二极管;双极性信号(如音频信号、±12V 电源)选双向二极管(雷卯电子LCC05DT3音频静电防护)。　　第二步：满足防护需求　　ESD 等级：根据系统测试标准选(如IEC 61000-4-2接触放电±8kV)，二极管的 VESD(静电耐受电压)必须高于该值。雷卯电子常规型号VESD 可达 ±15kV，工业级型号达±30kV。　　钳位能力： ESD防护二极管在静电注入后不会立即响应，若静电脉冲的第一峰值高于ESD防护二极管的钳位电压，该峰值电压可能施加在被保护器件(DUP)上，导致其故障或损坏。相同电流下，钳位电压(VC)越低越好，比如33V VRWM的二极管，在10A脉冲下，雷卯的产品VC比竞品低5-8V，更能保护敏感芯片。　　第三步：适配环境耐受　　浪涌电流：若电路可能遇到雷击或电源浪涌(如户外设备)，需关注 “8/20μs 峰值脉冲电流(IPP)”，雷卯电子大功率型号IPP可达2000A，满足IEC 61000-4-5 测试。　　工作温度：工业场景选- 55℃~150℃宽温产品，雷卯电子全系列满足工业要求。　　二、电路板布局：细节决定防护效果　　选对型号后，布局不当仍可能让防护失效。雷卯 EMC 小哥总结了3个 “黄金原则”：　　二极管必须 “靠近ESD入口”　　ESD脉冲的高频成分会沿 “最短路径” 传播，若二极管离接口太远(比如超过5cm)，脉冲会先击穿被保护芯片，再到达二极管;建议二极管距离接口连接器的走线长度≤3cm，进一步缩短脉冲传播时间。　　正确做法：二极管紧贴USB、网口等接口布局，信号线先经过二极管再到芯片。　　接地路径要 “短、直、粗”　　二极管分流的ESD电流需要快速回到地，若接地过孔多、线细、路径长，会产生 “寄生电感”，导致钳位电压升高(电感×电流变化率 = 额外电压)。实测显示，当接地过孔间距>5mm 或地线线宽<0.3mm 时，寄生电感会增加 2-3nH，进而导致钳位电压抬升 10-15V，削弱防护效果。　　正确做法：二极管接地端用敷铜连接，就近打地过孔(最好2个以上)，避免走细长线。　　避免 “平行线干扰”　　ESD脉冲会在周围产生强电磁场，若敏感信号线(如I2C、SPI)与接口线平行走线，会被感应出高压。　　正确做法：敏感线与接口线交叉布局，或用地线隔离，间距≥3mm。　　三、雷卯选型工具推荐　　为了简化选型，上海雷卯电子官网(www.leiditech.com)提供 “参数筛选工具”，通过筛选器件功率、工作电压、封装、钳位电压，即可自动匹配适配型号;还可以微信搜索由雷卯电子倾力打造 “EMC电磁兼容社区”小程序，包含USB、HDMI、Ethernet 等几十种典型接口的几百个参考设计方案，方案内容涵盖器件选型、标准解读和参数比对。　　四、小结　　选型的核心是 “参数匹配”，布局的核心是 “缩短路径”。做好这两点，ESD 防护效果可提升80%以上。　　上海雷卯电子(Leiditech)致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD、TVS、TSS、GDT、MOV、MOSFET、Zener、电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。
2025-11-24 17:36 reading：280
上海雷卯电子：ESD静电保护元件的结构和原理
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上海雷卯电子：ESD静电保护元件的结构和原理

　　上一篇我们聊了ESD的危害和测试标准，这一篇我们聚焦 “防护主力”——ESD保护二极管(又称TVS二极管)。这个看似简单的元器件，到底是如何在瞬间将千伏级静电 “化解于无形” 的?雷卯电子的 ESD 保护二极管又有哪些独特设计?上海雷卯作为ESD行业深耕者，在防静电专用器件上积累了丰富技术沉淀，下面就为你详细拆解。　　一.从二极管基础到ESD保护专用器件　　二极管是电子电路的“老熟人”，核心特性是 “单向导电”。但ESD保护二极管和普通二极管(比如整流二极管)有本质区别 —— 它是专为 “瞬态电压抑制” 设计的 “特种部队”。 雷卯EMC小哥常说，这类专用器件的设计核心，就是要在关键时刻 “精准发力、不添干扰”。　　二极管的 “家族分类”　　P-N结二极管：由P型半导体(多空穴)和N型半导体(多电子)结合而成，正向导通、反向截止，反向电压过高会击穿。　　肖特基二极管(SBD)：金属与半导体接触形成结，导通电压低、速度快，但反向耐压较低。　　ESD 保护二极管属于 P-N 结二极管的 “升级版”，基于稳压二极管原理优化，重点强化了 “反向击穿时的快速响应” 和 “大电流承载能力”，　　这也是上海雷卯多年来重点攻关的技术方向。　　二.ESD 保护二极管的 “工作智慧”　　雷卯电子的ESD保护二极管的核心设计目标是：平时“隐身” 不干扰电路，ESD 来袭时 “瞬间出击” 分流保护。具体怎么实现?上海雷卯通过工艺优化和结构创新，让这个“攻防切换” 更精准高效。　　1. 正常工作时：像 “绝缘体” 一样安静　　当电路没有 ESD 冲击时，ESD 保护二极管(阴极接信号线，阳极接地)处于 “反向偏置” 状态 —— 两端电压低于反向击穿电压(VBR)，此时它像一个高电阻，几乎不影响信号传输。　　但有两个参数会影响信号质量，也是雷卯重点优化的方向：　　总电容(CT)：二极管截止时，P-N 结的 “耗尽区” 像一个小电容，高频信号(比如 5G、Thunderbolt)会被这个电容 “吸收”，导致信号衰减。雷卯通过特殊工艺将高频系列高分子产品的CT做到 0.1pF 以下，完美适配高速信号，这一指标也得到了雷卯 EMC 小哥在实战测试中的反复验证。　　反向漏电流(IR)：正常电压下流过的微小电流，IR 过大会增加电路功耗。雷卯产品在 VRWM(最大反向工作电压)下的 IR 通常≤0.5μA，对低功耗设备友好。　　2. ESD 冲击时：像 “安全阀” 一样快速分流　　当 ESD 脉冲来袭(比如插拔接口时)，信号线电压会瞬间飙升至数千伏。此时 ESD 保护二极管会：　　快速击穿导通：当电压超过 VBR 时，二极管进入 “雪崩击穿” 状态，电阻骤降(动态电阻 RDYN 低至几欧)，将大部分ESD电流导向地(GND)。　　钳位电压(VC)够低：导通时二极管两端的电压(VC)必须低于被保护芯片的耐压值(比如芯片耐压 20V，VC 需≤18V)。雷卯电子通过芯片结构优化，使VC 比行业平均水平低 15%-20%，防护更可靠，雷卯EMC小哥常把这一优势称为 “给芯片多一层安全余量”。　　双向防护设计：对跨地信号(比如音频线、差分信号)，上海雷卯的双向ESD保护二极管可同时吸收正负向 ESD 脉冲，无需额外设计。　　三.雷卯ESD保护二极管的三大核心优势　　上海雷卯凭借多年技术积累，让旗下 ESD 保护二极管具备三大核心优势，覆盖从低频到高频、从普通设备到高端终端的全场景需求：　　1.响应速度快：从截止到导通仅需亚纳秒级(<1ns)，比传统压敏电阻快100倍以上，能拦截 ESD 脉冲的 “第一峰值”，　　这也是雷卯电子适配 5G、Thunderbolt 等高速接口的关键。　　2.容值可控：覆盖 0.05pF(高频)到 100pF(低频)全系列，满足 USB 3.2、HDMI 2.1 等不同速率接口需求，雷卯EMC小哥会根据客户的信号速率，精准推荐对应容值的型号。　　3.致性高：批量生产的 VBR、VC 参数偏差≤±5%，避免因器件差异导致防护效果不稳定，上海雷卯的严格品控体系，确保每一颗器件都能达到设计标准。　　小结　　ESD 保护二极管的核心是 “平衡”—— 既要在正常工况下不干扰信号，又要在ESD来袭时快速高效分流。雷卯通过材料、结构、工艺的三重优化，上海雷卯始终坚持以实战需求为导向，让这个 “平衡” 更精准、更可靠。　　下一篇，雷卯EMC小哥进入实战环节：教你如何根据电路需求选对型号，以及电路板布局时的 “避坑指南”，让防护效果最大化～
2025-11-21 16:34 reading：313
上海贝岭直流充电桩解决方案
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上海贝岭直流充电桩解决方案

　　01 概述V2G示意图　　随着电动汽车的普及，市场对高效率、快充基础设施的需求日益紧迫。新一代电动车续航与电池容量不断提升，亟需配套快速直流充电方案。　　V2G(车辆到电网)技术进一步拓展了充电设施的功能边界，可将电动汽车电池电能回馈至电网，在用电高峰时提供支持。为实现这一功能，充电桩需集成双向转换器，使电动车不仅能充电，还能参与电网调节，提升电网对间歇性可再生能源的接纳能力。　　02 充电桩电路拓扑充电桩电路拓扑图　　直流充电桩分为前级AC/DC电路和后级DC/DC电路。交流/直流级(也称为 PFC 级)是电动汽车充电站中的第一级功率转换。它将来自电网的输入交流电源 (380– 415VAC) 转换为大约 800V 的稳定直流链路电压。前级拓扑主要有Vienna PFC和T 型 NPC PFC。　　直流/直流级是电动汽车充电站中的第二级功率转换。它将 800V 的传入直流链路电压(对于三相系统)转换为较低的直流电压，以便为电动汽车的电池充电。后级电路拓扑主要有LLC电路和双有源桥。　　03 上海贝岭IGBT技术特点　　贝岭IGBT7 平台采用先进的沟槽场截止(T-FS)技术制成。充电桩应用开关频率较高，BLG80T65FDK7以较低的Vce(sat)和开关损耗，能降低充电器热量损耗提高效率。该器件在25℃和175℃下的trade-off曲线表现更优，体现出其在导通损耗与开关损耗之间的良好平衡，为高功率密度充电桩设计提供了理想的半导体解决方案。　　产品特点：　　① 高开关频率　　② 产品耐压高　　③ 低饱和压降VCE (sat)，VCE (sat)呈正温度系数，易于并联使用。　　④ 开关性能优化，低栅极电荷(Qg)，低开关损耗　　⑤ 漏电小　　⑥ HV-H3TRB加严可靠性验证，保证极端运行环境下使用寿命　　⑦ 符合175℃结温的工业级考核标准　　3.1 低开关损耗　　在充电桩应用中，开关频率在20KHz—50KHz左右，其开关频率越高，开关损耗占比越高。在25℃和175℃条件下，我司BLG80T65FDK7产品Eon、Eoff和总损耗Ets均优于竞品H5系列。低开关损耗可提高充电桩系统的整体效率，并减轻散热负担，提高可靠性。　　3.2 低饱和压降Vce(sat)　　在温度25℃下，我司BLG80T65FDK7的Vce(sat)比竞品H5系列小16%左右。在温度175℃下，我司BLG80T65FDK7的Vce(sat)比竞品H5系列小14%左右。饱和压降明显优于竞品，有利于降低导通损耗。Vce正温度系数有利于单管并联使用，有利于两个IGBT的电流和温度达到一个动态平衡状态，从而避免了“电流集中”到某一个器件上导致过热损坏。　　3.3 低漏电流Ices　　常温25℃条件下，我司BLG80T65FDK7的BV曲线和竞品一致;高温175℃条件下，我司BLG80T65FDK7的漏电远小于竞品。对于充电桩这类要求持续高负荷运行的设备而言，BLG80T65FDK7较小的漏电特性可提高系统能效和稳定性。　　04 上海贝岭SiC MOS技术特点　　BLC16N120是一款N沟道增强型平面SiC MOSFET，采用第二代平面栅技术，具有低导通电阻、低电容、低栅极电荷、高开关频率和低开关损耗等优越性能。随着我国新能源汽车的发展，高转化效率、高功率密度的SiC MOSFET器件成为未来发展的必然趋势。本产品通过其创新性结构设计，可推动充电桩高效一体化高质量发展。　　产品特点：　　① 高开关频率　　② 低导通损耗，低导通电阻　　③ RDS(ON)温升系数　　④ 低开关损耗　　⑤ 低Crss，可进一步提高系统效率　　⑥ 高Cgs设计，可抑制高速开关过程中的过冲现象　　⑦ HV-H3TRB加严可靠性验证，保证极端运行环境下使用寿命　　⑧ 符合175℃结温的工业级考核标准　　4.1 低RDS(ON)温升系数　　在温度25℃下，我司BLC16N120的Rdson与竞品C，R，I，Z相同。在温度175℃下，我司BLC16N120的Rdson 为22.4mΩ，比竞品C，R，I，Z低15%—45%左右。我司BLC16N120在175℃时Rdson为常温1.45倍，温升系数低，易于高功率密度并联使用，可降低充电桩系统温升。　　4.2 低HDFM　　，是一个用于评估功率开关器件综合损耗的重要因数。该指标用于衡量器件的导通损耗和开关损耗，其数值越小，通常意味着器件在实际应用中的整体效率越高。我司BLC16N120的HDFM与竞品I相当，远低于竞品C，R，Z。　　4.3 高抗串扰能力　　对于充电桩高效率功率变换器而言，器件的抗串扰能力是系统鲁棒性与可靠性的核心指标。栅源电容与栅漏电容的比值(Cgs/Cgd)是衡量器件抗串扰能力的一个重要参数。该比值越大，通常表征器件的抗串扰能力越强。在全桥的拓扑结构中，器件具有高抗串扰能力，抵御桥臂直通风险的能力较强。　　05 直流充电桩贝岭选型方案　　为全面支持不同功率等级的充电桩设计，上海贝岭提供了覆盖650V与1200V电压等级的系列化半导体解决方案。该方案包含功率器件与关键IC芯片，为充电桩系统提供从功率转换到控制管理的完整技术支撑。功率器件包括高效IGBT、SiC MOS以及用于辅助电源的Planar MOS，满足主功率单元对高效率、高可靠性的要求。
2025-11-19 17:53 reading：308
上海雷卯：ESD防护入门：静电放电的本质与测试体系
行业新闻

上海雷卯：ESD防护入门：静电放电的本质与测试体系

　　冬天脱毛衣时听到 “噼啪” 声，摸门把手时被 “电” 了一下?这就是生活中最常见的静电放电(ESD)现象。看似微小的静电，对电子设备来说可能是 “致命杀手”—— 手机屏幕失灵、传感器误触发、芯片烧毁，很多时候都和ESD脱不了干系。　　今天我们就从基础讲起，了解ESD的本质、危害，以及如何通过测试验证防护效果。上海雷卯作为 ESD 防护领域的资深厂商，也会在文中分享行业实用经验。　　一、静电放电：看不见的 “电子杀手”　　静电是物体表面积累的静止电荷，当带异种电荷的物体靠近或接触时，电荷会瞬间转移形成放电，这就是 ESD。别小看这个过程：人体带电接触电子设备时，ESD 电压可达数千伏，而如今的芯片绝缘层厚度仅几纳米，根本扛不住这样的冲击。　　静电怎么来的?　　核心原因是 “电荷转移”。两种不同材料摩擦、接触或分离时(比如插拔 USB 线、塑料外壳摩擦)，电子会从一种材料跑到另一种材料上。材料在 “摩擦电序列” 中的位置越远，转移的电荷就越多，产生的静电也就越强。　　为什么现在必须重视 ESD 防护?　　半导体器件的工艺微缩是一把 “双刃剑”，一方面遵循晶体管缩放定律：，芯片工艺越来越先进(比如 7nm、5nm)，将晶体管尺寸缩小至 1/k，其面积、功耗、延迟分别降至 1/k²、1/k、1/k，显著提升器件性能;另一方面，工艺微缩会导致绝缘膜厚度按比例缩减(如硅半导体常用的 SiO₂绝缘膜)，由于 SiO₂的介电强度为 8-10MV/cm(恒定值)，绝缘膜厚度减小会直接导致其耐压能力同步下降，使半导体器件对 ESD 的敏感度大幅提升。绝缘层越来越薄，抗 ESD 能力大幅下降。　　此外，电子设备的小型化设计使得内部器件布局更密集，ESD 产生的电场、磁场干扰更易扩散;智能手机、物联网设备等需要频繁插拔接口(USB、Type-C 等)，ESD 冲击的概率比 10 年前增加了数倍。多重因素叠加，使得 ESD 防护成为电子设备设计中不可或缺的关键环节，而增加ESD 保护二极管则是目前最主流、最有效的防护方案之一。　　二、ESD 测试：防护效果的 “试金石”　　要验证 ESD 防护是否可靠，必须通过标准化测试。目前行业通用的测试体系分为 “器件级” 和 “系统级” 两类，雷卯所有 ESD 保护二极管都经过严格测试，雷卯 EMC 小哥全程参与测试流程把控，确保产品满足各类应用需求。　　1. 器件级测试：模拟生产场景　　人体模型(HBM)：模拟工人带电接触芯片时的放电(比如拿取未封装的 IC)，测试标准是 JEDEC JESD22-A114，合格门槛通常是 2500V-8000V。　　机器模型(MM)：模拟自动化设备(比如贴片机)带电接触器件的放电，测试标准 JEDEC JESD22-A115，要求比 HBM 更严格。　　带电设备模型(CDM)：模拟芯片自身带电后接触接地电路板的放电(比如从料盘取芯片时)，测试标准 JEDEC JESD22-C101，考验器件瞬间抗冲击能力。　　2. 系统级测试：模拟用户场景　　IEC 61000-4-2：最常用的系统级 ESD 测试，分 “接触放电”(直接碰金属接口)和 “空气放电”(靠近带涂层的外壳)，一般消费电子要求接触放电 ±8kV、空气放电 ±15kV。雷卯ESD/TVS二极管全系通过该标准测试，部分型号可达接触放电 ±30kV。　　IEC 61000-4-5：模拟雷击或电源开关产生的浪涌(大电流脉冲)，测试波形为 8/20μs(8μs 上升，20μs 下降到一半)，上海雷卯高功率系列可承受峰值电流达 100A 以上，防护实力拉满。　　小结　　ESD虽小，破坏力却很大，尤其是在电子设备小型化、高频化的今天，防护已成为刚需。了上海雷卯作为ESD防护领域的专业厂商，雷卯EMC小哥凭借丰富的行业经验，常为客户答疑解惑，了解ESD的产生机理和测试标准，是做好防护的第一步。　　下一篇，雷卯EMC小哥将聚焦 “ESD 防护的核心武器”——ESD保护二极管，拆解ESD的内部结构和工作原理，看看它是如何 “以柔克刚” 化解静电冲击的～　　关注雷卯电子公众号，获取更多 ESD 防护干货，还有雷卯 EMC 小哥分享的实战案例。　　上海雷卯电子(Leiditech)致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD、TVS、TSS、GDT、MOV、MOSFET、Zener、电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。
2025-11-17 15:21 reading：222
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