AO3422
  • 量产中
产品描述:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 1.7A; 800mW; SOT23
标准包装:1
数据手册: --
  • 规格参数
  • 产品特性
  • 技术文档
  • 产品评论
安装类型 表面贴装
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 3.3nC @ 4.5V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.1A(Ta)
漏源极电压(Vdss) 55V
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
FET 功能 逻辑电平栅极,2.5V 驱动
供应商器件封装 SOT-23-3
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 160 毫欧 @ 2.1A,4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 300pF @ 25V
功率 - 最大值 1.25W
登录之后就可发表评论

请输入下方图片中的验证码:

验证码