电子元器件基础知识大全电子元器件采购基本知识-Ameya360电子元器件采购网

Littelfuse推出IX3407B隔离栅极<span style='color:red'>驱动器</span>简化大功率设计

行业新闻

Littelfuse推出IX3407B隔离栅极驱动器简化大功率设计

　　Littelfuse宣布推出IX3407B单通道电隔离栅极驱动器。该产品专为高压电源应用设计，可提供高速开关性能并简化系统设计。　　IX3407B栅极驱动器通过独立输出引脚提供高达7A的峰值拉电流和灌电流输出，并集成Littelfuse专有2.5kV电容隔离技术，确保信号完整性与安全性。该器件具备快速传播延迟、高共模瞬态抗扰度(CMTI)及增强的热稳定性，可在宽范围开关频率和温度条件下实现高效可靠的运行。　　“凭借IX3407B，我们的客户能够设计出更安全、更紧凑、更高效的电源系统，”Littelfuse集成电路事业部产品经理June Zhang表示。“在太阳能逆变器、电机驱动器、工业自动化及高效UPS系统等快速增长的市场中，IX3407B将助力企业加速产品上市进程，降低整体系统成本。”　　IX3407B通过在控制级与驱动级之间提供电隔离，解决了低压逻辑与高压功率器件接口的难题，无需采用笨重的光耦合器或基于变压器的隔离方案。这种集成设计不仅节省电路板空间、减少元件数量、降低系统复杂度，同时提供更高的设计灵活性和长期可靠性。　　主要功能与特色：　　· 7A典型峰值拉/灌电流，配备独立输出引脚实现精准栅极控制;　　· 2.5kVrms电容隔离确保可靠电气隔离与高速信号传输;　　· 兼容TTL/CMOS逻辑(3.3V阈值)，输入电压容差高达VCC;　　· 主动关断(ASD)与欠压锁定(UVLO)功能防范故障状态;　　· 高达150kV/µs的CMTI等级，支持高噪声工业环境;· 宽输出供电范围(13V-35V)兼容Si/SiC MOSFET及IGBT器件。　　目标应用领域：　　IX3407B适用于广泛的工业和可再生能源应用，包括：　　· 交流与无刷直流电机驱动系统;　　· 太阳能逆变器与储能系统;· 高压直流/直流转换器;　　· LLC与图腾柱式功率因数校正功率级;　　· 感应加热系统、焊接设备及不间断电源(UPS);　　· 楼宇与工厂自动化系统。　　通过替代传统的光耦合器解决方案，IX3407B可提供卓越性能、更小占位面积和更低系统成本，成为工程师设计新一代高效电源系统的理想选择。

关键词：

Littelfuse

发布时间：2025-10-09 10:17 阅读量：216 继续阅读>>

帝奥微：DIA58243 H桥电机<span style='color:red'>驱动器</span>以超小封装驭动40V/12A，重塑汽车电机智能未来！

行业新闻

帝奥微：DIA58243 H桥电机驱动器以超小封装驭动40V/12A，重塑汽车电机智能未来！

　　帝奥微DIA58243是一款专为汽车应用设计的 40V、12A H桥驱动器，集成了电流检测、诊断和保护功能，适用于有刷直流电机、螺线管及继电器等负载驱动。该芯片采用高功率工艺技术，提供出色的功率处理能力和热性能，同时支持 PWM、PH/EN 和独立半桥模式，可灵活适配不同应用场景。　　主要应用　　车身控制模块(BCM/ZCU)：如隐藏门把手、折叠后视镜、门锁等。　　动力系统：发动机阀门控制、电子换挡器。　　热管理器、空气悬架等　　随着汽车电子向高集成度、智能化、功能安全方向发展，DIA58243凭借其高功率密度、低 EMI和丰富诊断功能，是未来智能车身控制与电机驱动的重要解决方案。　　产品特性　　• 工作电压范围：4.5V至35V(绝对最大值40V)　　• 高低侧导通电阻总和(RON_LS + RON_HS)为84mΩ;最大输出电流：12A　　• 支持高达25kHz的PWM频率运行，带自动死区时间控制　　• 可配置压摆率和扩频时钟，降低电磁干扰(EMI)　　• 集成电流检测(无需分流电阻)，IPROPI引脚提供比例负载电流输出　　• 可配置的电流调节：固定关断时间　　• 保护与诊断功能(支持可配置故障响应：锁存或重试)　　关断和导通状态下的负载诊断，检测开路和短路　　电源电压 (VM) 监控　　过流保护　　过温保护　　nFAULT 引脚故障指示　　• 兼容3.3V/5V逻辑输入　　• 低休眠电流：25°C时典型值1μA　　• 支持SPI和HW两个版本　　• 可配置的控制模式　　单全桥(支持PWM或PH/EN模式)　　双半桥(独立模式)　　• 封装：QFN-14 , 3.0mm*4.5mm　　产品优势　　超高集成度，节省空间　　集成MOSFET、电荷泵和电流检测及调节，减少外部元件数量，降低BOM成本　　3mm×4.5mm 超小QFN封装，适用于空间受限的汽车电子设计　　完全独立的半桥控制，灵活应对复杂驱动需求　　DIA58243采用全独立半桥架构，允许用户对两个半桥进行完全独立的控制：　　独立状态配置：　　每个半桥均可单独设置为高侧开启(H)、低侧开启(L)或高阻态(HiZ)，互不干扰。　　例如：半桥A可配置为 PWM驱动(H/L切换)，同时半桥B保持高阻态(HiZ)或静态输出(H/L)。　　灵活驱动模式：　　支持双半桥独立工作，可同时驱动两个不同的负载(如两个有刷电机或螺线管)。　　也可组合为单全桥模式，驱动单个大电流负载(如高功率电机)。　　容错能力增强：　　若一个半桥因故障关闭(HiZ)，另一半桥仍可继续运行，提升系统冗余性。　　出色的热性能，保障高可靠性运行　　VM=13.5V,Iout=4A,持续工作30分钟(SR=000)，其他同类产品 vs DIA58243　　高精度的电流采样　　可配置的电流调节　　支持动态电流限制设置，通过SPI或硬件引脚灵活调整输出电流阈值，防止电机堵转或过载，降低系统功耗和发热。　　精准的电流控制能力，优化电机效率并延长使用寿命。　　增强保护与诊断功能　　离线&在线负载诊断：可检测开路、短路等故障，提升系统可靠性。　　过流、过温、电源过压与欠压保护，支持锁存或自动重试模式，适应不同安全需求。　　nFAULT引脚实时反馈故障状态，SPI接口可精准读取故障类型，实现高效诊断与定位。　　结语　　DIA58243凭借高集成度、强健的保护机制、可配置电流调节、全独立半桥控制、出色的热性能和灵活的接口选项，在汽车电机驱动领域展现出显著优势。无论是车身控制、动力系统还是热管理系统，该芯片都能提供高效、可靠且紧凑的解决方案，助力汽车电子向更高性能、更低成本迈进。　　选择DIA58243，让您的设计更智能、更安全、更高效!

关键词：

帝奥微

发布时间：2025-09-15 13:06 阅读量：338 继续阅读>>

顾邦半导体推出“小身材，大能量”的GBI7A56半桥<span style='color:red'>驱动器</span>

行业新闻

顾邦半导体推出“小身材，大能量”的GBI7A56半桥驱动器

　　顾邦半导体GBI7A56，120V自举升压/4A峰值电流半桥驱动器，输入VDD电压范围8V-20V，两个独立输入驱动采用高侧/低侧配置的 N沟道MOSFET。　　广泛应用于光伏微逆、通信电源、高压降压转换器、半桥和全桥转换器等场景。　　产品概述　　GBI7A56是一款高频半桥 N 通道功率 MOSFET 驱动器。　　其 VDD输入电压范围8V-20V，峰值输出电流高至 4A 拉电流和 4A 灌电流。　　低端和高端驱动通道分别独立控制，且匹配时间延迟3ns，上升传输延迟28ns, 下降传输延迟24ns。　　驱动输入端电压支持-10V至20V范围，输入逻辑兼容TTL和CMOS标准。　　集成自举二极管减少了外部元器件的使用，导通电阻仅为0.5Ω，支持高达120V自举电压。　　GBI7A56提供VDD输入电压UVLO保护功能，支持运行结温-40℃至150℃。　　产品特性　　· 8V-20V宽范围供电电压输入　　· 4A峰值拉电流和4A峰值灌电流　　· 自举电压最大120V　　· 提供-10V负输入电压能力　　· 快速上升和下降传播延迟: 28ns和24ns　　· 快速上升和下降时间: 7ns和5ns　　· 延迟匹配3ns　　· 支持TTL和CMOS输入逻辑门限　　· 静态电流: 240uA　　· 输入Floating时，输出强制为低　　· eSOP-8 和DFN-8 (4mm x 4mm)封装　　系统应用图　　产品性能　　GBI7A56半桥驱动稳态工作波形图如下所示，其中VDD为10V，DC_Bus 100V，LI与HI输入频率为100kHz.　　GBI7A56具有良好的热性能，在图4应用中的热测试结果如下所示，其PCB板参数为2layer，顶层底层覆铜为1oz, PCB大小为 50mm x 70mm　　

关键词：

顾邦半导体

发布时间：2025-09-02 11:02 阅读量：378 继续阅读>>

川土微电子CA-IS3211C光耦兼容单通道隔离式栅极<span style='color:red'>驱动器</span>

行业新闻

川土微电子CA-IS3211C光耦兼容单通道隔离式栅极驱动器

　　面对工业与新能源领域对高性价比功率驱动方案的迫切需求，川土微电子基于已获市场验证的CA-IS3211系列产品，推出CA-IS3211C全新一代光耦兼容单通道隔离式栅极驱动器。CA-IS3211C系列产品通过设计优化与工艺升级，在保障核心性能的前提下降低成本，为光伏/储能系统、工业电机驱动等场景提供更具成本竞争力的解决方案。　　01产品概述　　CA-IS3211C是一款光耦兼容型5.7kVRMS隔离栅极驱动器，专为驱动MOSFET/IGBT/SiC功率器件设计。其通过模拟二极管输入级替代传统LED，显著提升长期可靠性;支持4A拉电流/5A灌电流峰值输出及30V宽压驱动，兼容双极性电源方案。产品可无缝替换现有光耦驱动器，为工业电源、太阳能逆变器、充电桩、储能变流器等场景提供更高性能、更长寿命的隔离驱动解决方案。　　02特性　　光耦输入的 5.7 kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器　　输出峰值电流：4A 拉 / 5A 灌　　最大 30V 输出驱动电源电压　　8V 或者 12V VCC 欠压锁定阈值　　轨到轨输出　　80ns(典型值)传输延迟　　25ns(最大)器件对器件延迟匹配　　35ns(最大)脉冲宽度失真　　150kV/μs(最小)共模瞬态抗扰度(CMTI)　　隔离栅寿命大于 40 年　　输入级最高反向耐压 7V，并支持互锁输入　　宽体 SOIC6-WB、SOIC8-WB 和 DUB8 封装　　工作结温范围 TJ：-40°C 到 150°C　　03 典型应用场景　　工业电机控制驱动器　　工业不间断电源(UPS)　　太阳能逆变器　　充电桩　　储能变流器

关键词：

川土微

发布时间：2025-07-30 13:22 阅读量：655 继续阅读>>

意法半导体全新一代主动保险丝熔断<span style='color:red'>驱动器</span>——L9965P

行业新闻

意法半导体全新一代主动保险丝熔断驱动器——L9965P

　　L9965P产品背景　　随着汽车电子电气架构向智能化和安全化方向的不断发展，传统熔断器的局限性日益凸显：无法通过软件实现精准控制，也无法根据故障类型精确判断断路时机。此外，随着主机厂平台化设计逐渐成为主流，传统熔断器难以根据不同车型预设过流阈值，无法满足平台化应用的需求。因此，为了解决上述客户使用中的痛点，熔断器厂商开发了智能可控的Pyro-Fuse(主动式熔断器)，现已被广泛应用。　　与此同时，新能源汽车在续航里程和补能效率上的激烈竞争，推动了更高容量、更高电压电池包的应用，这对动力电池管理系统的安全性提出了更高要求。然而，传统熔断器以及基于高低边驱动的主动保险丝系统已难以满足日益严格的功能安全要求。　　在此背景下，Pyro-Fuse驱动器L9965P应运而生，凭借其卓越性能，已广泛应用于国内主机厂及Tier1的相关项目中，为车辆安全提供了更加可靠的保障。　　L9965P的主要应用场景举例　　BMS(电池管理系统)　　▲L9965P在BMS系统中的应用　　电池包过流场景：　　在电池系统发生过流或短路故障时，Pyro-Fuse能够根据BMS的检测信号通过L9965P快速点爆，避免高电流对电池包和其他电气系统造成不可逆损伤。　　车辆碰撞场景：　　当车辆发生碰撞时，为有效预防可能引发的起火爆燃事故对人体造成的二次伤害，并保护电池包免受不可逆的损害，主动保险丝能够根据有效碰撞信号快速切断高压回路。对比传统被动保险丝，Pyro-Fuse解决了被动保险丝在碰撞下无法零电流切断的痛点。　　电驱动系统　　▲L9965P电驱动系统中的应用　　在新能源汽车中，主驱系统(包括电池、电机和电控系统)是整车动力输出的核心部分，其安全性和可靠性直接关系到车辆的性能和用户的安全。随着新能源汽车向高电压、大功率方向发展，主驱系统面临更高的安全挑战。Pyro-Fuse作为一种高效的电路保护装置，已逐渐成为主驱系统的重要一环，在故障工况下可以切断三相电机中的两相，防止次生灾害发生。　　以下是Pyro-Fuse在新能源汽车主驱系统中的应用举例：在四驱车型中，带有Pyro-Fuse的系统可以在某一电机(前或后驱)系统发生故障时进行断开操作，并继续保持平稳运行;在两驱车型中，带有Pyro-Fuse的系统可以在碰撞发生或驱动系统异常时，切断主驱回路，防止非预期二次伤害——如碰撞后，车轮惯性会带动电机旋转，产生不利的反电动势高压。　　面对以上工况，L9965P可以在主驱系统异常时继续自主工作，保证电机驱动回路被切断，避免造成进一步损害，提高主驱系统的安全冗余性能。　　L9965P产品性能概览　　❖ AEC-Q100车规级产品　　❖ 深度睡眠模式(极低功耗<10uA)　　❖ 支持三种唤醒模式　　❖ 内部集成Boost升压模块用于外部储能电容充电，升压值可配　　❖ 硬件信号FENL、FENH兼容PWM模式(频率16kHz和125kHz可配)及高/低电平模式;软件信号支持SPI(24bit)独立点爆　　❖ 点爆路径支持请求和自动两种诊断方式　　❖ 最低工作电压支持6V　　❖ 可选的点爆配置——电流及持续时间，与LV-16和USCAR-28认证的高温保险丝相兼容　　❖ 内置NVM模块存储，支持诊断/点爆等信息存储，可实现无MCU运行　　❖ 可配置的连续点爆功能(Auto-retry)　　❖ 兼容配套L9965C等智能接线盒(BJB)高压采集芯片　　❖ 符合ISO26262开发流程，功能安全等级支持ASIL-D　　L9965P主要特点优势　　▲L9965P系统应用框图举例　　❖ 多种部署电流配置组合，匹配不同规格Pyro-Fuse的点爆要求　　❖ 内部集成Boost模块，有助减小储能电容容量需求，从而优化系统成本　　❖ 独立的软硬件点爆策略，满足系统的不同点爆需求。硬件点爆模式下电平或PWM模式可选，软件SPI点爆　　❖ 可选的多次自动点爆重试功能(Auto-retry)，提高点爆的安全冗余　　❖ 支持手动/自动诊断方式，确保点爆功能的正确实施，其中自动诊断可在无MCU时自主进行，实现不同故障的检测和判断　　❖ TQFP32和QFN32两种封装，符合优化面积的小型化设计　　意法半导体电池管理系统产品路线　　意法半导体拥有丰富的BMS系列产品，其功能包含有如：模拟前端采样芯片，高压采集智能接线盒芯片、通讯桥接芯片、以及主动保险丝驱动熔断器芯片，它们全面覆盖汽车级、工业级、高压应用及低压应用。汽车级L9963E、L9963T及工业级L99BM114、L99BM1T、L9961目前已在市场中大批量产，目前最新一代的车规级L9965系列产品也已全部量产面市。在未来规划中，意法半导体将进一步加强BMS领域的投入，致力于更加多样化的产品路线拓展，如多串数模拟前端采样芯片并集成电化学阻抗图谱检测功能、48V锂电应用等。

关键词：

意法半导体

发布时间：2025-06-16 10:05 阅读量：961 继续阅读>>

士兰微：车规级SQ9702/3T H桥<span style='color:red'>驱动器</span>：智能栅极驱动，助力高效电机系统

行业新闻

士兰微：车规级SQ9702/3T H桥驱动器：智能栅极驱动，助力高效电机系统

　　SQ9702/3T是一款单通道 H 桥栅极驱动器，驱动四个外部 NMOS，用于驱动双向刷式直流电机。　　SQ9702/3T具备三种类型控制接口，PH/EN、独立半桥以及PWM。其内部电流采样放大器提供可调的电流控制。其集成的电荷泵可提供 100%占空比支持，而且可用于驱动外部防反电路。　　独立半桥模式支持半桥共享，能够顺序控制多个直流电机，以达到最大的成本效益。SQ9702/3T具备通过固定关断时间的PWM电流斩波来调节绕组电流的功能。　　SQ9702/3T采用了智能栅极驱动技术，无需外部栅极驱动器件(包括电阻和稳压管)，同时可为外部 MOS 提供保护。SQ9703T 的死区时间可进行配置，SQ9702T具有固定的死区时间，其用于避免出现共通击穿问题。SQ9702/3T可通过配置压摆率为降低 EMI 带来便利，还可防止发生任何栅极短路问题。此外，SQ9702/3T提供主动和被动下拉功能，可防止任何 dv/dt引起的栅极误导通。　　特点　　AEC-Q100，Grade 1：-40°C ~125°C　　单通道 H 桥栅极驱动，支持 100%PWM 占空比　　工作电压范围：5.5V~45V　　三种控制接口选择：PH/EN、独立半桥以及 PWM　　SQ9703T具有用于配置的串行接口(SPI)　　智能栅极驱动，压摆率可调　　支持 1.8V、3.3V 和 5V 的逻辑输入　　集成 1 路电流采样放大器，SQ9703T的放大器增益可调　　集成 PWM 电流调节功能　　低功耗睡眠模式　　封装：QFN-32-5x5x0.85-0.5　　内部保护功能　　▫ 欠压锁定：电源欠压(UVLO)、电荷泵欠压(CPUV)▫ 过流保护(OCP)▫ 栅极驱动器故障(GDF)▫ 热关断(TSD)▫ 故障输出指示(nFAULT)▫ SQ9703T具有过温警告(OTW)▫ SQ9703T具有看门狗故障输出(nWDFLT)　　SQ9703T原理图　　整机DEMO

关键词：

士兰微

发布时间：2025-06-10 09:12 阅读量：804 继续阅读>>

Littelfuse：IXD0579M高压侧和低压侧栅极<span style='color:red'>驱动器</span>提供紧凑型即插即用解决方案

行业新闻

Littelfuse：IXD0579M高压侧和低压侧栅极驱动器提供紧凑型即插即用解决方案

　　Littelfuse宣布推出IXD0579M高速栅极驱动器集成电路。IXD0579M简化了电路板设计，节省了空间，并为驱动半桥配置中的N沟道MOSFET或IGBT提供了可靠的多源替代方案。　　IXD0579M设计用于在6.5V至18V的宽电源范围内工作，在单个紧凑的3×3mm² TDFN-10封装中集成了一个自举二极管和一个串联限流电阻器，这些元件通常需要分立安装。这种创新的集成设计减少了物料清单上的元件数量和成本，同时也简化了PCB布局。　　主要产品特性和优势　　高驱动能力：1.5A拉电流和2.5A灌电流输出驱动电流;　　宽供电电压范围：在6.5V至18V范围内工作，具有UVLO保护;　　集成自举电路：片内自举二极管和电阻简化设计;　　逻辑电平兼容性：直接与TTL和CMOS电平(低至3.3V)对接;　　交叉传导保护：防止高压侧和低压侧同时导通;　　超低待机电流：待机模式下功耗小于1μA，实现高效节能;　　热鲁棒性：-40℃至+125℃工作温度范围。　　“Littelfuse开发的IXD0579M可直接替代常用的行业标准栅极驱动器集成电路。”Littelfuse集成电路部产品经理June Zhang表示，“这为客户提供了更大的灵活性来保障供应，同时还通过集成方案简化了他们的电路设计。”　　IXD0579M是Littelfuse首款同时集成自举二极管和限流电阻的栅极驱动器，进一步丰富了公司日益扩大的功率控制解决方案产品阵容。作为Littelfuse发布的第十一款高压侧/低压侧驱动装置，该产品巩固了公司在服务需要高性能和供应链连续性的“多来源”市场的领先地位。　　目标市场和应用　　IXD0579M专为高频开关而设计，非常适合用于：　　无刷直流(BLDC)电机驱动;　　电池供电的手持工具;　　DC-DC转换器和电源;　　一般工业和电气设备;　　紧凑的外形和稳健的性能使其非常适合空间受限的设计和高效功率级应用。

关键词：

Littelfuse

发布时间：2025-06-03 13:11 阅读量：863 继续阅读>>

意法半导体车规栅极<span style='color:red'>驱动器</span>提升电动汽车电驱系统的可扩展性和性能

行业新闻

意法半导体车规栅极驱动器提升电动汽车电驱系统的可扩展性和性能

　　意法半导体的SiC MOSFET和IGBT电隔离车规栅极驱动器STGAP4S可以灵活地控制不同额定功率的逆变器，集成可设置的安全保护和丰富的诊断功能，确保电驱系统通过ISO 26262 ASIL D认证。STGAP4S驱动器集成模数转换器(ADC)和反激式电源控制器，功能丰富，取得了功能安全标准认证，适用于设计可扩展的电动汽车电驱系统。　　STGAP4S的设计灵活性归功于输出电路，该电路允许将高压功率级连接到外部MOSFET的推挽式缓冲电路，以调整栅极电流。这种架构让工程师能够利用STGAP4S及其丰富的功能来控制不同额定功率的逆变器，包括多个功率开关管并联的高功率设计。该驱动器仅用非常小的MOSFET，就可以产生高达几十安的栅极驱动电流，并能够处理高达1200V的电压。　　在驱动器的重要功能中，先进的诊断功能有助于对安全要求严苛的应用达到系统安全完整性标准ISO 26262 D级(ASIL-D)认证。自检功能可以验证连接的完整性、栅极驱动电压和去饱和以及过流检测等内部电路是否正常工作。主控制器通过芯片的SPI端口读取诊断状态寄存器内的数据。此外，两个硬件诊断引脚也可以提供故障状态信号。　　STGAP4S具有主动米勒箝位、欠压和过压锁定(UVLO、OVLO)以及去饱和、过电流和过热检测等保护功能，实现稳健可靠的设计，满足严格的可靠性要求。该产品具有很高的设计灵活性，准许设计人员通过SPI端口配置一些参数，包括保护阈值、死区时间、去毛刺滤波。　　STAGP4S还集成了一个带全面保护功能的反激电源控制器，为高压侧电路供电以生成正负栅极驱动电压，提高SiC MOSFET的开关速度和能效。高压侧和低压侧电路之间有6.4kV的电隔离能力。

关键词：

意法半导体

发布时间：2025-05-29 15:00 阅读量：535 继续阅读>>

ROHM首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极<span style='color:red'>驱动器</span>IC开始量产

行业新闻

ROHM首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动器IC开始量产

　　5月27日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通过与本产品组合使用，可使GaN器件在高频、高速开关过程中实现更稳定的驱动，有助于电机和服务器电源等大电流应用进一步缩减体积并提高效率。　　新产品是ROHM首款面向高耐压GaN HEMT的隔离型栅极驱动器IC。在电压反复急剧升降的开关工作中，使用本产品可将器件与控制电路隔离，从而确保信号的安全传输。　　新产品通过采用ROHM自主开发的片上隔离技术，有效降低寄生电容，实现高达2MHz的高频驱动。通过充分发挥GaN器件的高速开关特性，不仅有助于应用产品更加节能和实现更高性能，还可通过助力外围元器件的小型化来削减安装面积。　　另外，隔离型栅极驱动器IC的抗扰度指标——共模瞬态抗扰度(CMTI)*¹达到150V/ns(纳秒)，是以往产品的1.5倍，可有效防止GaN HEMT开关时令人困扰的高转换速率引发的误动作，从而有助于系统实现稳定的控制。最小脉冲宽度较以往产品缩减33%，导通时间缩短至仅65ns。因此，虽然频率更高却仍可确保最小占空比，从而可将损耗控制在更低程度。　　GaN器件的栅极驱动电压范围为4.5V～6.0V，绝缘耐压为2500Vrms，新产品可充分激发出各种高耐压 GaN器件(包括ROHM EcoGaN™系列产品阵容中新增的650V耐压GaN HEMT“GNP2070TD-Z”)的性能潜力。输出端的消耗电流仅0.5mA(最大值)，达到业界超低功耗水平，另外还可有效降低待机功耗。　　新产品已于2025年3月开始量产(样品价格：600日元/个，不含税)。另外，新产品也已开始网售，通过电商平台均可购买。　　EcoGaN™是ROHM Co.,Ltd.的商标或注册商标。　　<开发背景>　　在全球能源消耗逐年攀升的背景下，节能对策已成为世界各国共同面临的课题。尤其值得注意的是，据调查“电机”和“电源”消耗的电量约占全球总用电量的97%。改善“电机”和“电源”效率的关键在于采用碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等新材料制造的、负责功率控制和转换的新一代功率器件。　　ROHM充分发挥其在硅半导体和SiC隔离型栅极驱动器IC开发过程中积累的技术优势，成功开发出第一波产品——专为GaN器件驱动而优化的隔离型栅极驱动器IC。未来，ROHM将配套提供GaN器件驱动用的栅极驱动器IC与GaN器件，为应用产品的设计提供更多便利。　　<应用示例>　　◇ 工业设备：光伏逆变器、ESS(储能系统)、通信基站、服务器、工业电机等的电源　　◇ 消费电子：白色家电、AC适配器(USB充电器)、电脑、电视、冰箱、空调　　<术语解说>　　*1) 共模瞬态抗扰度(CMTI)　　隔离型栅极驱动器的主要参数之一，指产品对短时间内发生的电压急剧变化的耐受能力。特别是驱动GaN HEMT等转换速率较高的器件时，容易产生急剧的电压变化，通过采用CMTI性能优异的栅极驱动器，可有效防止器件损坏，并降低电路的短路风险。

关键词：

ROHM

发布时间：2025-05-28 09:04 阅读量：584 继续阅读>>

华润微集成电路“降压型LED恒流<span style='color:red'>驱动器</span>QPT4115”荣获“2025年度汽车电子·金芯奖”创新应用奖

行业新闻

华润微集成电路“降压型LED恒流驱动器QPT4115”荣获“2025年度汽车电子·金芯奖”创新应用奖

　　2025年5月14-15日，由中国集成电路设计创新联盟、中国汽车芯片产业创新战略联盟、上海市汽车工程学会联合主办的第十二届汽车电子创新大会暨汽车芯片产业生态发展论坛(AEIF 2025)在上海召开。　　大会期间，华润微集成电路(无锡)有限公司(以下简称ICBG)研发的"降压型LED恒流驱动器QPT4115"荣膺“2025年度汽车电子·金芯奖”创新应用奖。该奖项经《国产车规芯片可靠性分级目录》编委会专家评选，是汽车电子领域具有标杆意义的荣誉。　　2025年5月14-15日，由中国集成电路设计创新联盟、中国汽车芯片产业创新战略联盟、上海市汽车工程学会联合主办的第十二届汽车电子创新大会暨汽车芯片产业生态发展论坛(AEIF 2025)在上海召开。　　大会期间，华润微集成电路(无锡)有限公司(以下简称ICBG)研发的"降压型LED恒流驱动器QPT4115"荣膺“2025年度汽车电子·金芯奖”创新应用奖。该奖项经《国产车规芯片可靠性分级目录》编委会专家评选，是汽车电子领域具有标杆意义的荣誉。　　ICBG依托深厚的技术积累和对市场需求的精准把握，打造了自主创新的车规级芯片技术矩阵，为智能汽车提供「感知-决策-执行」全链路解决方案，并已成为多家头部新能源车企的战略供应商。未来，ICBG将秉持创新引领发展的理念，专注于研发具有全球竞争力的车规级芯片，为汽车电子领域提供高性能、高可靠性的核心部件产品。

关键词：

华润微

发布时间：2025-05-19 09:31 阅读量：716 继续阅读>>

型号	品牌	询价
MC33074DR2G	onsemi
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
BP3621	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics

PART	数量*	目标价格
	数量最小起订量: 1	目标价格 $ 如不确定，可不填
备注

联系电话 *	姓名
公司
邮箱地址