<span style='color:red'>硅二极管</span>和锗二极管的区别是什么
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硅二极管和锗二极管的区别是什么

　　二极管是一种重要的半导体器件，广泛应用于电力、通信、计算机等各个领域。硅二极管和锗二极管作为最早被发明和广泛应用的两种二极管类型，它们在材料特性、工作性能、温度稳定性等方面存在显著差异。本文将探讨硅二极管和锗二极管之间的区别。　　1. 硅二极管与锗二极管的材料特性　　1.1 硅二极管：　　硅(Silicon) 是一种常见的半导体材料，具有较高的热稳定性和机械强度，适用于高温环境。硅二极管的导电性较好，具有较高的击穿电压和较短的载流子寿命。　　1.2 锗二极管：　　锗(Germanium) 是另一种常见的半导体材料，比硅具有较低的禁带宽度，因此其导电性也较好。然而，锗材料相对脆弱，导致其应用范围受到一定限制。　　2. 工作特性比较　　2.1 导电性：　　硅二极管：由于硅的禁带宽度较大，硅二极管的导电性较差，需要较高的电压才能使其导通。　　锗二极管：锗的禁带宽度较小，因此锗二极管具有较好的导电性，只需较低电压即可导通。　　2.2 温度稳定性：　　硅二极管：硅材料具有较好的热稳定性，在高温环境下仍能保持较好的性能。　　锗二极管：锗材料对温度变化较为敏感，温度升高会影响其性能表现。　　3. 应用场景对比　　3.1 硅二极管：　　由于硅二极管具有较高的击穿电压和热稳定性，常用于功率放大器、整流器等高功率应用场合。　　3.2 锗二极管：　　锗二极管由于其导电性能优良，常用于射频放大器、检波器等低功率高频电路中。
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发布时间：2025-06-06 11:29 阅读量：147 继续阅读>>
森国科推出第五代Thinned MPS® 碳化<span style='color:red'>硅二极管</span>KS10065(650V/10A)
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森国科推出第五代Thinned MPS® 碳化硅二极管KS10065(650V/10A)

　　深圳市森国科科技股份有限公司发布了第五代Thinned MPS® 碳化硅二极管KS10065(650V/10A), 该系列产品提供多达八种封装，充分满足客户在OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个应用场景的需求。　　森国科KS10065系列产品拥有超低的VF值，可降低正向导通损耗;少子器件零反向恢复，在反向恢复过程中极大的减少了反向恢复损耗，同时又减少了EMI干扰，可大大提升整机效率，整体损耗的减少也带来更小的温升;卓越的IFSM值，在抗雷击/浪涌等产品可靠性上有极其出色的表现;灵活多样的封装形式，助力客户在不同场景中的高效应用。　　KS10065(650V/10A) 碳化硅二极管, 主要应用于5种PFC电路和IGBT续流二极管，以下是典型应用电路：　　无桥PFC: D1,D2，使用SiC二极管和SiC MOS替代了传统的整流二极管，可明显提高效率。　　单向PFC: D5，电路简单，成本低，初级无电解电容。　　交错并联PFC: D5, D6，可以减小输入电流纹波和输出电容纹波电流的有效值，并提升电路的功率等级。　　维也纳(VIENNA)PFC ：具有谐波含量低、功率因数高、动态性能良好的特性。　　IGBT续流二极管：降低开关损耗，增大开关频率。　　森国科深耕宽禁带半导体领域多年，目前已与国内外TOP级工艺厂商(X-FAB\积塔等)达成友好合作，秉承着“做最合适的功率器件”的理念，致力于打造性能优越、尺寸体积可控的功率器件全系列产品，助力来自OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个领域的客户实现高耐压、耐高温、耐高频、低功耗、低成本的应用需求，持续赋能低碳发展。　　名词释义　　TMPS：是Thinned Merged PIN Schotty Diode 的缩写， 中文翻译为：减薄的混合型PN结势垒肖特基二极管，森国科将该系列产品注册商标为：Thinned MPS®　　PFC：英文全称为“PowerFactorCorrecTIon”，意思是“功率因数校正”，功率因数指的是有效功率与总耗电量(视在功率)之间的关系，也就是有效功率除以总耗电量(视在功率)的比值。基本上功率因数可以衡量电力被有效利用的程度，当功率因数值越大，代表其电力利用率越高。　　维也纳整流桥：Vienna 整流桥是脉冲宽度调变的整流器，可以接收三相交流电源，也是功率因数修正电路，是Johann W. Kolar在1990年发明。
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发布时间：2025-05-12 14:27 阅读量：256 继续阅读>>
硅二极管系列产品" alt="森国科推出广泛用于"光、风、储、充、荷"的1200V碳化硅二极管系列产品">
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森国科推出广泛用于"光、风、储、充、荷"的1200V碳化硅二极管系列产品

　　深圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS®1200V碳化硅二级管，涵盖了10A、15A、20A、30A、40A、50A系列等数十款型号，相比Si器件，碳化硅肖特基二极管具有导通电阻低，开关损耗小的特点，完美满足中高压系统的需求，成为了光伏逆变器、风能逆变器、储能双向逆变器、充电桩模块、大功率工业电源、车载充电机等领域客户的不二选择，碳化硅功率器件的使用对于能源领域朝着轻量化、节能低碳化的转型升级也具有重要的意义。　　碳化硅作为第三代宽禁带半导体的代表性材料之一，与传统Si基材料相比，其电子饱和漂移速率是硅的2倍，更加适合在高频电路中使用;热导率相当于Si的3倍，因而散热效果更佳，可靠性更高;SiC材料的临界击穿场强能力高达硅的10倍之多，可使器件更加耐高压;禁带宽度上来说，SiC材料是Si材料的3倍，使其具备了低漏电的优异性能。　　此外，经过多轮测试与验证，森国科1200V碳化硅二级管拥有强大的抗浪涌冲击能力、抗雪崩能力，强健性和鲁棒性。较高的热性能降低了对冷却系统的需求，同时由于反向恢复时间短，可降低电磁干扰的问题。在"风、光、储、充、荷"等领域常用的电路可参考：　　交错并联PFC: D5, D6：可以减小输入电流纹波和输出电容纹波电流的有效值，并提升电路的功率等级。　　维也纳(VIENNA)PFC：具有谐波含量低、功率因数高、动态性能良好的特性。　　IGBT续流二极管：降低开关损耗，增大开关频率。　　森国科深耕集成电路领域多年，目前已与国内外多家著名的FAB厂达成紧密的合作关系。秉承着“做最合适的功率器件”的理念，致力于打造性能优越、尺寸体积可控的功率器件全系列产品，助力来自新能源汽车、充电桩、光伏逆变器、OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个领域的客户实现高耐压、耐高温、耐高频、低功耗、低成本的应用需求，持续赋能低碳发展。
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发布时间：2025-05-07 09:09 阅读量：274 继续阅读>>
​碳化<span style='color:red'>硅二极管</span>优于<span style='color:red'>硅二极管</span>的原因有哪些
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​碳化硅二极管优于硅二极管的原因有哪些

     在额定电压相同的情况下，SiC二极管占用的空间比Si更小     SiC的介电击穿场强比硅基器件高出约10倍，且在给定的截止电压下，SiC的漂移层比硅基器件更薄且掺杂浓度更高，因此SiC的电阻率更低，传导性能也更好。这意味着，在额定电压相同的情况下，SiC芯片比其等效的硅芯片更小。使用更小的芯片还有一个额外好处，就是在电流和额定电压给定的情况下，其器件的固有电容和关联电荷都更低。结合SiC的更高电子饱和速度，这可以实现比Si基器件更快的开关速度和更低的损耗。  二极管具有更出色的散热性能SiC的热导率几乎是Si基器件的3.5倍，因此其每单位面积耗散的功率(热量)也就更多。尽管封装在持续运行期间会是一个限制因素，但SiC带来较大的裕量优势，有助于设计实现易受瞬态热事件影响的应用。此外，耐高温性能意味着SiC二极管具有更高的耐用性和可靠性，且不会出现热失控危险。  单极性SiC二极管并没有会造成减速和降低效率的存储电荷SiC二极管是单极性肖特基金属半导体器件，其中只有多数载流子(电子)才能传输电流。这意味着，当二极管正向偏压时，结耗尽层几乎不会存储任何电荷。相比之下，P-N结硅二极管是双极性二极管，且会存储在反向偏压期间必须去除的电荷。这会导致反向电流尖峰，因此二极管(以及任何关联的开关晶体管和缓冲器)的功率损耗更高，同时功率损耗随着开关频率的增加而增大。SiC二极管在反向偏压下会由于其固有电容放电而产生反向电流尖峰，但其峰值仍比P-N结二极管低一个数量级，这意味着二极管和相应开关晶体管的功耗都更低。  二极管的正向压降和反向漏电流都与Si相匹配SiC二极管的最大正向压降可与超快Si二极管相媲美，并且仍在不断改进(在更高的额定截止电压下，两者存在细微差异)。尽管是肖特基类型的二极管，但在反向偏压下，高压SiC二极管的反向漏电流和由此产生的功耗相对较低，类似于同等电压和电流级别的超快Si二极管。由于SiC二极管不存在反向电荷恢复效应，所以SiC二极管和超快Si二极管之间由正向压降和反向漏电流变化引起的任何微小功耗差异都比降低SiC动态损耗所抵消的功耗更大  二极管恢复电流在其工作温度范围内比较稳定，从而可以降低功耗硅二极管的恢复电流和恢复时间随温度变化而存在巨大差异，从而加大了电路优化的难度，但SiC二极管却不存在这种变化。在一些电路中，如“硬开关”功率因素校正级，充当升压整流器的硅二极管可以控制从高电流下的正向偏压到典型单相AC输入的反向偏压(通常约为400V D母线电压)产生的损耗。SiC二极管的特性可显著提升此类应用的效率，并可简化硬件设计人员的设计考虑因素。  二极管可并联连接，且不会出现热失控危险SiC二极管与Si二极管相比还有一个优势，它们可以并联连接，因为其正向压降具有正温度系数(在I-V曲线的应用相关区域),这有助于纠正所有电流不均流。相比之下，当器件并联连接时，SiP-N二极管的负温度系数可能会导致热失控，需要使用明显降额或附加的有源电路，以迫使器件实现均流。  二极管的电磁兼容性(EMI)优于SiSiC二极管软开关特性还带来另一个优势，它可以显著降低EMI。将Si二极管用作开关整流器时，反向恢复电流的潜在快速尖峰(及其宽频谱)可能导致传导和辐射发射。这些发射会产生系统干扰(通过各种耦合路径),从而可能超过系统EMI限值。在这些频率下，由于存在这种杂散耦合，滤波可能会比较复杂。此外，设计用于衰减开关基频和低谐波频率(通常低于1MHz)的EMI滤波器通常都具备比较高的固有电容，从而会降低其在更高频率下的滤波效果。缓冲器可在快速恢复Si二极管中用于限制边沿速率以及抑制振荡，从而减少对其他器件产生的应力，降低EMI。但是，缓冲器会耗散大量能量，从而降低系统效率。  二极管的正向恢复功率损耗低于Si  在Si二极管中，正向恢复这种功率损耗来源往往会被忽视。从关断状态向导通状态转换期间，二极管压降会暂时增大，从而产生过冲、振铃以及与P-N结初始传导性较低相关的额外损耗。然而，SiC二极管却不存在这种效应，因此无需担心正向恢复损耗。
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发布时间：2023-08-03 09:52 阅读量：2107 继续阅读>>
<span style='color:red'>硅二极管</span>整流器是什么 <span style='color:red'>硅二极管</span>整流器有哪些特点
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硅二极管整流器是什么 硅二极管整流器有哪些特点

　　硅二极管整流器是将交流电转变为大小可调的直流电的整流装置。主要适用于电镀、电解等需要直流电源的场合。　　一、硅二极管整流器特点　　①采用柜式结构，喷涂防护，外形美观，结构坚固。　　②电路简化，原理简单，操作方便。　　③元器件选用裕量大，过载能力强，电流转化效率高。　　④根据规格分为自冷（A）、风冷（F）、水冷（S）油冷（J）等冷却方式。　　⑤采用自耦式或感应式（根据容量而定），可平滑的调节输入电压，波形畸变小。　　⑥整流方式采用单相全波，三相桥式，六相双反星式，三相五柱式（根据规格和实际应用而定）。　　二、硅二极管整流器工作原理　　交流电源经过控制通断电路进入调压器输入端，通过调压器调解的电流加至整流变压器的一次侧，感应出的二次电压经过整流元件整流，输出大小可调的直流电压、电流，提供给负载工作。
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发布时间：2022-09-19 13:53 阅读量：2802 继续阅读>>

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