瑞萨电子推出针对未来<span style='color:red'>工业</span>和机器人应用的旗舰产品RA8T2 MCU
  9月25日,全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)宣布推出面向高端电机控制的RA8T2微控制器(MCU)产品群。该系列产品基于1GHz的Arm® Cortex®-M85处理器,可选配250MHz的Arm® Cortex®-M33处理器,能够提供出色的性能,满足工业设备、机器人及其它需要高速精密操作系统的中高端电机实时控制需求。可选配的Cortex®-M33处理器使客户能够在单芯片上同时实现实时控制、通信功能及非实时操作,从而节省成本、降低功耗和减少电路板空间占用。  RA8T2 MCU充分利用Arm® Cortex®-M85处理器的高性能以及Arm的Helium™技术,为数字信号处理器(DSP)和机器学习(ML)的实现带来显著性能提升。这一增强性能支持AI功能用于预测电机的维护需求,有助于减少高昂的停机成本。  除卓越的处理能力外,RA8T2 MCU还通过多种通信接口提供高速多协议工业网络支持,包括两个带DMA的千兆以太网MAC、一个双端口EtherCAT从站接口,以及其它丰富接口。在工厂自动化环境中,高速通信至关重要——每个设备均需接入工厂内网络,并与其它机器持续同步以收发指令和数据。  RA8T2配备高达1MB的高速MRAM(磁阻随机存取存储器),访问速度可达100MHz。相较于闪存,MRAM具备更快的写入速度、更高的耐用性和更强的数据保持能力。此外,RA8T2还集成紧耦合存储器(TCM)——Cortex®-M85的TCM容量为256KB;Cortex®-M33版本的容量为128KB。TCM技术可为用户提供低抖动的高精度实时性能,即使于存在大量中断和分支的电机控制处理中仍可保持稳定运行。  Daryl Khoo, Vice President of the Embedded Processing Marketing Division at Renesas表示:“RA8T2产品群巩固了我们在电机控制解决方案领域的卓越地位,其拥有优异的性能与功能。该产品彰显出瑞萨技术的广度与深度,也体现我们对电机控制客户在构建下一代工厂自动化和机器人产品方面需求的洞察。”  专为电机控制优化的功能集  全新RA8T2产品搭载的定时器功能支持高达300MHz的PWM性能,便于控制软件操作,并能高效生成驱动逆变器的波形。GPT定时器的互补PWM功能专为逆变器驱动优化,可轻松实现多种控制算法:包括多相(含单相/三相)互补PWM输出、自动插入死区时间、生成非对称PWM信号,以及与ADC和比较器的联动控制。该定时器还配备相位计数功能,可通过双相脉冲编码器控制需要轴位信息的交流伺服系统。RA8T2的ADC具备16位分辨率及通道独立采样保持功能(三通道),支持三相电流值的高精度同步采样。此设计免除校正处理需求,减轻软件负担并提升控制精度。该ADC还配备两套单元,可同时采样两台电机的三通道电流。端口输出使能(POEG)与高速比较器功能可在检测到过流时快速关闭PWM输出,并可根据变频器规格选择关断状态(高阻态、高电平、低电平)。  瑞萨在电机控制嵌入式处理领域的卓越地位  瑞萨面向电机控制提供专用MCU已超10年历史。公司每年向全球数千家客户出货超过2.3亿颗电机控制专用MCU。除多个RA MCU产品群外,瑞萨还在其32位RX产品家族、16位RL78 MCU和64位RZ MPU产品线中推出电机控制专用器件。此外,公司还推出业界首款基于RISC-V架构的电机控制专用ASSP。  RA8T2产品群MCU的关键特性  内核:1GHz Arm® Cortex®-M85(含Helium™及TrustZone技术);可选配250MHz Arm® Cortex®-M33  存储:集成1MB高速MRAM与2MB SRAM(包括Cortex®-M85专用256KB TCM及M33专用128KB TCM)  模拟外设:两个16位ADC(含30个模拟通道)、两个3通道S/H模块、2通道12位DAC、4通道高速比较器  通信外设:双千兆以太网MAC(带DMA)、EtherCAT从站、USB2.0 FS主机/设备/OTG、CAN2.0(1Mbps)/CAN FD(8Mbps)、I3C(12.5Mbps)、I2C(1Mbps)、SPI、SCI、八通道串行外设接口  高阶安全功能:RSIP-E50D加密引擎、FSBL专用不可篡改存储器、安全调试、安全出厂编程、DLM支持、防篡改保护、DPA/SPA防护  定时器:14通道PWM定时器、4通道高分辨率定时器、4通道低功耗定时器(16位×2通道及32位×2通道)  封装:176-HLQFP、224-BGA、289-BGA及303-BGA  全新RA8T2产品群MCU由瑞萨灵活配置软件包(FSP)提供支持。FSP提供所需的所有基础架构软件,包括多个RTOS、BSP、外设驱动程序、中间件、连接、网络和安全堆栈,以及用于构建复杂AI、电机控制和云解决方案的参考软件,从而加快应用开发速度。它允许客户将自己的既有代码和所选的RTOS与FSP集成,为应用开发实现充分的灵活性。借助FSP,客户可轻松将现有设计迁移至全新RA8系列产品。  成功产品组合  瑞萨将全新RA8T2 MCU产品群与其产品组合中的众多可兼容器件相结合,创建了包括无人驾驶飞行器(UAV)在内的广泛“成功产品组合”。“成功产品组合”基于相互兼容且无缝协作的产品,具备经技术验证的系统架构,带来优化的低风险设计,以加快产品上市。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品,推出超过400款“成功产品组合”,使客户能够加速设计过程,更快地将产品推向市场。  供货信息  RA8T2产品群MCU以及FSP软件现已上市。全新MCU由瑞萨的灵活电机控制开发套件和瑞萨电机工作台开发工具提供支持,前者可实现永磁同步电机(无刷直流电机)控制的便捷评估。该开发套件搭建了一个通用设计平台,支持瑞萨RA和RX产品家族中的众多电机控制MCU,从而助力跨多个平台的IP迁移。  瑞萨MCU优势  作为全球卓越的MCU产品供应商,瑞萨电子MCU近年来的平均年出货量超35亿颗,其中约50%用于汽车领域,其余则用于工业、物联网以及数据中心和通信基础设施等领域。瑞萨电子拥有广泛的8位、16位和32位产品组合,所提供的产品具有出色的质量和效率,且性能卓越。同时,作为一家值得信赖的供应商,瑞萨电子拥有数十年的MCU设计经验,并以双源生产模式、业界先进的MCU工艺技术,以及由200多家生态系统合作伙伴组成的庞大体系为后盾。
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发布时间:2025-09-29 17:16 阅读量:294 继续阅读>>
麦格米特携手航顺 HK32MCU击穿<span style='color:red'>工业</span>电源技术壁垒
  击穿工业电源技术壁垒  在全球工业自动化升级与国产芯片替代浪潮的双重驱动下,中国工业电源领域正迎来技术革新与市场格局重塑的关键时期。作为工业电源解决方案的领军企业,麦格米特与国内 32 位MCU 先驱航顺芯片达成深度合作,共同推出基于 HK32MCU 的高性能工业电源解决方案,这一强强联合不仅实现了技术突破,更在国产化进程中树立了新标杆。  PART .01 麦格米特携手航顺 HK32MCU 竞争市场突破  面对工业 4.0 转型带来的机遇与挑战,麦格米特始终坚持技术创新与市场拓展并行的战略。通过与航顺芯片的深度合作,双方在工业电源核心控制领域实现了关键性突破,成功打破了国外品牌在高端工业控制芯片领域的长期垄断。这一合作不仅强化了麦格米特在工业自动化、新能源储能等关键领域的市场地位,更推动了整个行业向国产化、自主化方向发展。  麦格米特凭借在电力电子领域多年的技术积累,结合航顺 HK32MCU 的高性能运算与控制能力,已成功将合作方案应用于智能制造、数据中心、光伏逆变器等多个重要场景。特别是在新能源领域,该解决方案凭借卓越的稳定性和能效表现,获得了多家行业龙头企业的认可,显著提升了麦格米特在高端工业电源市场的占有率。  这种市场突破不仅体现在销量增长上,更重要的是实现了从技术跟随到自主创新的战略转型。  PART .02 航顺 HK32MCU 给麦格米特市场赋能  航顺 HK32MCU 为麦格米特工业电源解决方案提供了核心算力支撑与技术赋能,其价值体现在多个维度:在性能层面,航顺HK32MCU 基于 ARM 内核,主频高,Flash和SRAM配备大,为电源系统的精准控制提供了强大运算能力;在功耗控制上,HK32MCU 系列产品功耗低,显著提升了电源系统的能效比。  航顺芯片独特的 "硬件 + 服务" 模式为麦格米特带来了显著的市场竞争优势。航顺不仅提供高性能的芯片产品,还配套完整的开发工具、驱动库和技术支持,实现了 "客户不用开发,即可直接上板" 的快速部署模式,大幅缩短了产品开发周期。这种全周期技术支持能力使麦格米特能够快速响应市场需求变化,实现定制化方案的快速迭代。  在供应链安全方面,航顺 HK32MCU 的国产化身份为麦格米特提供了稳定可靠的供应保障,有效规避了国际形势波动带来的供应链风险。同时,航顺芯片通过了 ISO 9001、IATF 16949 等质量管理体系认证,部分型号更获得 IEC60730 功能安全认证,为麦格米特产品进入高端市场提供了资质保障。  PART .03 方案概述  麦格米特搭载航顺 HK32MCU 的工业电源解决方案是一套融合高效能电源转换技术与智能控制的完整系统。该方案以航顺高性能系列 MCU 为控制核心,集成麦格米特在电力电子领域的先进拓扑结构与功率变换技术,形成了覆盖 AC/DC、DC/DC、UPS 等多种类型的工业电源产品矩阵。  方案架构上,HK32MCU 作为核心控制单元,负责实时采集电源运行参数(电压、电流、温度等),通过内置高精度 ADC 模块实现数据转换,并基于高效控制算法进行实时运算,再通过 PWM 模块输出精准控制信号,实现电源系统的稳定运行与动态调节。该方案支持丰富的外设接口,包括 UART、SPI、I2C 等,可灵活对接各类传感器、通信模块和人机交互设备。  应用场景方面,该方案广泛适用于工业自动化控制、新能源储能系统、数据中心供电、光伏逆变器、电动汽车充电桩等领域。针对不同应用场景的特性需求,方案可提供从 50W 到 10kW 以上的功率覆盖,并支持宽电压输入与多种输出电压配置,满足多样化的工业用电需求。  PART .04 方案核心优势  麦格米特与航顺 HK32MCU 联合打造的工业电源解决方案具有六大核心优势:  (1)精准控制性能:依托HK32MCU的 高主频的高速运算能力和高精度 PWM 输出,方案实现了高精度的电压调整率和快速动态响应,确保在负载剧烈变化时仍能保持稳定输出。  (2)高效节能特性:融合 HK32MCU 的低功耗设计与麦格米特先进的功率变换技术,方案整机效率非常高,空载功耗非常低,满足最新的能效标准要求,大幅降低工业能耗。  (3)高可靠性设计:方案采用工业级元器件选型,HK32MCU 支持 - 40℃~105℃宽温工作范围,配合完善的过压、过流、过温、短路保护功能,确保在严苛工业环境下的稳定运行。  (4)灵活扩展能力:HK32MCU 丰富的外设资源和麦格米特模块化设计使方案具备极强的扩展能力,可根据客户需求快速集成通信功能(RS485、Ethernet、CAN 等)和智能化管理功能。  (5)快速部署优势:借助航顺提供的完整开发工具链和麦格米特成熟的电源硬件平台,缩短方案从原型设计到量产部署的周期,帮助客户快速响应市场需求。  (6)国产化安全保障:方案核心元器件实现国产化,不仅规避了国际供应链风险,还通过本地化技术支持实现快速问题响应与定制开发,为国家关键基础设施建设提供安全可靠的电源保障。  这一创新方案的推出,标志着中国工业电源技术在核心控制领域实现了重大突破,为行业国产化升级提供了可借鉴的成功范例。未来,麦格米特与航顺芯片将继续深化合作,在智能化、数字化电源领域探索更多创新可能,为全球工业客户创造更大价值。
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发布时间:2025-09-28 11:45 阅读量:272 继续阅读>>
恩智浦i.MX RT1180赋能,打造基于多种<span style='color:red'>工业</span>总线的伺服解决方案
  i.MX RT1180是恩智浦最近推出的一款高性能跨界处理器,其中包含了300MHz的Arm Cortex-M33核以及800MHz的Arm Cortex-M7核,集成了多种网络功能如时间敏感网络 (TSN) 交换机、EtherCAT SubDevice控制器等。同时,芯片内部集成了先进的电源管理模块,便于降低复杂的外部电源设计,并且还提供了多种外部存储接口和丰富的外设。  工业以太网在工业自动化中的应用  工业以太网将以太网技术延伸至工业控制场景,主要应用于工厂自动化、过程自动化、智能仓储与物流、能量管理等领域。相比于传统总线,工业以太网具有以下优势:  更高带宽的传输速度,更好的兼容性  工业以太网传输速率可达100Mbps至10Gbps,支持大带宽数据传输,且兼容IT网络标准,易于与云端、ERP系统对接;而传统工业总线传输速率较低 (通常≤1Mbps),协议封闭,跨系统集成困难。  支持远距离传输与强拓展性  以太网通过交换机可扩展传输距离 (单段超100米),支持大规模组网。  高实时性  工业以太网通过实时协议 (如EtherCAT、Profinet) 解决传统以太网的传输延迟问题,实时性接近传统总线,同时支持多设备并发通信。  低维护成本  以太网硬件标准化程度高,成本低,且维护方便 (持热插拔、远程诊断),传统总线设备专用性强,硬件与协议定制成本高,升级维护复杂。  更强的灵活性与开放性  工业以太网支持IP协议,可直接接入互联网,便于实现远程监控与工业物联网 (IIoT) 融合;传统总线协议封闭,需网关转换才能与外部网络通信,难以适应智能化升级需求。  迄今为止,以太网现场总线新接入节点达到76%,远超传统的现场总线,是未来现场总线的趋势。  基于i.MX RT1180的EtherCAT+伺服控制  EtherCAT (Ethernet for Control Automation Technology),即“以太网控制自动化技术”,是由德国Beckhoff公司研发的一种基于以太网的现场总线系统的开放架构。它突破传统以太网局限,数据帧经各节点时,能高速动态读写数据并插入新数据,带宽利用率超90%。  EtherCAT几乎支持所有拓扑,周期时间短、同步精度高,从站处理器无需处理以太网封包,所有程序资料由从站控制器硬件处理,能满足工业自动化短数据更新时间、低通讯抖动和低成本硬件的要求,在机器控制、测量系统等领域广泛应用。  目前i.MX RT1180基于内置的EtherCAT subdevice controller已经实现了EtherCAT的EOE, COE, FOE等功能。  内置EtherCAT subdevice controller,相比于常规的外置控制器,拥有更低的成本,更高的PDI传输速度。恩智浦基于片内EtherCAT控制器设计了基于单颗i.MX RT1180芯片的EtherCAT+伺服电机控制方案,并通过一台滑台丝杆的齿轮对接,对该方案的性能进行了展示。  该方案主站既可以利用TwinCAT实现,也可以使用SOEM进行实现,这里,选取了SOEM作为主站,其同步周期为250μs。从站节点基于CiA402协议完成数据处理,参考设计共有两个从站节点,每个节点控制两个电机,所有节点均运行在csp模式,单片i.MX RT1180最多可以支持四电机加现场总线方案。基于单片i.MX RT1180芯片的EtherCAT+伺服电机控制方案框图  下图给出了具体从站节点的方案图,主要分为两个部分:  EtherCAT通讯总线负责收发主设备的电机指令及反馈实时状态。该部分由Cortex-M33核、片内 EtherCAT 子设备控制器和外部PHY芯片协同实现。PHY芯片通过 RMII接口连接子设备控制器,将RJ45的模拟信号转为数字信号,再与Cortex-M33核一起完成协议栈处理。  电机控制部分,该部分由M7核完成,M7拥有更高的主频,更高的算力,因此将用于实时性要求更高的电机控制应用。  i.MX RT1180从站节点方案框图  具备多种以太网方案  i.MX RT1180除了能够支持EtherCAT现场总线外,还支持TSN、Profinet等几乎所有工业网络。  i.MX RT1180支持多种以太网方案  支持多种编码器接口协议  工业自动化对电机的控制精度要求十分严格,不同的应用场景需要应用不同的编码器规格,不同的编码器都需要对应的一套编码器解码外设,而i.MX RT1180可以通过灵活的FLEXIO外设模拟各种各样的编码器接口,仅仅需要四个引脚即可模拟市面上绝大部分的编码器协议,能够方便客户节省成本与硬件设计资源,达到一套硬件电路适配多种编码器的功能。  总结与展望  i.MX RT1180支持多种工业网路总线 (TSN、EtherCAT、Profinet等),最高支持单芯片四电机控制的外设资源,多种多样的外部存储接口与通讯外设接口,主频高达800MHz的M7核能够及时完成繁重的电机处理任务,可以说该芯片非常适合工业自动化领域。  i.MX RT1180已加入恩智浦长期供货计划,承诺供货至少15年,让客户后顾无忧。
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发布时间:2025-09-19 16:21 阅读量:322 继续阅读>>
森国科SG8410B:100V高耐压LDO,开启<span style='color:red'>工业</span>与物联网供电“芯”纪元!
  SG8410B高电压线性稳压器----一颗在100V输入下仍可稳定输出50mA的“小身材、大能量”LDO。它用23µA超低静态电流、±1.5%输出精度、160°C热关断及短路保护,重新定义了“高压、低耗、高可靠”的电源边界,为工程师提供前所未有的设计自由度。  01三大创新性能,直击高压供电痛点  100V连续耐压 + 110V瞬态生存  无需前级TVS或降压模块,一颗LDO直接挂母线,节省BOM与面积。  23µA静态电流 / 8µA关断电流  电池、超级电容、能量采集系统可“歇人不歇芯”,待机寿命延长3倍-5倍。  50mA带载下仅2.8V压差,±1.5%全温区精度  给后级MCU、运放、隔离电源提供干净、精准、低噪的辅助电源,EMI一次性通过。  02目标市场与应用场景  工业自动化——“传感器+执行器”双供电  24V/36V/48V导轨PLC、IO-Link、阀岛、编码器,传统方案需DC-DC+二阶LDO两级转换。SG8410B可直接由36V母线生成3.3V/5V,纹波<20mV,省去开关噪声与补偿烦恼,整机待机<0.5W,轻松过Energy Star。  智能照明——“交流掉电维持”黑科技  220V经整流后母线高达120V,灯具需维持BLE/Zigbee模块3s以上掉电上报。SG8410B 100V输入+10µA级静态电流,让维持电容体积缩小一半,灯头温度降低8℃,寿命翻倍。  以太网供电(PoE)——“PD端辅助电源”  PoE++(90W)PSE输出54V,PD需给MCU、数字隔离器、eFuse提供12V/5V偏置。SG8410B从54V直接取电,50mA足以驱动光耦与继电器;短路时120mA精准限流,保护PSE不被拉回。  物联网传感器——“电池+能量采集”混合供电  4~20mA回路、NB-IoT水表、风电塔振动监测,往往只有200µA平均预算。SG8410B 23µA静态电流,比常规高压LDO低60%,让同一节ER18505电池多工作5年,现场维护成本直降40%。  车载12V/24V系统——“抛负载”生存者  ISO 7637-2 Pulse 5b 87V/400ms抛负载测试,SG8410B 110V瞬态耐压无需额外TVS,直接为CAN/LIN收发器、车规MCU提供5V待机电源,简化AEC-Q100外围,缩短开发周期30%。  03设计友好,方便使用  SOT23-5L 3*3mm,0.95mm脚距,兼容自动光学检测  外围仅4颗阻容:CIN≥0.47µF、COUT≥2.2µF,R1/R2任意设定1.8~12V输出  内置补偿,无需ESR折中;支持铝电解/陶瓷/钽电容,Layout“一线到底”  -40~105°C工业级温区,160℃热关断+140℃回滞,终身免校准  PCB Layout 指导  CIN和 COUT 离 LDO 尽可能近,一般推荐 CIN=COUT在 1uF-10uF 之间,需要注意输入电容耐压值。  LDO 输入端建议串联 10Ω左右的电阻,以吸收前级输入尖峰电压。  尽量大的铺地面积,可以提高抗干扰性,增加 LDO 散热性能。
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发布时间:2025-09-15 10:29 阅读量:304 继续阅读>>
极海发布APM32F425/427系列高性能MCU:助力<span style='color:red'>工业</span>应用升级
  聚焦工业4.0及能源管理应用对主控MCU的高性能需求,极海正式发布APM32F425/427系列高性能拓展型MCU,集合运算性能、ADC性能、Flash控制器性能与通信接口四大维度革新,进一步增强了EMC性能,重新定义Cortex-M4F内核在复杂工业场景下的性能表现,该系列可广泛应用于伺服驱动器、可编程逻辑控制器(PLC)、光伏储能、能源电力、无人机、机器人等工业领域。  工业矩阵MCU再添新成员  APM32F425/427系列基于嵌入式闪存工艺(EFlash),搭载Arm® Cortex®-M4F内核,最高支持1MB EFlash,其中APM32F427系列内置448KB+4KB的SRAM,APM32F425系列支持256KB Flash零等待,内置192+4KB SRAM,全系列支持全温度范围内240MHz主频运行。  得益于升级的存储访问控制器(FACC),APM32F427的运算性能及代码执行效率得到大幅增强,240MHz运行下,非零等待Flash配置Coremark分数 777 (3.24Coremark/MHz),零等待Flash配置Coremark分数796(3.32 Coremark/MHz)。  APM32F425/427系列可全方位满足用户在算力、内存、接口速率等资源的设计需求。APM32F425/427系列高性能拓展型MCU  集成高抗噪、高精度ADC,最高支持4Msps的采样率,可通过硬件过采样功能进一步提升采样精度。集成DAC等高性能模拟单元及Ethernet、CAN、高速USART、高速SPI、高速QSPI、USB OTG等高速通信接口,以及用于外扩存储或FPGA的增强型EMMC。  宽工作温度范围:-40℃~+105℃,符合工业级标准,适应恶劣环境。ESD增强至HBM 4KV/CDM 1KV,支持1.8~3.6V工作电压,支持上电、掉电与欠压复位,支持可编程电源电压检测器。APM32F425/427系列产品优势极海M4F内核产品矩阵  APM32F425/427系列提供QFN48、LQFP48/64/ 100/144五种封装,产品设计保留了兼容特性,可提供丰富的型号适配不同应用需求。  极海致力于以"工业核芯"赋能智能制造,持续构建计算-连接-控制三位一体的工业基础生态,以应对工业4.0、智能制造、机器人、新能源等前沿领域日益复杂的挑战。
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发布时间:2025-08-28 10:04 阅读量:460 继续阅读>>
纳芯微发布NS800RT737x高性能实时控制MCU(DSP),赋能<span style='color:red'>工业</span>与能源核心控制
  在实时性要求极高的电力电子与电力拖动领域,如新能源逆变器、工业伺服控制及车载电机驱动中,系统必须在毫秒甚至微秒级完成数据处理与响应。纳芯微全新推出的NS800RT737x系列MCU(DSP):NS800RT7374/7377/7379,以高性能实时控制内核为核心,集成丰富外设与保护功能,能够显著提升控制精度和系统稳定性,缩短开发周期,提供高可靠国产选择。  高性能内核与存储架构,赋能实时运算  NS800RT737x系列采用单/双Cortex®-M7内核@400MHz内核,每个内核配备自研eMath/mMath加速核,支持数学函数、FFT及矩阵运算加速,大幅提升实时运算效率。产品集成1MB eFlash+13KB DFlash,搭配高达768KB RAM(含256KB TCM*2+256KB SRAM),为复杂算法和多任务处理提供充足空间。NS800RT737x系列详细规格  多通道高速采样与超高精度控制  NS800RT737x系列内置4个12位ADC模块(4.375MSPS),最高支持25路ADC,8对比较器以及2路DAC,可同时采集多路信号,适配高动态响应需求。36路PWM(其中32路高精度PWM)具备124ps最小细分,实现超精细的功率控制,满足光伏储能逆变器、数字电源、电机控制等对控制精度极高的应用。  丰富可编程与信号处理外设,提升系统集成度  NS800RT737x系列最高支持6个CLB可配置逻辑模块,可通过编程实现各种灵活的功能;16路SDFM(Sigma-Delta Filter Module)提供多路高精度数字输入,适配隔离式电流/电压采样场景;四线QSPI实现高速外部通信;双32通道DMA提升数据传输效率,减轻CPU负载。  完善通信接口,护航信息安全  NS800RT737x系列最高支持2路CAN-FD、1路CAN 2.0、4路SPI、6路UART、2路I²C、1路PMBus及一路EMIF外扩总线,确保在车载、工业等多总线环境下的稳定通信。  同时,芯片内置CRC、BGCRC、TRNG、HASH-AES等硬件加密引擎,加持信息安全。  生态友好,降低开发门槛  NS800RT737x系列兼容ARM常用IDE(Keil、IAR)并支持纳芯微自主开发的NovoStudio工具链,帮助客户快速迁移和部署,缩短产品上市周期。NS800RT737x系列评估板
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发布时间:2025-08-19 09:42 阅读量:472 继续阅读>>
太阳诱电高可靠性元件(信息基础设备·<span style='color:red'>工业</span>设备用途)产品阵容·电容器
佰维存储推出<span style='color:red'>工业</span>级BGA SSD:成为AIoT时代的“全能选手”
  顺应边缘AI对高性能计算、高集成、与微型化的趋势,佰维存储推出工业级BGA SSD,在如五角硬币大小(16 x 20 x 1.3 mm)的尺寸内,提供高达1TB的存储容量与PCIe 4.0 x4的高速传输。BGA封装形式使该产品在需要频繁移动或受到机械振动的设备中更加可靠,广泛适配边缘计算、AI智能盒子、智能工控、智能汽车、通信设备、工业平板、娱乐设备等领域。  覆盖AIoT边缘智能全场景,更小、更强、更智能  佰维工业级BGA SSD系列产品全面契合边缘智能时代对存储的复合型需求,不仅满足端侧AI计算对高算力、低延迟的严苛要求,同时兼顾工业级应用对长生命周期、多接口兼容性以及在极端温度、湿度等复杂环境下稳定运行的高标准,为多元化的智能应用场景提供坚实的数据存储底座。  产品顺序读写速度最高可达7300MB/s、4600MB/s,容量覆盖256GB至1TB,灵活适配从轻量级嵌入式设备到高负载边缘计算节点的多样化需求。在环境适应性方面,产品提供工业标准级(-20°C ~ 70°C)、工业宽温级(-40°C ~ 85°C)以及超宽温级(-40°C ~ 105°C)三种宽温规格选择,守护常规工业环境、严苛户外设备、车载系统及高温密闭空间等环境下数据完整性与可靠性。  先进自研架构固件,实现场景化精细调优  佰维特存BGA SSD搭载自主研发的固件,针对BGA SSD的独特应用形态进行了深度优化,确保在空间受限和严苛散热需求等复杂环境下发挥最佳性能与可靠性。  智能读写调度与GC优化:降低写入放大与冗余擦写,提升BGA SSD全场景性能与寿命,满足边缘/端侧设备在户外运行及无人值守环境下的长期高可靠性需求。  快速启动算法与低延迟访问机制:支持工业平板、汽车自动驾驶及智能座舱瞬时开机;实现工业自动化产线高效调度与实时处理,保障控制系统稳定响应,满足高精度智能制造场景要求。  数据可靠性:集成4K LDPC纠错引擎、端到端数据保护及RAM ECC,结合宽温支持与严苛测试,确保恶劣工业环境下数据安全与系统稳定。  按需定制,广泛兼容:针对数据高保密性场景,提供特定加密算法、安全启动支持功能以及S.M.A.R.T.监控;支持与多类型操作系统的深度兼容性优化,提升整体系统性能。  自主封装+测试+制造,造就严苛品控与敏捷交付  佰维成熟掌握 BGA 封装设计和工艺技术,确保产品拥有良好的电气性能、信号完整性、热管理能力。依托佰维在测试设备硬件开发、测试算法研究以及自动化测试平台建设的全栈测试能力,对BGA SSD执行严格的工业级可靠性测试,如长时间高温老化、温度循环冲击及振动测试,有效保障产品的高稳定性和高良率。  佰维实现了从研发设计、封装测试到生产制造的垂直整合,不仅建立了完善的品控体系,也大幅提升了生产效率与交付保障能力。依托公司在供应链资源上的深度整合与快速响应机制,佰维能够确保稳定的产能输出和高效的交付节奏,同时灵活支持客户的小批量定制化需求,快速适配特定应用场景,助力边缘智能与工业系统实现高效部署与持续创新。  佰维特存总经理彭鹏:“设备微型化趋势日益明显,还要对性能提升和功耗形成良好的平衡,这对存储产品的综合集成能力以及厂商的技术深度都带来了更大的考验。佰维持续投入工业级存储的研发与创新,不仅具备芯片设计+固件算法+硬件设计的开发能力,更拥有先进封装技术与自主生产能力,从产品选型、封装设计到制造交付的全链路环节,我们都实现了严格的过程控制与品质管理,确保每一颗芯片都能精准匹配客户在边缘计算、AIoT等高性能场景下的复杂需求。”
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发布时间:2025-08-04 11:16 阅读量:728 继续阅读>>
恩智浦:S32K312通用<span style='color:red'>工业</span>和汽车应用评估板
  恩智浦S32K312MINI-EVB是一款面向通用工业和汽车应用的评估板。该评估板基于S32K312,集成32位Arm Cortex-M7,提供HSE安全引擎、OTA支持、先进连接功能和低功耗特性。  附加特性  采用Arduino UNO引脚布局,提供广泛的扩展板选择。  FS26:符合ASIL D级的低功耗安全系统基础芯片 (SBC)  TJA1043:具备待机和睡眠模式的高速CAN收发器  TJA1022:双LIN 2.2A/SAE J2602收发器  目标应用  电池管理系统 (BMS)  电动泵  暖通空调 (HVAC)  汽车区域控制器  汽车照明  主动悬架  电动双轮车  混合动力电动汽车  软件使能工具  S32 Design Studio  实时驱动程序 (RTD)  基于模型的设计工具箱 (MBDT)  FreeMASTER与电机控制应用调试 (MCAT) 工具  汽车计算与电机控制库 (AMMCLib)  S32安全软件框架 (SAF)  安全外设驱动程序 (SPD)  结构内核自检(SCST)  核心优势  01 功能安全和信息安全功能  符合ISO 26262 ASIL B等级要求  HSE安全引擎 -支持 AES-128/192/256、RSA、ECC加密算法、安全启动和密钥存储功能;提供侧信道保护;符合ISO21434标准要求。  故障收集与控制单元  02 高性价比,车规级品质  丰富的软件生态系统与多项免费软件  Arduino-UNO引脚布局,便于开发  价格低于50美元  03 量产级软件  S32 Design Studio集成开发环境 (IDE)  S32K实时驱动程序 (RTD)  信息安全加密固件  S32安全软件框架 (SAF) 和结构内核自检 (SCST) 库  基于模型的设计工具箱 (MBDT),在MATLAB上运行  跨平台通信框架 (IPCF)
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发布时间:2025-07-25 13:47 阅读量:653 继续阅读>>
瑞萨电子推出全新GaN FET,增强高密度功率转换能力,适用于AI数据中心、<span style='color:red'>工业</span>及电源系统应用
  全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS,适用于人工智能(AI)数据中心和服务器电源(包括新型800V高压直流架构)、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器。此类第四代增强型(Gen IV Plus)产品专为多千瓦级应用设计,将高效GaN技术与硅基兼容栅极驱动输入相结合,显著降低开关功率损耗,同时保留硅基FET的操作简便性。新产品提供TOLT、TO-247和TOLL三种封装选项,使工程师能够灵活地针对特定电源架构定制热管理和电路板设计。  这三款新型产品基于稳健可靠的SuperGaN®平台打造。该平台采用经实际应用验证的耗尽型(d-mode)常关断架构,由Transphorm公司(瑞萨已于2024年6月收购该公司)首创。与硅基、碳化硅(SiC)和其它GaN产品相比,基于低损耗耗尽型技术的产品具有更高的效率。此外,它们通过更低的栅极电荷、输出电容、交叉损耗和动态电阻影响,以最大限度地减少功率损耗,并具备更高的4V阈值电压——这是当前增强型(e-mode)GaN产品所无法达到的性能。  新型Gen IV Plus产品比上一代Gen IV平台的裸片小14%,基于此实现30毫欧(mΩ)的更低导通电阻(RDS(on)),较前代产品降低14%,并且在导通电阻与输出电容乘积这一性能指标(FOM)上提升20%。更小的裸片尺寸有助于降低系统成本,减少输出电容,进而提升效率和功率密度。这些优势使Gen IV Plus产品成为对成本敏感且对散热要求较高应用的理想选择,特别是在需要高性能、高效率和紧凑体积的场景中。它们与现有设计完全兼容,便于升级,同时保护已有的工程投入。  这些产品采用紧凑型TOLT、TO-247和TOLL封装,为1kW至10kW的电源系统提供广泛的封装选择,满足热性能与布局优化的要求,还可并联更高功率的电源系统。新型表面贴装封装包括底部散热路径(TOLL)和顶部散热路径(TOLT),有助于降低外壳温度,方便在需要更高导通电流时进行器件并联。此外,常用的TO-247封装为客户带来更高的热容量,以实现更高的功率。  Primit Parikh, Vice President of the GaN Business Division at Renesas表示:“Gen IV Plus GaN产品的成功发布,标志着瑞萨自去年完成对Transphorm的收购后,在GaN技术领域迈出具有里程碑意义的第一步。未来,我们将深度融合经市场场验证的SuperGaN技术与瑞萨丰富的驱动器及控制器产品阵容,致力于打造完整的电源解决方案。这些产品不仅可作为独立FET使用,更能与瑞萨控制器或驱动器产品集成到完整的系统解决方案设计中,这一创新组合将为设计者提供更高功率密度、更小体积、更高效率,且总系统成本更低的产品设计方案。”  独特的耗尽型常关断设计,实现可靠性与易集成性  与此前的耗尽型GaN产品一样,瑞萨全新GaN产品采用集成低压硅基MOSFET的独特配置,拥有无缝的常关断操作,同时充分发挥高电压GaN在低损耗和高效率开关方面的优势。由于其输入级采用硅基FET,SuperGaN FET可以使用标准现成的栅极驱动器进行驱动,而无需通常增强型GaN所需的专用驱动器。这种兼容性既简化设计流程,又降低系统开发者采用GaN技术的门槛。  为满足电动汽车(EV)、逆变器、AI数据中心服务器、可再生能源和工业功率转换等领域的高要求,基于GaN的开关产品正迅速成为下一代功率半导体的关键技术。与SiC和硅基半导体开关产品相比,它们具有更高的效率、更高的开关频率,和更小的尺寸。  瑞萨在GaN市场上独具优势,提供涵盖高功率与低功率的全面GaN FET解决方案,这与其它许多仅在低功率段取得成功的厂商形成鲜明对比。丰富的产品组合使瑞萨能够满足更广泛的应用需求和客户群体。截至目前,瑞萨已面向高、低功率应用出货超过2,000万颗GaN器件,累计现场运行时间超过300亿小时。
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发布时间:2025-07-04 10:41 阅读量:562 继续阅读>>

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