恩智浦发布MCX A34x微控<span style='color:red'>制器</span>,专为电机控制而生
  恩智浦MCX A34x微控制器采用Arm Cortex-M33内核,主频高达180MHz,内置1MB闪存和256kB RAM。该器件专为电机控制应用而设计和优化,具有高性能,配备MAU引擎、两个集成式FlexPWM (含4个子模块,结合AOI模块)、4个ADC和丰富的串行外设及SmartDMA。  MCX A34x器件由MCUXpresso Developer Experience提供支持,旨在帮助开发人员优化、简化并加速嵌入式系统开发。  MCX A34x的主要特性  针对电机控制进行了优化  主频提升至180MHz,实现更快的响应,可处理更复杂的任务  MAU(数学加速单元)专用加速器显著提升了计算性能,特别是三角函数计算  集成4个16位ADC,支持更广泛的模拟输入  内置4个运算放大器(OpAmp),提升信号处理速度与精度  优化了电机控制应用的内部模拟信号路径,提高信号管理效率  电源与运行参数  无电容LDO电源架构  工作电压范围:1.7V至3.6V  温度范围:-40°C至125°C  IO电压范围:1.71V至3.6V  封装选项  LQFP144:20 x 20 x 1.4mm,0.5mm间距  LQFP100:14 x 14 x 1.4mm,0.5mm间距  LQFP64:10 x 10 x 1.4mm,0.5mm间距  WFBGA169:7 x 7 x 0.8mm,0.5mm间距  功能安全与信息安全  2025年内支持符合IEC61508标准的内核自检M33 + MCX安全框架  提供安全访问与数据保护所需的基础安全功能MCX A34x微控制器框图  目标应用  电力与能源  暖通空调(HVAC)控制  智能断路器  太阳能逆变器  工厂自动化  水泵  AC电机驱动  流程控制  仪器与仪表  编码器  家居与楼宇控制  家电电机控制  电磁炉  楼宇控制  风扇控制  通用嵌入式应用  医用泵  电动工具  无人机与移动机器人  面向MCX A34x的FRDM开发板  FRDM-MCXA346是一款紧凑且可扩展的开发板,用于MCX A345和A346系列MCU的快速原型设计。该开发板配备行业标准接头,便于访问MCU的I/O、集成式开放标准串行接口、外部闪存以及板载MCU-Link调试器。  通过MCUXpresso Developer Experience,开发者可获得更多工具,如用于附加板的扩展板中心和包含软件示例的应用代码中心。  FRDM-MCXA346开发板  FRDM-MCXA346开发板特性  支持USB Type-C供电  支持5V和3.3V  SWD/MCU Link接口用于烧录、调试与功率分析  板载复位、ISP与唤醒按钮  RGB LED  多种连接选项  1个CAN FD  UART、SPI、I2C接口  多种扩展接头  Arduino  MikroBUS  PMOD  FRDM扩展(恩智浦扩展接头)  摄像头/SmartDMA
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发布时间:2025-08-26 11:49 阅读量:249 继续阅读>>
海凌科电子:高精度24G人在灯控开关控<span style='color:red'>制器</span>
  手轻轻一挥,灯光立即亮起,再扫即灭,实现精准局部智能灯控!尤其是在橱柜灯、台灯等灯具上应用广泛,不仅提升用户体验,还更加智能环保,增强产品市场竞争力。  10G微波雷达模块HLK-LD102,支持手扫感应和接近感应两种感应方式,近距离轻扫0.1~0.2m可调,接近感知 1~2m可调,仅需5.5元就可以让普通灯具升级为智能灯控,超高性价比。  1、手扫感应有哪些妙用?  10G微波雷达模块  手扫感应技术在日常家居生活中有很多妙用,例如厨房灯和衣柜灯手扫开灯,不受温度变化和外界环境干扰的影响,精准度高,节能环保的同时,使用寿命更长。  同时,模块还可以助力无障碍设计,为残障人士提供便利,例如用于公共洗手间等环境中,手扫自动出水。  2、手扫+接近双感应,适应多元场景  10G微波雷达模块  HLK-LD102雷达模块基于多普勒原理,支持超近距离微动检测0.1-0.2m与运动感应1-2m。  在智能家居中,可精准识别手扫动作,实现无接触控制开灯;在安防场景中,运动感应可监测人员靠近,从而感应控制开关,满足近距交互的多样化需求。  3、自定义调参,避免误触  10G微波雷达模块  HLK-LD102模块支持自定义调节感知距离。用户可根据安装环境准设定感应范围,减少因干扰或无关动作触发误报。  例如,在自动感应垃圾桶中,将距离设为0.3m,可确保仅当手部靠近时开盖,提升使用精准度与可靠性。  4、110°宽视角覆盖,减少监测盲区  10G微波雷达模块  HLK-LD102模块拥有110°±10°的宽广感知角度,横向覆盖范围大,适合壁挂或嵌入式安装两种安装方式。  在橱柜灯、台灯等场景中,单模块即可监测大范围区域,减少因为角度不足而无法识别手扫的情况,使用体验更好,同时提升整体感应效率。  5、低功耗+串口通讯,适配复杂应用  10G微波雷达模块  HLK-LD102模块采用低功耗设计,延长设备续航,支持锂电池供电。  模块支持高低电平输出与串口通讯,可轻松接入智能家居系统、工业控制器等平台。默认5s延时可调,用户可根据需求优化响应速度,如快速触发灯光或延长设备待机时间,兼顾实时性与节能需求,灵活适配不同行业应用。  HLK-LD102雷达模块基于多普勒原理,支持手扫感应和接近感应,满足智能交互与安防监测需求。
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发布时间:2025-08-07 13:22 阅读量:415 继续阅读>>
海凌科:高精度24G人在灯控开关控<span style='color:red'>制器</span>
瑞萨电子推出搭载AI加速功能的1GHz微控<span style='color:red'>制器</span>,树立MCU性能新标杆
  全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)宣布推出针对人工智能(AI)、机器学习(ML)应用以及实时分析的RA8P1微控制器(MCU)产品群。该系列MCU通过将1GHz Arm® Cortex®-M85和250MHz Cortex-M33 CPU核心与Arm EthosTM-U55神经处理单元(NPU)相结合,从而树立MCU性能的新标杆。这一组合可实现超过7300 CoreMark的最高CPU性能和500 MHz下256 GOPS的AI性能。  专为边缘/终端AI设计  RA8P1专为边缘AI应用优化,利用Ethos-U55 NPU卸载CPU在卷积神经网络(CNN)和递归神经网络(RNN)中的计算密集型操作,实现高达256 MAC per/cycle的性能,在500MHz下可达256 GOPS。新款NPU支持大多数常用神经网络,包括DS-CNN、ResNet、Mobilenet TinyYolo等。根据所用神经网络的不同,Ethos-U55相较于单独使用的Cortex-M85处理器,可获得高达35倍的每秒推理次数。  先进技术  RA8P1 MCU采用台积电22ULL(22nm ultra-low leakage,超低漏电)工艺制造,在实现超高性能的同时保持极低的功耗。该工艺还支持在新款MCU中集成嵌入式磁性随机存取存储器(MRAM)。与闪存相比,MRAM具备更快的写入速度、更高的耐久性和更强的数据保持能力。  Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing Marketing Division at Renesas表示:“高性能边缘AIoT应用的需求正呈现爆炸式增长,而RA8P1正是我们为应对这一趋势而推出的MCU产品。它不仅充分彰显了我们在技术和市场领域的深厚积累,更体现了我们与行业伙伴建立的广泛合作生态。瑞萨的客户对在多样化AI场景中部署这款全新MCU表现出了强烈意愿。”  Paul Williamson, Senior Vice President and general manager, IoT Line of Business at Arm表示:“人工智能时代的创新步伐比以往任何时候都快,新的边缘应用对设备端性能和机器学习提出了更高的要求。瑞萨RA8P1 MCU依托Arm计算平台的先进AI功能,能够满足下一代语音和视觉应用的需求,助力扩展智能、情境感知的AI体验。”  Chien-Hsin Lee, Senior Director of Specialty Technology Business Development at TSMC表示:“我们非常高兴看到瑞萨充分利用台积电22ULL嵌入式MRAM技术的性能和可靠性,为其RA8P1带来卓越的成果。随着台积电不断推进嵌入式非易失性存储器(eNVM)技术,我们期待加强与瑞萨长期合作,共同推动未来突破性产品的创新。”  丰富的外设,专为AI设计  瑞萨推出的RA8P1集成专用外设、充足的内存和高阶安全功能,以支持语音和视觉AI以及实时分析应用。对于视觉AI,该设备包含一个16位摄像头接口(CEU),支持高达500万像素的图像传感器,从而实现需要接入摄像头和算力要求苛刻的视觉AI应用。独立的MIPI CSI-2接口提供一个低引脚数接口,具有两个通道:每个通道速率最高可达720Mbps。此外,多个音频接口(包括I2S和PDM)支持麦克风输入,满足语音AI应用需求。  RA8P1集成了片上存储和可扩展的外部存储,以实现高效、低延迟的神经网络处理。该MCU内置2MB SRAM,用于存储中间变量或缓冲区。此外,该产品配备1MB片上MRAM,用于存储应用程序代码、模型权重或图形资源。对于更大规模的模型,可提供高速外部存储器接口。对于更严苛的AI应用需求,这一MCU还提供单封装内含4MB或8MB外部闪存的SIP选型。  全新RUHMI框架  与RA8P1 MCU一同推出的,还有瑞萨RUHMI(瑞萨统一异构模型集成)。作为一款面向MCU与MPU的综合性AI编译器和框架,RUHMI提供高效的AI工具,能够部署多种最新神经网络模型。它支持模型优化、量化、图编译和转换,并生成高效、适用于MCU的源代码。RUHMI原生支持TensorFlow Lite、Pytorch和ONNX等机器学习AI开发框架,还提供部署预训练神经网络所需的工具、API、代码生成器与运行时环境,包括适用于RA8P1的演示用例。此外,RUHMI与瑞萨自有的e2Studio IDE集成,可实现无缝AI开发,此集成将为MCU和MPU提供一个通用的开发平台。  高阶安全功能  RA8P1 MCU为关键应用构建前沿的安全保障。全新的瑞萨安全IP(RSIP-E50D)集成众多加密加速器,包括CHACHA20、Ed25519、最高达521位的NIST ECC曲线、增强型最高达4K的RSA、SHA2和SHA3。与Arm TrustZone协同工作,该IP可实现全面且完全集成的类似安全元件的功能。新款MCU还具备强大的硬件信任根,和通过第一阶段引导加载程序(FSBL)在不可变存储器(ROM)中实现的安全启动功能。支持实时解密(DOTF)的XSPI接口允许将加密的代码程序存储在外部闪存中,并在安全传输到MCU执行时进行实时解密。  即用型解决方案  瑞萨为RA8P1 MCU打造了一系列易用的工具及解决方案,包括灵活软件包(FSP)、评估套件和开发工具,支持FreeRTOS、Azure RTOS,以及Zephyr。瑞萨还提供多个软件示例项目和应用说明,以帮助客户加快产品上市速度。此外,众多合作伙伴解决方案也可支持RA8P1 MCU的开发,其中包括来自Nota.AI的驾驶员监控解决方案,和来自Irida Labs的交通/行人监控解决方案。其它更多解决方案,可查阅RA合作伙伴生态系统解决方案。  RA8P1 MCU的关键特性  - 处理器:1GHz Arm® Cortex®-M85、500MHz Ethos-U55、250MHz Arm Cortex-M33(可选)  - 存储:1MB/512KB片上MRAM、4MB/8MB外部闪存SIP选项、2MB完全受ECC保护的SRAM、每核心32KB I/D缓存  - 图形外设:支持最高WXGA(1280x800)分辨率的图形LCD控制器、并行RGB和MIPI-DSI显示接口、强大的2D绘图引擎、并行16位CEU和MIPI CSI-2摄像头接口、32位外部存储器总线(SDRAM和CSC)接口  - 其它外设:千兆以太网和TSN交换机、带XIP和DOTF的XSPI(八线SPI)、SPI、I2C/I3C、SDHI、USBFS/HS、CAN-FD、PDM和SSI音频接口、带S/H电路的16位ADC、DAC、比较器、温度传感器、定时器  - 安全特性:高阶RSIP-E50D加密引擎、TrustZone、不可变存储器、安全启动、防篡改、DPA/SPA攻击防护、安全调试、安全工厂编程、设备生命周期管理  - 封装:224BGA、289BGA
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发布时间:2025-07-04 10:33 阅读量:530 继续阅读>>
瑞萨电子推出全新超低功耗RA2L2微控<span style='color:red'>制器</span>,支持USB-C Rev. 2.4标准
  全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)今日宣布推出RA2L2微控制器(MCU)产品群,率先在业内支持USB-C Revision 2.4新标准。这款MCU基于48MHz Arm Cortex-M23处理器,拥有丰富的功能特性,使其成为便携式设备和个人电脑(PC)的理想选择。  全新USB Type-C线缆和连接器规范2.4版本可降低电压检测阈值(1.5A电源为0.613V,3.0A电源为1.165V)。RA2L2 MCU是业内首款支持这一新标准的MCU。  RA2L2 MCU采用专有低功耗技术,提供87.5µA/MHz工作电流,仅250nA的软件待机电流。还为低功耗UART提供独立的工作时钟,在接收来自Wi-Fi和/或低功耗蓝牙®模块的数据时可用于唤醒系统。包括对USB-C的支持,这些特性使RA2L2成为USB数据记录仪、充电箱、条码扫描仪等便携式设备的理想解决方案。  新型MCU不仅支持具有CC检测功能和最高15W(5V/3A)的USB-C,以及USB FS外,还可提供LP UART、I3C和CAN接口,帮助设计人员减少所需元件数量,有效降低BOM成本、节省电路板空间并减少功耗。  RA2L2 MCU由瑞萨灵活配置软件包(FSP)提供支持。FSP提供所需的基础架构软件,包括多个RTOS、BSP、外设驱动程序、中间件、连接和网络功能,以及用于构建复杂AI、电机控制和云解决方案的参考软件,从而加快应用开发速度。它允许客户将自己的既有代码和所选的RTOS与FSP集成,为应用开发提供充分的灵活性。借助FSP,可简化现有IP在不同RA产品之间迁移。  Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing Marketing Division at Renesas表示:“RA2L2产品群MCU作为我们首款全面支持全速USB与USB-Type C连接器的产品,通过减少外部元件,可有效控制系统成本保持在较低水平;同时,延续了瑞萨广受欢迎的RA2L1产品的低功耗优势,这些新产品彰显了我们快速响应客户需求、提供高效解决方案的实力与承诺。”  RA2L2 MCU的关键特性  内核:48MHz Arm Cortex-M23  存储:128-64KB闪存、16KB SRAM、4KB数据闪存  外设:USB-C、USB-FS、CAN、低功耗UART、SCI、SPI、I3C、I2S、12位ADC(17通道)、低功耗定时器、实时时钟、高速片上振荡器(HOCO)、温度传感器  封装:32、48和64引脚LQFP;32和48引脚QFN  安全性:唯一ID、TRNG  宽环境温度范围:Ta = -40°C至125°C  工作电压:1.6V-5.5V;USB工作电压:3.0V-3.6V  成功产品组合  将全新RA2L2 MCU与瑞萨产品阵容中的众多可兼容器件相结合,创建了广泛的“成功产品组合”,包括USB数据记录器、配备GNSS(全球导航卫星系统)的电子收费系统、游戏键盘和游戏鼠标等。这些设计方案基于相互兼容的产品,可以无缝地协作工作,具备经技术验证的系统架构,带来优化的低风险设计,从而加快产品上市。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品,推出超过400款“成功产品组合”,使客户能够加速设计过程,更快地将产品推向市场。  瑞萨MCU优势  作为全球卓越的MCU产品供应商,瑞萨电子MCU近年来的平均年出货量超35亿颗,其中约50%用于汽车领域,其余则用于工业、物联网以及数据中心和通信基础设施等领域。瑞萨电子拥有广泛的8位、16位和32位产品组合,所提供的产品具有出色的质量和效率,且性能卓越。同时,作为一家值得信赖的供应商,瑞萨电子拥有数十年的MCU设计经验,并以双源生产模式、业界先进的MCU工艺技术,以及由250多家生态系统合作伙伴组成的庞大体系为后盾。
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发布时间:2025-06-11 11:04 阅读量:800 继续阅读>>
川土微电子CA-IS1204隔离调<span style='color:red'>制器</span>上市!
  川土微电子CA-IS1204隔离调制器上市!  01产品概述  CA-IS1204器件是基于分流电阻的电流检测而优化的高精度隔离式Sigma-Delta(ΣΔ)调制器,支持外部时钟输入,低的失调和增益误差以及相关温漂能够在全工作温度范围内保持测量的精度。  CA-IS1204器件采用二氧化硅(SiO2)作为隔离层,支持符合UL 1577认证的高达5000VRMS的电气隔离。该技术将高低压域分开从而防止低压器件被损坏,同时提供低辐射和高磁场抗扰度。高共模瞬态抗扰度(CMTI)意味着CA-IS1204器件在隔离层之间正确地传递信号,适合要求高压、大功率开关的工业电机控制和驱动应用场合。器件内部输入共模过压和高边电源丢失检测功能有助于故障诊断和系统安全。  CA-IS1204器件通过宽体16脚SOIC封装 ,支持在额定扩展工业温度范围内(–40°C 到125°C)正常工作。  02产品特性  • 差分输入电压范围:±250 mV  • 低失调误差:25°C时±1mV(最大值)  • 低增益误差:±2% (最大值)  • 优异的交流性能:  ▪ 信噪比:85dB(典型值)  ▪ 总谐波失真:-93dB(典型值)  • 高边和低边均支持3.3 V和5 V供电电压  • 高共模瞬态抗扰度:±150 kV/µs(典型值)  • 为系统安全设计的故障诊断功能  • 外部时钟输入便于同步  • 宽工作温度范围:–40°C到125°C  • 封装形式:SOIC16-WB(W)
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发布时间:2025-06-04 13:48 阅读量:419 继续阅读>>
川土微电子推出CA-IS1305X/1306X隔离式Sigma-Delta调<span style='color:red'>制器</span>!
  川土微电子推出CA-IS1305X/1306X 支持外部时钟的5kVRMS隔离式Sigma-Delta调制器!  01产品概述  CA-IS1305X/1306X器件是一系列为基于分流电阻的电流检测而优化的高精度隔离式Sigma-Delta(ΣΔ)调制器。低的失调和增益误差以及相关温漂能够在全工作温度范围内保持测量的精度。  CA-IS1305X/1306X器件采用二氧化硅(SiO2)作为隔离层,支持符合UL 1577 认证的高达5 kVRMS 的电气隔离。该技术将高低压域分开从而防止低压器件被损坏,同时提供低辐射和高磁场抗扰度。高共模瞬态抗扰度(CMTI)意味着CA-IS1305X/1306X器件在隔离层之间正确地传递信号,适合要求高压、大功率开关的工业电机控制和驱动应用场合。器件内部输入共模过压和高边电源丢失检测功能有助于故障诊断和系统安全。  其中,CA-IS1305X 的输出位流采用未编码、CA-IS1306X 的输出位流采用曼彻斯特编码(CA-IS1306EX)或未编码(CA-IS1306MX),然后通过后级的FPGA 或DSP 处理。CA-IS1306EX 版本支持单线的数据和时钟传输,让后级接收器无需考虑时序要求。  02产品特性  • 差分输入电压范围:±250 mV  • 低失调误差:  - CA-IS1305X:25°C 时±150 μV(最大值)  - CA-IS1306X:25°C 时±100 μV(最大值)  • 低增益误差:  - CA-IS1305X:25°C 时±0.3% (最大值)  - CA-IS1306X:25°C 时±0.2% (最大值)  • 优异的温漂性能:  - ±3.5 μV/°C(最大值)失调温漂  - ±40 ppm/°C(最大值)增益误差温漂  • 优异的交流性能:  - 信噪比:85 dB(典型值)  - 总谐波失真:–93 dB(典型值)  • 16 位无失码  • 高共模瞬态抗扰度:±150 kV/μs(典型值)  • 为系统安全设计的故障诊断功能  • 宽工作温度范围:–40°C 到125°C  • 额定工作电压下使用寿命大于40 年  • 封装形式:SOIC16-WB (W)、SOIC8-WB (G)  截至目前,川土微电子隔离运放/ADC系列六款产品均已量产,在不断丰富产品线的同时,川土微电子也持续优化产品性能及产品型号,以满足客户多样化需求。CA-IS1200/1300电流检测隔离放大器、CA-IS1204/1305/1306隔离调制器,不同的增益误差、失调误差、封装形式可供选择,实现pin2pin替代。  隔离运放/ADC系列产品参数对比
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发布时间:2025-05-27 11:32 阅读量:471 继续阅读>>
意法半导体推出创新的、带有可改变存储配置存储器的车规微控<span style='color:red'>制器</span>解决方案,确保满足下一代汽车的未来需求
  ◆ 新推出的Stellar微控制器内置了xMemory技术,它为正在发展的软件定义汽车以及不断进化的电动汽车架构提供了一个更为简单且具有更强可扩展性的计算平台。  ◆ 可改变存储配置让汽车厂商能够不断开发创新应用,包括更多需要大容量内存的人工智能应用。  ◆ xMemory基于意法半导体专有相变存储器(PCM)技术,2025年底投产。  意法半导体(简称ST)推出内置xMemory的Stellar车规级微控制器。xMemory是Stellar系列汽车微控制器内置的新一代可改变存储配置的存储器,可彻底改变开发软件定义汽车(SDV)和升级电动汽车平台的艰难过程。  不同于因需要不同存储容量而使用多个不同芯片从而引发不同芯片相关的开发和测试成本,内置xMemory的Stellar微控制器是当前市场首款可改变存储配置的创新产品,为客户提供了高能效和高性价比的解决方案。采用从一开始就简化的方法,汽车制造商能够使他们的汽车设计更具前瞻性。这种方法不仅在开发周期的后期为创新提供了更大的空间,还有助于降低开发成本,并通过简化供应链流程来加快产品的上市时间。Stellar P6 MCU是首款采用xMemory的Stellar微控制器,主要用于电动汽车的电驱系统新趋势和架构,计划将于2025年底投产。  意法半导体产品部副总裁兼通用和汽车微控制器部门总经理Luca Rodeschini表示:“ST为汽车市场开发出了存储单元很小的终极存储器技术,可满足汽车应用对更大内存的无尽需求。内置xMemory的Stellar将为汽车制造商简化未来汽车架构,优化成本效益,并大大缩短产品开发时间。这种创新解决方案让相同的硬件提供原有的基础设施和功能,并为持续不断的产品创新预留充足的内存空间,让汽车制造商安心地推出数字化和电动化创新技术,保持市场领先地位,延长汽车的生命周期。”  博世副总裁Axel Aue表示:“通过嵌入相变存储器(PCM)技术,Stellar提供了一种稳健、灵活的存储器概念,可用于开发高性能、适应性强的汽车微控制器。相较于其他存储器技术,例如,RRAM和MRAM,PCM技术的应用优势更强。”  Moor Insights&Strategy首席分析师Anshel Sag表示:“通过选择Stellar xMemory这样的可扩展MCU,工程师不必为支持新的软件功能,花费昂贵的成本重新设计硬件。无论是在开发早期还是发布后的OTA更新过程中,随着软件代码量不断增加,同一平台可以现场升级,从而显著缩短了产品上市时间和维护成本。像Stellar这样采用xMemory的解决方案还能简化物流流程,提高物料清单效率。”  工作原理  汽车制造商需要无缝集成软硬件,最大限度地提高软硬件跨平台二次使用率,延长汽车生命周期,并增强数字化功能。随着汽车行业不断推出新功能、新法规和对内存容量需求很大的人工智能和机器学习应用,以及无线(OTA)更新功能,软件变得日益复杂,内存容量成为汽车发展的瓶颈。为解决这一挑战,意法半导体的xMemory存储技术可以在开发阶段或车辆使用过程中扩大内存容量,让汽车应用程序更新升级不再受内存空间的限制。  在软件定义汽车生命周期开始阶段选择正确的MCU,可确保微控制器能够为未来的软件开发提供充足的存储空间。选择存储容量过高的芯片会增加成本,而选择存储容量过低的芯片则可能需要后期寻找存储空间更大的MCU,并重新测试,从而增加了开发复杂性、成本和时间。内置xMemory的Stellar MCUs的价格具有竞争力,可以节省更多成本,简化OEM供应链,并延长产品寿命,最大限度扩大跨项目二次使用率,缩短检测时间,从而加快产品上市。  PCM相变存储器和Stellar技术说明:  ST一直处于汽车MCU从闪存向嵌入式非易失性存储器(eNVM)技术过渡的前沿,推出了首个车规28nm eNVM技术,同时这也是xMemory的核心技术。与RRAM、MRAM、闪存等NVM技术相比,ST的嵌入式相变存储器(ePCM)在能效、性能、面积(PPA)指标上表现更好。  PCM拥有业界最小的eNVM存储单元,18nm和28nm PCM的存储密度是其他技术的两倍。  即将推出的基于Arm®处理器的Stellar P和G两大系列MCU将集成新一代PCM技术。Stellar产品家族是为汽车应用专门设计,可简化车辆电气架构,提高能效、灵活性和安全性。产品组合包括用于中央域控制器、域控制器和车身控制的Stellar Integration MCU(Stellar P和Stellar G系列),它们整合了多个独立通信和控制ECU功能,还有一个针对电动汽车电驱模块电源转换器控制优化的Stellar Electrification MCU(Stellar E系列)。
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发布时间:2025-05-09 13:35 阅读量:509 继续阅读>>
上海贝岭70V 5mΩ SGT MOSFET BLP05N07 赋能新国标电动自行车控<span style='color:red'>制器</span>
  一、 概述  在中国电动两轮车已经成为人们日常生活中必不可少的交通工具。自2019年国标(GB 17761-2018)实施后,48V新国标电动自行车逐渐成为市场主流,目前约占电动两轮车总销量的70%以上。屏蔽栅金属氧化物半导体场效应管(SGT-MOSFET)作为新国标电动自行车控制器的核心器件,其性能决定了控制器的整体效率和长期运行的可靠性和安全性。上海贝岭作为MOSFET市场的主要供应商之一,现推出针对新国标电动自行车控制器的新产品70V 5mΩ SGT MOSFET BLP05N07,该器件针对新国标电动自行车应用特点,结合多年SGT设计、生产经验,优化器件击穿电压和降低开关及导通损耗,助力客户产品安全高效运行。  二、 新国标电动自行车控制器应用解析  48V新国标电动自行车控制器是70V SGT MOSFET的主要应用场景,图1展示了该类驱动器的典型拓扑结构,其核心为6颗MOSFET器件组成的三相全桥逆变电路。该应用场景具有瞬态过载、短路电流大等特点,因此对MOSFET器件的技术要求主要是在短路工况和瞬态大电流工况下的可靠性。图2所示为主流新国标控制器在母线电压54V(即常规48V电池满电状态)下的短路波形,测得短路工况下MOSFET器件漏源极间电压过冲最高可达65.02V。传统电动自行车控制器普遍采用60V 器件,短路电压过冲值已接近60V器件的实际击穿电压,长期运行存在潜在风险。使用贝岭70V 器件可显著提升系统的安全冗余,有效增强整机安全性和可靠性。图1 新国标电动自行车控制器拓扑图图2 短路工况下功率器件漏源极间电压过冲  三、 贝岭SGT技术平台  截至目前,贝岭SGT产品线已经涵盖了40/60/70/80/85/100/135/150/200共9个电压档位,并衍生了上百款各种电流能力及各种封装形式的产品,且均已实现量产供货。出色的设计让贝岭SGT产品比市场主流竞品有显著性能优势,同时依托成熟的特色工艺线,保证了贝岭SGT产品在可靠性、良率、参数稳定性方面也有上佳表现。  四、 BLP05N07产品核心优势  能效领跑——低导通电阻Rds(on)  导通电阻决定了功率MOSFET在导通期间内的损耗,在同等规格、相同封装下,贝岭器件相较于市场主流竞品具有更低的导通电阻Rds(on)。  导通电阻决定了功率MOSFET在导通期间内的损耗,在同等规格、相同封装下,贝岭器件相较于市场主流竞品具有更低的导通电阻Rds(on)。图3 导通电阻Rds(on) 对比  动态性能升级——低栅极电荷  栅电荷可以客观地描述驱动损耗,在同等规格、相同封装下,贝岭器件比市场主流竞品具有更小的栅电荷,可有效降低开关驱动损耗。图4 栅极电荷对比  温控表现卓越——板级温升表现  得益于低导通电阻,在新国标电动自行车控制器400W稳态带载测试中,同等散热条件下,BLP05N07的温升比市场主流竞品低1.5℃,如图5所示。在两倍额定功率800W极限过载测试中,5分钟温升测试结果比市场主流竞品低2.5℃,如图6所示。此外,在相同输出功率条件下,贝岭器件低导通损耗的特点可以提高电动自行车的续航里程。图5 新国标电动自行车控制器400W稳态温升测试图6 新国标电动自行车控制器800W极限过载测试  抗短路能力强劲——8us超长耐受  贝岭BLP05N07的短路耐受能力可以满足新国标电动自行车控制器在48V电池满电压状态下发生短路的可靠性要求。图7为使用BLP05N07的控制器在54V 母线电压下的相间短路波形,器件短路耐受时长超过8us。图7 母线电压54V下相间短路  五、 贝岭功率器件选型方案  上海贝岭功率针对新国标电动自行车、电动轻便摩托车、电动摩托车、电动叉车和轻型低速四轮车控制器应用设计有多条SGT产品线,包含70V、85V、100V、110V、135V和150V等电压等级器件,具体型号参考下表。
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