Littelfuse：确保下一代汽车控制架构中的控<span style='color:red'>制器</span>和动力系统稳健可靠
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Littelfuse：确保下一代汽车控制架构中的控制器和动力系统稳健可靠

　　随着设计人员将更多的安全、便利和连接功能融入到最新的汽车设计中，尤其是在电动汽车 (EV) 中，电子元件的含量正在不断增加作者: James Colby, Littelfuse, Inc.　　电子控制单元 (ECU) 管理着汽车的每项功能，随着功能的增加，其数量也在不断增加。目前，高端汽车可包含多达150个ECU，它们对主控制系统的信息交流和响应至关重要。　　汽车控制架构　　汽车控制架构正从单层设计向多层设计发展，以应对将众多ECU集成到一个反应灵敏、可靠的系统中的复杂性。　　分布式结构：指每个ECU直接与主控制器通信的早期系统;　　域架构：随着车辆变得越来越复杂而出现，引入域控制器来管理特定功能并卸载主控制器的任务;　　分区架构：在这一最新发展中，按物理区域对ECU进行分组，并使用先进的分区控制器 (ZCU) 管理这些区域内的所有功能，从而提高了效率、降低了布线复杂性并增强了可扩展性。　　分区架构具有若干优势：　　缩短车辆响应时间，提高安全性;　　模块化、可扩展的区域添加或修改;　　更快、更高效的以太网通信;　　减少布线，降低复杂性。　　图1: 展示了这些架构的演变过程　　在电动汽车中，分区控制提高了效率和可扩展性。分区分布优化了动力系统的电池管理、能量回收和功率控制。分区控制单元还能监控和调节热条件和传感器数据，以最大限度地提高动力传动系统的性能。由于ZCU已成为车辆运行不可或缺的一部分，因此其可靠性至关重要。ZCU的设计应能承受恶劣的汽车环境，包括过流、过压和静电放电 (ESD) 危险。除ZCU外，牵引电机逆变器和车载电池充电器等其他关键动力总成部件也面临类似的电气危险。下文将提供保护这些电路和提高其可靠性的建议。　　保护分区控制单元　　鉴于分区控制单元的关键作用，它应安全耐用，并能在恶劣条件下可靠运行。图2显示了典型ZCU的电路框图。本文将详细介绍如何保护这些电路免受电气危险，确保车辆的使用寿命和安全运行。图中还列出了保护单个ZCU电路的推荐组件。ZCU需要保护，以防故障影响电源，如电源故障或负载电路故障导致的过流情况。快速响应保险丝或聚合物正温度系数自恢复保险丝都能提供必要的保护。符合AEC-Q200标准的一次性保险丝和自恢复保险丝可以承受汽车环境中的恶劣条件。　　图2: ZCU框图和推荐的保护元件　　电源也会受到高瞬态电压的影响，尤其是在电源中断时，抛负载会产生感应尖峰。瞬态电压抑制 (TVS) 二极管或金属氧化物压敏电阻 (MOV) 可以箝位瞬态电压，保护下游电路。MOV可以处理较高的负载转储能量，但TVS二极管对瞬态电压的响应速度更快，并能箝位到较低的电压。MOV和TVS二极管的型号都通过了AEC认证。确保ZCU中的众多通信和控制接口不会在恶劣的汽车环境中受到损坏，对于车辆的安全运行至关重要。静电放电和瞬态电压是主要的危险能量源。ESD二极管和聚合物ESD抑制器可为通信数据线和控制线提供适当的保护。许多类型的此类元件具有低电容，可将信号失真降至最低。附录介绍了ESD保护解决方案的型号，这些解决方案可确保通过通信和控制端口进行可靠的数据传输，ZCU通过这些端口与其控制区内的功能和分区控制架构中的其他ZCU进行连接。　　保护车载电池充电器　　车载电池充电器 (图3) 将交流线路电压转换为直流电压，为主电池组充电。由于用户要求更快的充电速度，因此越来越需要更高功率的电路，包括三相电源。本例说明的是单相电路。每个电路框图都需要保护元件，其中两个电路框图需要功率元件来优化效率。除了防止电动汽车环境中固有的瞬变，充电器还必须处理交流电源线路风险，如过载和瞬变。设计人员应像保护任何线路供电产品一样保护车载充电器，并保护通信电路以防止数据损坏。尽量减少内部功耗对于缩短电池充电时间也至关重要。　　图3: 车载电池充电器框图和推荐组件　　保护电路可拦截交流线路上的瞬变，如雷击和浪涌。火线保护是使用保险丝提供过载保护。设计人员应考虑使用高额定分断电流和高额定电压的保险丝，以确保保险丝在最恶劣的电流过载情况下也能断开。为防止瞬态浪涌或雷击，设计人员应在充电器输入连接处附近放置一个MOV。MOV将吸收瞬态能量，防止其损坏下级电路块。如果车载充电器使用三相电源，设计人员应考虑添加MOV，以提供差模瞬态保护和共模中性瞬态保护。为了更好地保护下游电路，设计人员可以将双极晶闸管与MOV串联。保护晶闸管的箝位电压很低，而且可以有很高的保持电流。使用保护晶闸管的话，可以允许设计人员选择具有较低箝位电压的MOV。最终效果是降低了下级电路瞬间承受的峰值瞬态电压。气体放电管 (GDT) 是可提供卓越的电路保护的第四个安全元件。它为共模保护提供了高电气隔离，为防止雷电干扰引起的快速瞬变提供了额外的保护。　　剩余电流监控器可检测电源线或高压线与中性线之间的差值，以避免产生危险的交流或直流泄漏电流或绝缘击穿电流。各种型号的剩余电流监控器可检测6mA的直流电流差值和10mA的交流电流差值。 为实现快速、大功率充电，设计人员应为整流器模块选择具有足够电流处理能力的晶闸管，以提供所需的功率。晶闸管还能安全地承受通过保护元件和EMI滤波器级的高浪涌瞬态电流。功率因数校正电路通过降低交流电源线路的总功率来提高充电器的效率。 设计人员可以使用栅极驱动器和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 来控制电路中的电感量。设计人员应选择具有足够工作电压范围的栅极驱动器来控制IGBT。设计人员应选择工作电压范围足够大的栅极驱动器来控制IGBT。设计人员还应考虑选择抗闩锁能力强、上升和下降时间快的栅极驱动器，以便快速切换IGBT。快速上升和下降时间与栅极驱动器的低电源电流相结合，可最大限度地降低该电路模块的功耗。栅极驱动器还需要ESD保护;设计人员应选择具有内置ESD保护功能的栅极驱动器，或添加一个外部ESD二极管。各种版本的ESD二极管可以是双向或单向的，可承受高达30kV的ESD瞬态电压。DC/DC电路提升输出充电电压，并为电池产生充电电流。设计人员还应确保功率IGBT不受瞬态电压的影响。除了外部瞬态保护外，IGBT还会因内部寄生电感的Ldi/dt影响而产生关断开关瞬态。为了消除这种瞬态对IGBT造成的潜在损坏，设计人员应在每个IGBT的集电极和栅极之间放置一个TVS二极管。TVS二极管通过提高栅极电压来降低瞬态电流的di/dt。当集电极-发射极电压超过 TVS二极管的击穿电压时，电流会通过TVS二极管流入栅极，以提高其电位。TVS二极管继续导通，直至瞬态消除。使用TVS二极管作为集电极-栅极反馈元件被称为有源箝位，这种方法可保持IGBT的稳定。有关有源箝位的更多信息，请参阅参考应用说明2。有些IGBT具有内置的有源箝位TVS二极管，设计人员应选择这种IGBT类型或在电路中添加TVS二极管。输出电压级可能需要在电机开关或电缆断开瞬间中断电流时提供电流过载和车内瞬态电压保护。在某些情况下，由于其他模块包含了保护功能，因此此处无需保护。设计人员应考虑使用保险丝来保护因电池组或传输电池电压的电线短路而导致的过流。使用MOV或TVS二极管可防止潜在的破坏性瞬态电压。 充电器的控制单元与ZCU通信。为避免通信电路块受损和数据损坏，设计人员应在输入/输出线路上提供静电放电和瞬态电压保护。保护ZCU CAN总线的同类型ESD二极管也能保护控制单元I/O线路。推荐使用的元件将使充电器能够抵御电气危险。图3中的表格概述了充电器电路的推荐元件。　　保护牵引电机逆变器　　牵引电机逆变器将蓄电池直流电转换为交流电，以驱动牵引电机。该电路块的运行需要安全、高效和可靠的推进力。 图4显示了牵引电机逆变器的电路模块，表中列出了推荐的保护、控制和传感元件。　　图4: 牵引电机逆变器框图和推荐组件　　与ZCU电路中的电源一样，牵引逆变器电路中的电源也需要过流和瞬态电压保护。保险丝和TVS二极管可提供必要的保护。CAN收发器需要一个ESD二极管阵列来防止ESD放电冲击。为ZCU中的CAN/CAN FD电路推荐的TVS二极管阵列同样可以保护该电路。栅极驱动器电路控制功率晶体管。栅极驱动器集成电路控制IGBT和SiC MOSFET等功率晶体管的开关，以最大限度地减少功率损耗和提高效率。保护栅极驱动器集成电路需要使用ESD二极管阵列来安全吸收ESD撞击。逆变器模块为推进电机提供动力驱动。为确保逆变器可靠运行，需要对功率晶体管进行过流、电压瞬变和热保护。为防止功率晶体管在危险的高温下工作，需要使用热保护器等装置，中断功率晶体管电路的供电电流。使用碳化硅MOSFET时，MOSFET栅极和源极之间的TVS二极管可保护MOSFET免受瞬态电压的影响。对于IGBT，集电极和栅极之间的TVS二极管可防止集电极电压瞬态上升对IGBT造成损坏。TVS二极管将集电极-栅极电压箝位到IGBT的安全水平。这种方法是保护车载电池充电器电路中IGBT的有源箝位技术。监测电机负载电流可显示电机的健康状况。监测电流的常用方法是使用霍尔效应技术的电流传感器，该技术利用磁性检测来感应负载电流。负载电流线穿过霍尔效应传感器的开孔或其下方，可对电机电流进行隔离监控，而不会增加电路的功率损耗。这些元件将确保牵引电机逆变器电路的保护、传感和有效控制。图4中的表格提供了元件建议。　　实现可靠的ZCU和动力总成电路的可用资源　　随着汽车控制架构向分区控制过渡，ZCU、车载充电器和牵引电机逆变器的可靠运行对于实现分区设计的安全和效率优势至关重要。推荐使用的过流、过压和温度保护元件可确保在恶劣的汽车环境中保持稳定的性能。与Littelfuse这样的电路保护专家合作，可帮助设计人员节省开发时间和成本。Littelfuse的应用工程师会就高性价比、高效的保护、控制和传感元件提出建议，同时协助符合汽车标准。这种支持包括合规前测试，以简化认证流程，避免标准组织的延误。凭借Littelfuse的专业技术，设计人员可以自信地设计出可靠、强大的汽车电子产品。
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发布时间：2026-03-04 17:16 阅读量：192 继续阅读>>
意法半导体发布首款集成AI加速器的汽车微控<span style='color:red'>制器</span>，赋能边缘智能
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意法半导体发布首款集成AI加速器的汽车微控制器，赋能边缘智能

　　2月12日，意法半导体(ST)发布了Stellar P3E，这是首款集成AI加速器、专为汽车边缘智能设计的汽车微控制器(MCU)。Stellar P3E面向未来软件定义汽车开发，可简化“X合一”电控单元(ECU)的多功能集成，从而降低系统成本、重量和复杂度。　　意法半导体通用和汽车微控制器事业部副总裁兼总经理Luca Rodeschini表示：“Stellar P3E将高性能实时控制与边缘AI技术集成于单一芯片，并满足最高汽车安全等级，为汽车电气化树立了新标杆。其增强的处理能力、AI加速、大容量可扩展存储器、丰富模拟功能、智能传感能力和智能电源管理功能支持虚拟传感器等创新应用，助力汽车制造商打造更安全、更高效、响应更迅速的驾乘体验。”　　章鱼博士智能技术(上海)有限公司总经理张建彪表示：“凭借相变存储器闪存技术和边缘AI神经网络加速器(Neural-ART)等先进特性，Stellar P3E是一款卓越的产品，完美契合新能源汽车应用日益增长的需求。”　　Stellar P3E的标志性特性是集成ST Neural-ART加速器™，实现实时AI效率——使其成为汽车行业首款嵌入神经网络加速器的MCU。该专用神经网络处理单元采用面向AI工作负载的先进数据流架构，结合丰富的传感能力，可实现智能传感，为虚拟传感器等新应用开辟道路。　　这使得P3E能够以微秒级速度完成推理处理，效率较传统MCU核心处理器提升高达30倍。Stellar P3E支持始终在线、低功耗的人工智能(AI)，可实现预测性维护和智能传感等实时功能，为广泛应用带来显著优势。例如，这些能力可提升电动汽车的充电速度与效率，并支持在工厂或现场快速部署新功能。原始设备制造商(OEM)可通过不同AI模型引入新功能和更直观的行为，减少额外传感器、模块、布线和集成工作。　　Counterpoint Research副总监Greg Basich表示：“将神经处理从集中式枢纽转移至车辆边缘，可实现亚毫秒级决策，这对下一代车载智能至关重要。在MCU层面集成AI硬件加速，使OEM能够提供预测性维护车辆性能和虚拟传感器智能传感等先进功能，实现极低延迟的传感、驱动控制及其他复杂特性，同时避免全规格SoC的成本和热管理负担。”　　随着汽车行业向软件定义汽车(SDV)转型，Stellar P3E集成的xMemory(基于意法半导体的相变存储技术)提供了必要的可扩展性与灵活性。该可扩展存储解决方案的密度是传统嵌入式闪存的二倍，且符合汽车环境认证，可动态扩展软件存储空间以适配新功能和更新，无需任何硬件重新设计。　　P3E在ST Edge AI Suite中获得全面支持，这是一个面向数据科学家和嵌入式工程师、覆盖从数据集创建到设备部署全流程的完整边缘人工智能生态系统。作为该套件的一部分，NanoEdge AI Studio工具现已支持全系Stellar MCU产品。此外，Stellar P3E已集成至Stellar Studio——意法半导体为汽车工程师量身打造的一体化开发环境中。这些工具共同构建了稳健的硬件与软件生态，旨在优化复杂边缘人工智能解决方案在严苛汽车环境中的部署流程。　　预计Stellar P3E将于2026年第四季度投入量产。　　技术亮点：　　500 MHz Arm® Cortex®-R52+内核，其CoreMark评分在同类型产品中位居榜首——超过8,000分　　分核-锁步架构使设计人员能够优化功能安全与峰值性能的平衡　　开放的Arm架构，依托庞大的全球开发者社区加速创新　　丰富的I/O和模拟功能支持多样化应用，包括提升车辆动态性能的先进电机控制
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发布时间：2026-02-12 15:19 阅读量：430 继续阅读>>
Geehy极海半导体荣获“2025年度微控<span style='color:red'>制器</span>技术创新奖”！
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Geehy极海半导体荣获“2025年度微控制器技术创新奖”！

　　在2025年全球电子产业面临AI落地、低碳转型与供应链重塑的多重浪潮下，行业迎来深刻的变革与机遇。作为电子行业的年度盛事，21ic电子网“2025年度电子产业卓越评选” 榜单正式揭晓。该评选旨在表彰半导体行业中，持续推动技术边界、赋能工程师创新的标杆企业。　　卓越实力表现荣获行业专业认可　　极海半导体作为拥有20余年集成电路行业经验的国产芯片设计企业，凭借在技术创新深度、行业应用广度及市场关注度上的卓越表现，荣获 “微控制器 (MCU) 技术创新奖”。　　四大微控制器产品矩阵全面赋能行业创新　　面向多元化市场需求，极海构建有完善且极具竞争力的微控制器产品矩阵，聚焦工业专用MCU、电机控制MCU、工业通用MCU、汽车通用MCU，致力于以丰富的产品组合以及差异化创新，精准匹配市场需求，赋能各行业应用升级。　　G32R系列工业专用MCU垂直细分赛道专家　　面向中高端细分行业的实时性需求痛点，极海推出了G32R501实时控制DSP/MCU，搭载Cortex-M52双核架构，工作主频250MHz，内置HeliumTM边缘AI加速单元和极海自研紫电数学指令扩展单元，具备高效运算性能、灵敏信号感测、实时精准控制等特性，可广泛应用于机器人、边缘AI、新能源光伏、工业自动化、商业电源、新能源汽车等领域。　　针对高精度运动控制与位置反馈场景，极海最新推出G32R430高精度编码器专用MCU，搭载Cortex-M52内核，工作主频128MHz，集成自研ATAN电角度计算扩展指令，配备16位高精度ADC等资源，有助于增强伺服系统位置反馈实时性、提升编码器精度，适用于工业伺服系统、具身智能机器人、智能自动化设备、以及高精度传感器等领域。　　APM32/G32M系列电机控制MCU高效驱动的核芯引擎　　极海APM32/G32M系列高集成、高性能、高能效电机控制MCU，以单芯片方案赋能电机系统设计，产品搭载Cortex-M0+内核，工作主频64/72MHz，内置专用硬件加速器与自研电机控制算法，能为电机高效、平稳与安全运行提供可靠支撑，可广泛应用于智能家电、电动工具、园林工具、水泵、风机、无人机以及电动两轮车等场景。　　APM32系列工业通用MCU稳定可靠的技术基石　　极海APM32系列工业通用MCU，覆盖Cortex-M0+/M3/M4F内核，工作主频48MHz~240MHz，集高性能、低功耗、稳定可靠、快速移植等特性于一体，符合IEC 61508/60730功能安全产品认证标准，并已在工业控制、智慧能源、高端消费电子、智能家居、以及通信设施等领域得到广泛应用。　　APM32A/G32A汽车通用MCU智慧安全出行守护者　　极海APM32A/G32A系列汽车通用MCU，覆盖Cortex-M0+/M3/M4F/M52内核，工作主频48MHz~250MHz，具备高效CPU处理性能、增强型存储空间，以及丰富连接功能，已通过AEC-Q100和ISO 26262 ASIL-B车规认证，符合车用芯片高性能、高可靠、宽温幅等要求，可广泛应用于车身控制、安全系统、信息娱乐系统、动力系统等汽车细分场景。　　总结　　极海致力于以自主创新的芯片设计能力与贴近场景的解决方案能力，持续为工业控制、智能家居、新能源、汽车电子、机器人、低空经济等领域提供多元化、场景化的微控制器产品及系统解决方案，并携手合作伙伴共同推动电子产业的高质量发展，为千行百业数字化、智能化转型注入核芯动力!
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发布时间：2026-02-12 15:08 阅读量：436 继续阅读>>
维安理想二极管控<span style='color:red'>制器</span>：电源系统的“保护+能效优化引擎”
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维安理想二极管控制器：电源系统的“保护+能效优化引擎”

　　在全球数字化与能源效率转型的双重驱动下，电源管理系统正经历一场深刻的变革。传统二极管因其固有的高损耗、响应慢、散热差等问题，已成为制约现代电子系统实现更高效、更紧凑、更可靠目标的瓶颈。　　理想二极管控制器，作为模拟“理想二极管”特性的集成电路，通过驱动外部MOSFET实现了近乎零损耗的单向导通与极速反向阻断，正迅速成为从汽车电子到数据中心等关键领域的“电源守护神”。　　理想二极管控制器市场正处在稳健增长的黄金期。QYResearch数据显示，其全球市场规模将从2024年的2.32亿美元增长至2031年的3.14亿美元，期间年复合增长率约为4.5%。中国作为全球电子制造和创新的核心，将在这一增长中扮演至关重要的角色。　　维安推出的工业和车规级理想二极管控制器 WP74XX 系列产品，可应用于汽车信息娱乐系统(数字仪表盘和主机)、汽车ADAS 系统、冗余电源设计、企业电源、光伏储能及工业自动化。　　“核心增长驱动力　　WAYON 理想二极管控制器　　1.能效革命　　能效革命：全球“碳中和”目标: 中国“双碳”、欧盟“绿色协议”等政策，迫使相关行业在寻求最高效的电源方案以降低能耗。理想二极管控制器可将正向导通压降低至20mV 甚至更低，相较于传统二极管0.3或0.7V的压降，在10A电流下可减少高达97%的功率损耗(从7W降至约0.2W)，直接转化为显著的能源节约和更简单的热管理设计。　　2.系统可靠性升级　　在电信、数据中心、自动驾驶等关键领域，系统宕机代价高昂。理想二极管控制器是实现电源冗余(ORing)和负载无缝切换的核心，确保在主电源故障时，备用电源能在微秒级内无扰动介入，极大提升系统可靠性。　　3.汽车电动化与智能化　　汽车电气架构日益复杂(12V/24V/48V多电压并存)，且对ADAS、信息娱乐等系统的电源纯净度和可靠性要求严苛。理想二极管控制器提供了宽电压范围(如3.2V-65V)、车规级可靠性(AEC-Q100)及快速瞬态响应(应对ISO 7637脉冲)，是解决汽车电源保护痛点的关键技术。　　“核心技术优势与客户价值　　WAYON 理想二极管控制器　　能效价值凸显　　01　　在大功率场景下(如新能源汽车、工业/服务器电源), 以一个输出12V/10A的电路系统为例。传统二极管正向压降导致3%-8%的功率损耗，10A电流下，每小时损耗7-12W;若用于100kW工业电源，年损耗电费可达8-15万元，数据中心是“电老虎”，任何一点效率提升都意义重大，理想二极管控制器在服务器电源模块、总线背板供电的ORing应用中，能直接降低损耗，实现更低的PUE(电源使用效率)，此累积节能效果将极为可观。　　可靠性倍增　　02　　除了ORing冗余，在电池防反接/防倒灌应用中，它能有效防止因电池安装错误或负载电容放电导致的系统损坏。其快速的瞬态响应能力，能够抵御汽车ISO7637标准中定义的电压浪涌脉冲，保护昂贵的车载传感器。　　简化系统设计　　03　　低损耗意味着更少的发热，允许使用更小的散热器甚至无需散热，缩小系统体积，降低总成本。同时，集成多种保护功能(过压、过流、过温)也减少了外围电路复杂度。　　“细分市场与应用前景　　WAYON 理想二极管控制器　　理想二极管控制器的应用几乎已渗透到所有需要高效、可靠电源管理的领域。
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发布时间：2026-01-12 13:22 阅读量：675 继续阅读>>
核芯互联ProtonL6：重新定义精密模拟与高性能计算的微控<span style='color:red'>制器</span>！
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核芯互联ProtonL6：重新定义精密模拟与高性能计算的微控制器！

　　在追求极致性能与集成度的时代，核芯互推出 ProtonL6 精密模拟微控制器。它不仅搭载了强大的国产自主可控RISC-V处理器内核，更集成了业界领先的多通道、高精度模拟外设，是您在光网络等高要求应用中的理想选择!　　　核心优势概览　　ProtonL6 是一款完全集成的单封装器件，完美融合了 高性能模拟 和 强大数字处理能力。　　精密模拟——您的传感器数据处理专家　　ProtonL6 的模拟功能是其最大的亮点，专为需要高精度、高速度数据采集与控制的应用设计。　　1. 极速高精度 ADC　　内置的 12位、2MSPS 模数转换器 (ADC) 能够快速准确地采集模拟数据。　　· 多达16个外部输入通道，支持灵活配置为 单端模式 或 全差分模式。　　· ADC 输入电压范围为 0V至VREF。　　· 除了外部引脚，ADC还能测量 芯片温度 和 电源电压。　　2. 全功能 DAC 输出　　ProtonL6 提供两种类型的数模转换器，可满足不同的信号生成和驱动需求：　　· 电压输出 DAC (VDAC) ：提供多达 8个 12位电压输出通道，输出范围为 0V至2.5V。　　· 电流输出 DAC (IDAC) ：提供 4个 12位电流输出通道，输出电流可编程设置在 0mA至150mA 范围内，适用于驱动激光器等。　　3. 集成电压比较器与参考电压　　芯片内建 电压比较器 和低漂移 带隙基准电压源，进一步完善了模拟输入外设的设置。　　高性能数字——智能控制的基石　　数字部分以强大的计算能力和丰富的外设，确保了复杂控制算法的实时运行。　　1. 国产自主可控RISC-V内核　　采用 32位 RISC-V 架构 的处理器，峰值性能高达 1.2 DMIPS/MHz，并集成了浮点单元 (FPU)，实现强大的自主计算能力，适合进行复杂的数字信号处理和控制运算。　　2. 存储与可靠性　　· Flash 存储器：1024kB，用于存储程序代码，支持执行程序。具有极高的可靠性，耐久性达 100,000周期，数据保持时间长达 20年。　　· SRAM：配备 64kB 指令 SRAM 和 32kB 数据 SRAM，均具有 ECC(错误校验码)功能，确保数据和指令的可靠性。　　3. 丰富的通信与定时器　　ProtonL6 集成了多种工业级通信接口和定时器：　　· 通信接口：4个UART、3个 、2个SPI、2个CAN。　　· MDIO 接口：MDIO 从机频率高达 10MHz，用于简化网络通信应用。　　· 定时器：7个通用定时器、唤醒定时器、看门狗定时器。　　· PWM：32位脉冲宽度调制器 (PWM)，提供 6个输出通道。　　4. 增强的系统可靠性　　即使芯片发生复位，也可以配置 ProtonL6使其 数字和模拟输出保持不变，确保产品功能不受影响。此外，所有 GPIO 都支持 外部中断 和 唤醒功能。　　供电与封装　　ProtonL6 具有灵活的工作模式，适用于 低功耗应用。　　· 电源电压范围：2.9V 至 3.6V (IDAC 为 1.8 V 至 2.5 V)。　　· 封装：采用小巧的 6mm x 6mm、96引脚 CSP_BGA 封装。　　· 工作温度范围：额定工作温度为 -40℃至+85℃。　　典型应用场景：光网络　　凭借其高精度的模拟输出(特别是强大的 IDAC)和高性能数字控制能力，ProtonL6 是 光网络 应用中的理想选择，能够实现对光模块的精确驱动和高速控制。
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发布时间：2026-01-04 16:59 阅读量：488 继续阅读>>
极海 & Vector | Vector MICROSAR Classic OS成功适配极海G32A14xx系列汽车通用微控<span style='color:red'>制器</span>
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极海 & Vector | Vector MICROSAR Classic OS成功适配极海G32A14xx系列汽车通用微控制器

　　近日，国际著名汽车软件系统服务商Vector基于AUTOSAR标准的软件开发平台MICROSAR Classic OS已成功适配极海量产的G32A14xx系列汽车通用微控制器，全面支持深度定制和移植，助力智能汽车电控供应商稳定、高效、符合行业标准地实现系统开发。　　Vector MICROSAR Classic OS支持适配极海G32A14xx系列汽车通用微控制器意味着：　　降低开发门槛与风险：通过MICROSAR工具链进行配置，大幅缩短开发周期;　　确保符合AUTOSAR标准：适配保证应用软件可以与硬件解耦，提高可复用性和可移植性;　　满足功能安全要求：符合ISO 26262功能安全标准，助力客户构建满足ASIL-B/D要求的系统;　　提供长期支持与维护：提供长期技术支持、bug修复和更新，这对于汽车产品长达10-15年的生命周期至关重要。　　极海G32A14xx系列汽车通用微控制器基于Arm® Cortex®-M4F内核设计，相继通过了AEC-Q100 Grade1车规可靠性认证和ISO 26262 ASIL-B功能安全产品认证，并先后与50+Tier1厂商完成模组开发和测试，实现了规模量产。该系列产品可移植性强，且在产品定义、迭代升级和应用验证方面充分协同，目前已成功应用于BCM、BMU、充电桩、座椅控制器、T-box、OBC车载充电机、HVAC暖通空调系统等汽车细分应用。　　极海自主研发的G32A14xx AUTOSAR MCAL软件包，主要包括AUTOSAR 定义的标准模块和CDD拓展的非标准模块，均严格遵守AUTOSAR CP V4.3.1 MCAL SWS、SRS规范以及BSW General要求进行开发设计。所交付的软件均通过业界主流第三方工具平台的单元测试、集成测试、静态代码分析、动态代码配置功能验证，在代码质量和规范上皆具有较高的保障和交付标准;提供的示例代码，在软件安全性、集成性、可移植性、便捷性等方面均可满足国内外客户需求。
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发布时间：2025-12-29 14:43 阅读量：554 继续阅读>>
上海贝岭650V FBL系列IGBT 赋能伺服控<span style='color:red'>制器</span>
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上海贝岭650V FBL系列IGBT 赋能伺服控制器

　　一、概述　　中国产业升级持续提速，制造业智能化、自动化迈入新阶段，市场对高精度电机控制器的需求日益迫切。伺服控制器作为精准控制与自动化生产的核心部件，其市场规模正随产业升级浪潮持续扩大。在机器人等热门领域，高性能伺服控制器是实现设备精准动作、复杂任务执行的关键支撑。功率器件作为伺服控制器的核心组成，直接决定产品的功率输出、控制精度与运行可靠性。依托多年设计与生产积淀，上海贝岭针对性优化产品参数，面向高性能伺服控制器场景推出 650V FBL 系列 IGBT 产品。该系列产品电流等级覆盖 8A-30A，可充分匹配伺服控制器的核心性能需求。　　二、伺服控制器应用拓扑　　伺服控制器的控制核心基于闭环反馈控制，微处理器(MCU)通过实时对比上位机给出的指令信号和电流、位置传感器反馈的电流、位置信号，动态调节输出功率，使得电机能够精准执行位置、速度或力矩指令。由隔离驱动器驱动和六颗绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)组成的三相逆变桥是精准控制的核心。图1 伺服控制器拓扑图　　三、贝岭IGBT技术平台　　650V FBL系列产品基于贝岭G2 Trench FS IGBT工艺平台，对标市场主流的4代产品工艺，采用微沟槽工艺，正面结构采用精心设计的“Gate沟槽+dummy沟槽” 比例，背面采用优化的H FS工艺，使得产品在导通压降Vce(sat) 与开关损耗Esw之间取得良好折衷，以及优秀的短路能力;终端采用优化的“FLR+场板技术”，可实现175℃的最高工作结温，并且可以通过HV-H3TRB的加严可靠性测试。　　四、650V FBL系列产品核心优势　　能效领跑——低饱和压降Vce(sat)和低正向压降VF　　在伺服控制器应用中，典型开关频率范围为8-16kHz，IGBT和与其并联的快恢复二极管(Fast Recovery Diode, FRD)的导通损耗Econ占器件总体损耗的比例较高。IGBT的导通压降Vce(sat)和FRD的正向压降VF是影响导通损耗Econ的关键参数。图2和图3分别展示了在节温25℃和125℃时，贝岭 FBL系列产品和市场主流IGBT系列产品导通压降Vce(sat)典型值的对比;图4和图5分别展示了在节温25℃和125℃时，FRD正向压降VF典型值的对比。在常温，高温下，贝岭 FBL系列产品的IGBT饱和压降和FRD正向压降均优于竞品，可直接减少伺服控制器导通损耗，不仅能降低设备运行时的能耗成本，还能减轻散热模块负担，缩小设备体积，延长整机寿命，提高系统可靠性。图2 25℃时IGBT饱和压降Vce(sat)典型值对比图3 125℃时IGBT饱和压降Vce(sat)典型值对比　　*数据测试条件为相同封装，栅-发射极电压Vge为15V，测试电流Ic为各产品标称电流值图4 25℃时 FRD正向压降VF典型值对比图5 125℃时 FRD正向压降VF典型值对比　　*数据测试条件为相同封装，测试电流IF为各产品标称电流值　　动态性能升级——低开关损耗Esw　　IGBT作为开关器件，其在应用中的开关损耗也不容忽视，图6 展示了在节温25℃时，贝岭FBL系列产品与竞品的开关损耗对比。在器件开通时刻电压压摆率相同的条件下，贝岭 FBL系列产品的开关损耗与竞品接近，其中10A 和30A 产品更具优势，可更好地适配伺服控制器高频开关需求，使得电机启停、转速调节响应更快，设备执行精准动作时更流畅，减少控制偏差。图6 25℃时 IGBT开关损耗对比　　*数据测试条件为相同封装，栅-发射极电压Vge为15V/0V，测试电流Ic为各产品标称电流值，相同开通电压压摆率　　抗短路能力强劲——超长耐受　　贝岭650V FBL系列IGBT产品针对伺服控制器应用，着重优化器件的短路耐受能力，器件可在高栅极驱动电压(18V)和高节温(175℃)的双高条件下，依旧维持较长的短路时长，保障伺服控制器的安全运行。图7展示了BLG30T65FBL在420V 母线电压下(栅极驱动电压18V、节温175℃)，器件短路耐受波形。即便在高温、高电压的恶劣工况下，也能避免器件因短路损坏，减少伺服控制器突发停机，降低产线运维成本。图7 BLG30T65FBL高温、高栅压下短路耐受波形　　五、贝岭功率器件选型方案　　上海贝岭针对伺服控制器、通用变频器、工业缝纫机、跑步机、通用风机、园林工具等应用设计有多条650V IGBT产品线，涵盖电流等级8A-80A器件，欢迎垂询!具体型号参考表1。在高压伺服驱动器中，除了核心的功率器件，高效可靠的电源管理和信号处理芯片同样是确保系统稳定、可靠运行的关键，上海贝岭可提供电机控制相关的完整配套解决方案，具体型号参考表2。表1 功率器件选型列表表2 贝岭电机控制系统选型列表
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发布时间：2025-12-02 11:36 阅读量：609 继续阅读>>
兆易创新GD32G5系列荣膺2025全球电子成就奖“年度微控<span style='color:red'>制器</span>/接口产品”奖，印证高性能MCU硬核实力
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兆易创新GD32G5系列荣膺2025全球电子成就奖“年度微控制器/接口产品”奖，印证高性能MCU硬核实力

　　11月25日，在全球电子成就奖颁奖典礼上，兆易创新(GigaDevice)旗下高性能微控制器GD32G5系列MCU凭借出色的性能和市场表现，荣获“年度微控制器/接口产品”奖，这一殊荣充分印证了兆易创新在高端微控制器领域的技术实力和市场优势地位。　　全球电子成就奖(World Electronics Achievement Awards)旨在评选并表彰对推动全球电子产业创新做出杰出贡献的企业和管理者。该奖项以影响力和权威性著称，是电子产业创新领域的标杆性评选，凭借专业性和公信力，已成为衡量企业技术实力与商业价值的重要标尺。　　此次获奖的GD32G5系列MCU采用Arm® Cortex®-M33内核，主频高达216MHz，配备高级DSP硬件加速器、单精度浮点单元(FPU)等单元，可显著优化复杂计算任务的执行效率。其完善的安全机制、大容量存储资源、丰富的模拟外设和通用接口，为需要强劲算力、高可靠性及专业硬件加速的市场应用提供了理想的解决方案。　　凭借强劲的算力和多种安全机制，GD32G5系列MCU为数字电源、人形机器人、充电桩、储能逆变、伺服驱动及光通信等领域提供了专业而灵活的硬件基础，尤其是电机驱动与电源应用等场景，能够为客户带来高效、稳定且安全的使用体验。同时，其丰富的开发工具与全面生态支持，能显著缩短用户研发周期，为产品快速上市保驾护航。　　当前，工业正在向数字化、智能化与互联化转型，驱动其持续变革发展。在本次颁奖典礼中，GD32G5系列MCU荣膺“年度微控制器/接口产品”奖，充分彰显了兆易创新的技术实力。展望未来，兆易创新将持续完善GD32产品生态，携手产业链伙伴深化合作，共同赋能工业应用创新升级。
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发布时间：2025-11-26 10:14 阅读量：692 继续阅读>>
帝奥微推出超小体积3A TEC控<span style='color:red'>制器</span>DIO8835
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帝奥微推出超小体积3A TEC控制器DIO8835

　　随着AI算力的不断提升，数据中心对激光器发射功率的要求也在持续增长。然而，高温环境下激光器功率衰减一直是光模块传输的痛点。为维持激光器的稳定输出功率，所需的TEC(热电制冷器)电流也随功率增大而增加。传统1.5A TEC控制器因效率问题，逐渐难以满足超高速光模块的应用需求。　　针对这一应用痛点，继1.5A TEC控制器DIO8833推出后，帝奥微重磅推出国内首款最小体积3A TEC控制器DIO8835!　　DIO8835主要参数：超小封装：WLCSP 2.47mm*2.47mm, 面积仅6mm²左右，小于同规格竞品面积500%!　　电流能力：3A　　相比较DIO8833增加硬件PID的控制方式(温度可以自稳定)也支持软件PID的算法　　在超过1A负载电流(Rload=2Ω)下，效率>90%　　三段式缓起满足光模块Inrush电流需求　　过温和打嗝保护　　全温下REF精度在1%以内，可以给板上例如热敏电阻或者ADC等提供参考　　支持TEC过压和过流保护　　工作电压范围：2.7V~5.5V　　工作温度范围：-40℃~125℃　　图1 DIO8835硬件PID配置　　图2 Vin = 3.3V下不同负载效率曲线　　图3 Vin=3.3V下，0~满电流的平滑输出电压波形　　作为国内领先的模拟芯片供应商，帝奥微在AI数据通信产品领域持续深耕、加速布局。公司依托核心技术优势，从AI端侧的手机、笔电等消费电子产品，到AI云侧的服务器与光模块数据中心，再到车载领域的智能汽车高速互联场景，均构建了针对性的系统级解决方案。
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发布时间：2025-11-11 10:09 阅读量：670 继续阅读>>
荣湃：理想二极管控<span style='color:red'>制器</span>—电源端口应用的多边形战士
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荣湃：理想二极管控制器—电源端口应用的多边形战士

　　什么是理想二极管控制器?　　理想二极管控制器可驱动外部 N 沟道 MOSFET 来仿真具有超低正向压降和可忽略不计反向电流的理想二极管。理想二极管控制器可根据栅极控制机制分为两类：线性调节控制和迟滞开/关控制。　　线性调节控制会根据负载电流来控制栅极电压，有助于快速反向电流阻断;　　在迟滞开/关控制中，当超过正向导通比较器阈值时，MOSFET完全导通。　　图1中的典型应用原理图显示了用于驱动外部 N 沟道 MOSFET 的理想二极管控制器Pai8150C。MOSFET的源极与输入端相连，电荷泵电容器连接在阳极和 VCAP 之间，可提供足够的栅极驱动电压来导通 MOSFET，EN引脚控制芯片开关。图1. 理想二极管控制器 - 典型应用原理图　　理想二极管应用介绍　　理想二极管控制器典型应用有三种：背靠背FET架构，电池反向保护以及电源路径管理及冗余(ORing)。　　1 背靠背FET架构　　理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而仿真具有电源路径开/关控制、浪涌电流限制的理想二极管整流器。电动汽车12V辅助电池由DC/DC变换器的12V输出电压供电。图2为荣湃半导体理想二极管控制器Pai8151B的应用案例。为实现DC/DC输出的12V与12V电池之间的受控连接与断开，需采用基于理想二极管控制器的背靠背MOSFET方案。当使能信号EN为低电平时：MOSFET Q1和Q2导通，DC/DC变换器输出的12V为12V辅助电池充电。当12V辅助电池充满电后： 使能号 EN 置为高电平，MOSFET Q1 和 Q2 关断，从而切断DC/DC变换器12V输出与12V辅助电池之间的电气通路。图2. 负载切换与浪涌电流控制应用图　　在电动汽车启动阶段，为了减缓高压电池连接设备输入电容的电流冲击，系统利用12V低压蓄电池实现对此输入电容的预充电。因此要求能量能从12V电池向高压测传输，理想二极管控制器需避免进入反向截止模式。如图3所示，此时需将控制器的Cathode引脚悬空设计以支持能量双向传输。图3. 能量双向传输应用图　　在电路启动初期，电容C1的初始电压较低，导致背靠背MOSFET导通瞬间可能引发过大浪涌电流。为抑制此现象，需采用软启动(soft start)机制：通过在理想二极管控制器的GATE引脚接入大容量电容C2与电阻R1构成的RC网络，利用Gate输出电流 Ig 对C2充电，使Gate电压 Vgate缓慢上升，从而逐步增大MOSFET导通程度，实现浪涌电流的平滑控制。　　由于 MOSFET Q1 源极电压为 Vsource = Vgate-Vth，其中 Vth 为常数(MOSFET 阈值电压)。可得：　　因此可以通过控制 C2 的充电速率来间接限制电容 C1 充电的浪涌电流。 例：车载 DCDC 变换器输出电容 C1=1mF，C2=10nF，R1=10kΩ，芯片 Gate 端输出电流 Ig 为 20uA。由公式可得：　　2 电池反向保护　　电池反向保护包含反极性保护(RPP/RHP)和反向电流阻断(RCB)两方面。反极性保护在电池意外反接或断开感性负载产生瞬态负压时，防止负载损坏。反向电流阻断则阻止电流从负载(特别是子系统中的大容量保持电容)倒流回电池，确保该电容能在电源中断或动态反向条件下持续为子系统(如汽车电子)供电，维持关键操作。理想二极管控制器配合外部N沟道MOSFET可高效实现这两种保护，尤其适用于需要同时防止输入反接和阻断反向电流的应用，例如为直流变换器或稳压器后跟处理器的应用。如图4为荣湃半导体理想二极管控制器Pai8150C电池反接应用方案。图 4. 理想二极管控制器电池反接应用原理图　　在应用中CAP电容的取值与MOSFET输入电容Ciss有关，CAP应大于10*Ciss(MOSFET)，推荐 CAP电容不小于100nF。器件 MOSFET 的选型也有一定的要求，为保证正常工作时芯片处于 Regulatton 状态，需满足20mV　　3 电池路径管理及冗余(ORing)　　冗余电路使用多个电源单元为负载提供所需的电源。它们有助于提高系统的可靠性和可用性， 并在其中一个电源单元发生故障时确保系统安全。在汽车系统中，冗余电源对于自动驾驶等安全关键型应用尤为重要， 因为在这类应用中，断电可能会导致严重的后果。ORing 电路有助于系统根据最高输入电压从多个输入中选择最佳可用电源。理想二极管充当开关，在输入电压高于输出电压时导通，并在输入电压低于输出电压时关断。这样，ORing 电路可确保具有最高电压的输入源连接到输出端，并防止出现反向电流。如果两个输入电源几乎相等，则可以由两个电源同时为负载供电，而两个电源之间没有环流。因此，反向电流阻断是实现 ORing 电路所需的主要特性。图5为荣湃理想二极管控制器Pai8150C双路ORing解决方案。图 5. 典型 ORing 应用　　理想二极管在车载O　　BC+DC/DC的应用　　新能源汽车中，降压型DC/DC变换器负责将动力电池输出的高压直流电(400V-800V) 转换为恒定的低压直流电(12V/14V/36V/48V) ，以满足整车低压系统的供电需求。其核心功能包含两方面：一是为车身电器(如灯光、车窗、仪表、娱乐系统等)及控制系统(BMS、驾驶模块等)提供稳定电源;二是为低压蓄电池充电。由于低压负载的功率需求大而工作电压低，DC/DC变换器需持续输出大电流，因此具有低电压、高电流的典型技术特征。其核心架构为移相全桥ZVS拓扑与同步整流模块的组合，详见图6所示电路。图 6. DC/DC 变换器电路图　　在车辆低压供电系统中，直流/直流变换器(DC/DC)为12V蓄电池充电的核心逻辑如下：当整车控制器(VCU)未发出高压上电指令时，系统处于高压下电状态，此时由12V蓄电池直接为所有低压负载供电;一旦VCU发出高压上电指令，DC/DC变换器随即启动，将动力电池输出的高压直流电转换为稳定的低压直流电。此后，DC/DC变换器同时承担两项关键任务：一是实时为整车低压负载供电，二是为12V蓄电池充电。其输出功率会根据低压负载的实时用电需求进行动态分配，优先保障负载供电，剩余的能量则用于给蓄电池充电，从而维持整个低压系统的能量平衡。　　总结　　理想二极管控制器本质是模拟理想二极管特性的集成电路，核心作用是实现高效的单向导电，替代传统机械二极管或普通二极管，广泛应用于电源冗余系统、汽车电子、不间断电源(UPS)、太阳能光伏系统。得益于极低导通压降、快速开关响应和无反向恢复电流等优势，理想二极管控制器是电源端口应用的真正“多边形战士”。
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发布时间：2025-11-06 11:50 阅读量：725 继续阅读>>

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